三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求
【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求】《科创板日报》26日讯,随着HBM高价产品贡献获利的快速成长,带动产能排挤及产业供需改善,各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估,三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM,尽管企业级储存需求强劲,但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧,相较于过去两年,三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬,各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位,但市场估计,第三季NAND Flash或微幅供过于求,而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。(台湾电子时报)
韩国芯片巨头SK海力士三季度营业利润暴跌93%
(观察者网讯)韩国第二大芯片制造商SK海力士周四发布财报称,第三季度净利润从上年同期的4.692万亿韩元(约合283亿元人民币)降至4954.8亿韩元(约合29.89亿元人民币),但仍好于市场预期。
该公司表示,第三季度营业利润下降93%,至4725.6亿韩元(约合28.51亿元人民币)。营收下降40%,至6.839万亿韩元(约合412.6亿元人民币)。
SK海力士表示,需求复苏和内存芯片价格下跌的放缓,帮助维持了本季度的增长和盈利。
资料显示,Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商(其他两家为三星和镁光),也在整个半导体公司中占第九位。2019年10月,2019福布斯全球数字经济100强榜发布,海力士位列第28位。
市场认为,由于存储芯片市场长达两年的繁荣期结束以及日本对芯片和显示器生产的关键原材料出口进行限制,三星电子自去年年底以来一直在应对半导体行业的低迷局面,韩国芯片企业利润今年以来一直处于“暴跌”状态。
此前,SK海力士第二季度财报显示,营收年减38%至6.5万亿韩元(约合392.15亿元人民币),营业利润较去年同期狂减89%至6380亿韩元(约合38.49亿人民币),净利也从去年同期的4.3万亿韩元(约合259.4亿元人民币)大减88%至5370亿韩元(约合32.4亿元人民币)。
第一季营业利润则同比大跌69%至1.4万亿韩元(约合81.4亿元人民币),净利减少64.7%至1.1万亿韩元(约合64亿元人民币)。
而在本月8日,三星电子发布2019财年第三季度业绩展望称,受到芯片价格持续下滑的冲击,三星电子预计第三季度营业利润为7.7万亿韩元(约合464.55亿元人民币),同比下降56.18%。
SK 海力士此前层指出,明年(2020年)的投资额将明显低于今年,DRAM产能也将从今年第四季度开始调降,且今年NAND闪存芯片投入的降幅将会从之前的10%调整至15%,韩国两座晶圆厂的扩产时间也会重新考虑。
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