美光详解全球首款 232 层 NAND:速度提升 50%,最高 TLC 密度
IT之家 7 月 27 日消息,昨晚,美光公司宣布全球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡工厂量产,初期将以封装颗粒形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。
现在,美光发文介绍了 232 层 NAND 的相关技术。
官方表示,该技术节点达到了现今业界最快的 NAND I / O 速度:2.4 GB / s, 比美光 176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品相比,美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽提高 100%,读取频宽亦增加超过 75%。
此外,美光 232 层 NAND 引进全球首款六平面(6-Plane) TLC 生产型 NAND,是所有 TLC 闪存中每晶粒拥有最多平面的产品,且每个平面都有独立的读取能力。
232 层 NAND 的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性,也实现了有史以来最高的 TLC 密度(14.6 Gb / mm2) ,其单位储存密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸,11.5mm x 13.5mm 的封装使其成为目前最小的高密度 NAND,在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主板空间。
美光的 232 层 NAND 也是首款在生产中支援 NV-LPDDR4 的产品,此低电压介面与过去的 I / O 介面相比可节省每位元传输逾 30%。
美光表示,232 层 NAND 突破性功能将助客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的移动装置和整个智慧边缘领域提供更多创新解决方案。
三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存:业界最高位密度,IO速率达24Gbps
三星宣布,已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称,新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度,可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4 Gbps,比上一代产品提高了1.2倍,这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示,第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石,不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量,而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。
今年5月份,美光宣布推出232层的3D TLC NAND闪存,并准备在2022年末开始生产,计划用在包括固态硬盘在内的各种产品上。该款芯片采用了CuA架构,使用了NAND的字符串堆叠技术,初始容量同为1Tb。到了8月份,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,同时已向合作伙伴发送512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。
目前NAND闪存市场里,三星的市场份额是最高的,到达了35%。随着采用第8代V-NAND技术的产品引入,三星在层数上已追上SK海力士和美光,以确保市场上的竞争优势。
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