剑桥博士揭秘 iOS 密码暴力破解；新浪微博昨夜瘫痪 雷锋早报

库克看中 AR：苹果从 Oculus、Magic Leap 挖人

就在苹果首席执行官蒂姆·库克(Tim Cook)在接受采访时披露了对增强现实的看法一天后，Business Insider发现苹果最近从增强/虚拟现实公司招聘了2名大腕。 曾担任Magic Leap首席计算机视觉工程师的李泽宇(Zeyu Li，音译)，目前在苹果担任“高级计算机视觉算法工程师” 。Magic Leap是一家增强现实技术创业公司，在开发一款与微软HoloLens全息眼镜相似的头戴式显示器。

Oculus前研究科学家尤里·彼得罗夫(Yury Petrov)目前在苹果担任“研究科学家”。据彼得罗夫的LinkedIn档案显示，他的研究范围覆盖虚拟现实体验、计算机模拟算法等领域。虽然职位比较模糊，考虑到其专长，认为他在苹果开发类似项目是合乎情理的。

剑桥大学博士生完成了FBI无法做到的事 绕过iOS的密码限制

据外媒报道， 近日英国剑桥大学博士生Sergei Skorobogatov发表了一项新研究，详细展示了一项能帮助FBI绕过圣贝纳迪诺枪手iPhone上iOS密码限制的技术。 今年年初，一些安全研究人员建议FBI使用“NAND闪存镜像复制”的方法来破解iPhone。他们可以从iPhone上取下NAND闪存，再套到一个与iPhone相同硬件的马甲设备上导出完整的镜像，之后再进行猜密码的暴力破解。

而Skorobogatov的研究显示， 他成功将“NAND闪存镜像复制”的理论付诸实践。他从一部运行iOS 9.3的iPhone 5c手机上取下NAND闪存并多次复制数据。 随后他使用了一款自动化软件暴力破解密码。 Skorobogatov表示，暴力破解四位锁屏密码大概需要20个小时左右，而六位锁屏密码大约需要三个月时间。

新浪微博昨夜瘫痪

新浪微博再现深夜瘫痪。

9月16日22时30分许，很多网友反映，新浪微博访问缓慢，搜索功能无法使用，提示“网络出错”。

当天23时20分，新浪微博CEO王高飞在其个人微博 @来去之间 写道，“这次相当于女排+王宝强……”言语中暗示这次访问量相当于中国女排奥运夺金和王宝强离婚事件两次公众议题爆发时产生的流量。

新浪微博官方尚未回复有关服务器情况的置评请求。

A10 Fusion 全面解析：台积电16纳米工艺、超薄设计

iFixit 昨天已经完成了 iPhone 7 Plus 的拆解。现在，Chipworks 的专家又拆解了一台 iPhone 7 ，并对设备的 A10 Fusion 芯片进行了详尽的分析。Chipworks 确认芯片由台积电 TSMC 代工生产，芯片尺寸为 125 平方毫米。iPhone 7 的 A10 Fusion 确认配备 2GB 运行内存，而 iPhone 7 Plus 则配备了 3GB 运行内存。

由于台积电使用了 InFO 封装技术，A10芯片非常薄。这种新技术也是台积电可以独家获得 A10 芯片订单的主要原因。A10 芯片采用的内存为三星 K3RG1G10CM 2-GB LPDDR4 芯片，与 iPhone 6s 中的运行内存相似。

对于基带芯片，Chipworks 找到了来自英特尔的 XMM7360以及两个 SMARTi 5 RF 接收器芯片、一个电源管理芯片。高通和英特尔将同时为 iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 供应芯片，由于 CDMA 授权问题，英特尔不能生产 CDMA 基带芯片。高通的基带芯片可以同时支持 GSM 和 CDMA 网络。

美国政府发布狙击无人机系统

近日，Darpa启动了一个叫Aerial Dragnet的狙击无人机监控项目，它可以追踪大城市上空所有飞行高度低于1000英尺的无人飞行系统。同时，搭载了感应器的飞行系统可以在高空中监控建筑物之间的动态，如此一来，即便是在不知道无人机具体位置的情况下，这个系统还是对它们进行精确定位，从而打击那些基于无人机开展的恐怖袭击和其他违法犯罪行为。

“Aerial Dragnet想要通过研发适应市区小型无人机基本功能的系统，使非视距跟踪和识别慢速、低海拔飞行的潜在威胁物成为可能。同时，Darpa可以利用Aerial Dragnet系统输出的数据，绘制一个不断更新的领空通用作战图，并通过安全数据链接传输给经过认证的用户。”Darpa方解释道。

Chrome发布重要安全更新，将抵御量子计算机发起的黑客攻击

Google周四发布消息称，Chrome 54版中将用一种叫做CECPQ1的技术对网站发送和接收的数据进行加密，并表示这种加密技术主要用来预防将来使用量子计算机发出的黑客攻击。

量子计算机有着其特殊的数据存储方式，其数据存储方式被称为量子位，利用了量子力学中的叠加原理，且与普通计算机的进制单位0和1不同。虽然这种存储方式仍处于测试阶段，一旦成熟，其独特的设计，将会颠覆现有的加密技术。

现在，加密技术的核心是加大解密的计算难度。但量子计算机可以利用量子叠加原理大大降低攻破现有计算机的加密技术的难度。

三星：下一代闪存将采用双层堆叠，可望实现256层

当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术，最多可具有128层。引入双层堆叠技术后，使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层，取决于三星接下来的考量。

在昨日举行的投资者论坛上，全球存储芯片龙头厂商三星电子透露，它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“双层堆叠”（Double-stack Technology）技术，并且有可能开发256层设备。

双层堆叠使256层闪存可行

NAND闪存是一种非易失性存储器，由于保存资料时不需要消耗电力，断电也可以存储数据。

NAND闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量，更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。与单层堆叠解决方案相比，双层堆叠的方法可以更快地集成更多层。

三星V-NAND技术图解/图源三星

去年8月，三星推出了第六代V-NAND闪存。为使V-NAND具有超过100层的可行性，三星采用了新的电路设计技术。当前，三星计划利用双层堆叠技术来开发其下一代V-NAND闪存。

闪存市场供过于求持续，但存储供应商不改积极扩产态势，竞争日益激烈。根据TrendForce集邦咨询 的数据，三星是全球最大的NAND闪存制造商，今年第三季度的市场份额为33.1％。

在下一代闪存中引入双层堆叠方案，三星此举有助于进一步巩固其领先地位。

据韩联社报道，第七代V-NAND正处于开发阶段，预计将于明年量产，但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示：“我们的第六代V-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，但如果我们采用双层堆叠技术，256层堆叠是可能的。”

最佳层数取决于市场

虽然在技术上可以实现256层NAND闪存，但是韩进满表示，这并不一定意味着三星的下一代NAND将具有这样的层数配置。

韩进满说：“芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。”“这不是关于'你可以堆叠多少层'，而是关于'目前市场上最佳的层数”。”

集邦咨询分析师叶茂盛 在探讨全球闪存产业发展态势时给出预测：制程方面，在2020年NAND Flash叠堆技术突破100层后，2021年继续往150层以上推进。与此同时，单芯片容量也将自256/512Gb推进至512Gb/1Tb。

叶茂盛指出，2021年厂商将积极借助成本改善吸引客户升级容量。

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封面图片来源：拍信网

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