速率高达1Gbps！三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片

想不到吧？其实三星电子在2017年1月份时已经开始向自己的主要IT客户开始正式量产256GB基于64层 V-NAND芯片的固态硬盘了；而这64位的V-NAND芯片基已经被认为是世界上第四代V-NAND芯片，其最高的数据传输速率达到了1Gbps，并且具有业界最短500微秒（㎲）的烧录器烧录单个芯片的时间（tPROG），这个数据要比现在10nm级的NAND闪存速度要快将近4倍左右。

这样的数据也要高于三星此前最快的基于48层三位256GGB V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。

此外，与三星电子此前的48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。而64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3伏相比，在能量效率方面也有约30%左右的提升，而全新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。虽然秀了半天肌肉，小狮子还是更关心这固体硬盘的价格什么时候才能降到我们喜闻乐见的价格啊。

三星宣布开始生产第五代V-NAND闪存

IT之家7月11日消息 日前，三星电子正式宣布，已经开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片，，其关键特性是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。

与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比，后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40％。但随着更好的性能，电压从1.8V降至1.2V。

新的V-NAND还具有最快的数据写入速度，延迟仅为500微秒，这是在写上一代的速度提高了30%，而响应时间读信号已显着降低到50μS（微秒）。

第五代V-NAND芯片的构建与之前的相似，它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔。这些孔用作通道，尺度仅有几百微米宽，包含超过850亿个CTF单元，每个单元存储多达3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。

三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求，将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。

相关问答

三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3DTLCCTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这些单...

74AC00A是一款数字逻辑门芯片,属于74系列数字集成电路。它包括四个二输入NAND门,采用AC技术,具有低功耗和高速操作的特点。该芯片能够实现数字信号的与非逻辑...

是三星NAND第一代芯片,8位的,4片选,16GB的芯片.工作电压在2.7-3.6V..K9是三星的芯片,M是代表MLCDSP,DG是16GB的存储介质,08是8位的,U是2.7-3.6的电压,5是...

数码播放器中一般采用两种不同类型的NAND闪存。其中一种叫做SLC(SingleLevelCell),单层单元闪存;第二种叫做MLC(MultiLevelCell),多层单元闪存。两者的主...

“NCV”意思是“非接触电压检测”主要用来判断被测对象是否带电,它的效果就如一根外皮有绝缘层的导线。下面是一款万用表的说明书:NCV非接触测量电压(1)量程...

除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NANDFlash闪存芯片了。NANDFlash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:1.SLC全...

拯救者r7000固态是一块来自三星的PM981a1TBSSD。这是三星面向高端OEM市场推出的SSD产品,采用第三代64层堆叠3DV-NANDTLC颗粒,单颗就能达到256GB容量。另外...

描述:SN74HC00NSN54HC00和SN74HC00器件包含四个独立的2输入NAND门。他们执行布尔函数Y=A×B或Y=A+B为正逻辑。1特点:SN74HC00N1•2V至6V...

“极客谈科技”,全新视角、全新思路,伴您遨游神奇的科技世界。硬盘可以通过虚拟内存的方式转化成内存使用,内存也同样可以当做硬盘来使用。虽然理论上可行,...

因为手机用的nand存储芯片的机制都是采用二进制进行存储,包括手机CPU处理数据也只能认二进制数据,所以我们看到的手机存储容量都是以2的N次方出来的数字,虽说...