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ssd nand写入 影驰ONE 240GB SSD总写入7155TB!TLC寿命延长一半
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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影驰ONE 240GB SSD总写入7155TB!TLC寿命延长一半

板卡存储大厂影驰宣布,旗下ONE 240GB SSD固态盘历时3个半月、持续109天的考验,顺利完成了耐久度测试,数据总写入量达到715.5TB,期间无任何数据出错。

我们知道,NAND闪存有写入寿命的限制,准确的说应该是有擦写次数的限制。由于闪存在写入前必须先擦除,所以擦除次数就跟写入数据量联系起来。

SLC、MLC、TLC、QLC一路下来,随着闪存技术的发展,不同规格的闪存写入寿命其实是在倒退的,这就对主控和硬盘长寿的设计保护能力都提出了更高考验。

目前的3D TLC闪存颗粒的擦写次数在2000P/E左右,这意味着一个240GB的固态硬盘,最多只能可以写入480TB的数据量,而影驰ONE 240GB达到了715.5TB,算下来使用寿命已经接近3000 P/E,比同等级产品高出了50%。

715.5TB意味着什么?

按照一个人一天工作8小时计算,需要读写的数据一般在10-60GB之间,那么理论上写满715.5TB的数据最快也得33年,长则可达200年。

当然,固态硬盘的读写原理决定了写入放大必然存在,但是这样的寿命满足用户5年以上的高强度读写需求是非常轻松的。

据悉,影驰ONE系列SSD坚持只采用东芝原厂闪存晶圆 ,保障颗粒纯净性,并经过严格测试和筛选,久耐用。

同时作为群聊电子在中国大陆唯一的战略合作伙伴 ,影驰在主控方面拥有强大的技术支持。ONE 240GB搭载的是群联PS3111-S11主控 ,集合了SECC、Guaranteed Flush、静态和动态磨损平衡等9项黑科技。

影驰ONE 240GB SSD目前售价为329元。

写入不掉速!比SLC还要快的X-NAND QLC闪存究竟怎么做到的?

从SLC、MLC一路发展到TLC和QLC,NAND闪存的写入性能正以肉眼可见的速度快速降低。如果不是有SLC缓存遮羞,固态硬盘的写入速度恐怕要比几年前4倍甚至更多。

固态硬盘在变得便宜的同时,读写速度也在不断恶化,对于追求高性能的玩家来说很难接受。硅谷企业NEO Semiconductor研发的X-NAND技术或将成为NAND闪存的大救星:它理论上可以让QLC闪存比现有的SLC更快,同时还能保持低价。唯一的差别是,X-NAND无法提升闪存写入寿命。

增加Plane提高并发:

QLC自身的写入速度大约只有SLC闪存的1/8左右,提高数据读写的并发度是改善闪存性能的主要方向。目前3D NAND闪存已开始从2 Plane设计向4 Plane设计转变。

铠侠的XL-Flash超低延迟闪存为了提高性能更是采用了16 Plane等设计。不过要将16 Plane设计普遍应用到3D闪存中却并不经济:Page Buffer的数量会同步提升,并导致闪存芯片面积急剧增大,进而让闪存的制造成本上升。这也是XL-Flash只能专注于高性能存储而难以惠及消费级SSD的原因。

NEO Semiconductor更改了NAND闪存的设计,将Page Buffers容量降低到1KB来避免16 Plane设计在成本的增加。

X-NAND理论上可将闪存读写速度提高16倍,同时由于位线长度和电容的降低,随机读取速度以及写入验证速度也将大大提高。

按照NEO Semiconductor公开的数据,X-NAND技术可令QLC闪存的随机读写性能提高3倍、顺序读取速度提高27倍、顺序写入速度提高14倍。

提升之后的X-NAND QLC将比当前SLC闪存的顺序读写速度更快一些,但随机读写性能依然落后于真正的SLC闪存。不过,X-NAND技术同样可以用于SLC闪存,让SLC变得比现在更快。

加速鸡血永不停的奥秘:

回到大家最关心的“写入不掉速”问题上来。NEO Semiconductor承诺让QLC闪存可以始终以SLC缓存的速度进行写入,而不会出现缓存用完、速度暴跌。相信很多朋友和小编一样,怀疑这是不是真的。

NEO Semiconductor在最新的白皮书中解释了其中的原理。X-NAND充分发挥了Plane数量增加的红利,让不同分组的闪存交替以SLC写入、QLC释放和闪存擦除三种模式循环工作。

根据NEO Semiconductor的数据,32 Page的数据连续写入到8个Plane耗时6400μs,而将这些数据读取后并发写入到QLC Page所需的时间大约也是6400μs,这么一来一去,就可以保障数据可以始终保持全速写入而不发生掉速。

小容量设备的福音:

X-NAND的一个重要优势是它可以普惠众生,而不仅仅是面向昂贵的高端企业级SSD。

Plane数量的增加使得闪存并发存取性能提升,小容量的闪存也能提供可观的读写速度(特别是写入速度)。在外部接口(SATA/PCIe)总带宽固定的情况下,闪存性能的提升还可以降低对主控闪存通道数量的需求,进而降低SSD主控的成本。

灵活多变,满足每个人的需求:

每个人对存储性能的需求是不同的。硬件发烧友和电竞玩家追求极致性能,普通家用倾向于均衡的性能和成本,办公和教育市场可能更喜欢够用就好的高性价比SSD。X-NAND的Plane数量并非固定在16个,减少Plane数量意味着闪存芯片成本的降低,可以制造出速度相对不那么快、但价格更低的闪存。

NEO Semiconductor在去年的FMS闪存峰会上首次公开X-NAND,目前它们已经获得了相关技术专利,但它们不会自己利用这些技术进行闪存生产。所以我们什么时候能够实际体验到上述新技术优势,在一定程度上取决于世界主要闪存制造商会不会向NEO Semiconductor购买专利授权,或者它们自己是否已经有了类似的专利储备,并最终将其量产。总的来说,NAND闪存的发展前景是光明的,我们无需担心写入速度一步步向着HDD水平滑落而没有选择。

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