西数谈中国NAND竞争：仍有技术优势，2020年前中国厂商意义不大 ……

在NAND闪存市场上，三星、东芝、西数、美光、SK Hynix及英特尔这六家公司占据了绝大多数份额，不过NAND闪存也是中国近年来发力追赶的重要领域，尤其是紫光旗下的长江存储，他们在武汉投资240亿美元建设中国最大的存储芯片基地，今年底量产32层堆栈的64Gb核心闪存。面对中国厂商在NAND市场上的威胁，这些公司是怎么看的呢?西数公司日前表态称NAND领域技术很难，他们在这方面依然有优势，中国的NAND厂商在2020年之前不会带来什么有意义的改变。

西数已经量产了96层堆栈的3D NAND闪存

西数公司CFO Mark Long上周也出席了花旗银行2018全球技术大会，并回答了分析师提问，其中就涉及到了西数如何看待中国厂商进入NAND领域的问题。对于这个问题，Mark Long表示他们非常关注所有的竞争对手，但有一点很清楚，NAND对技术的要求比人们想象中的更难，新进入市场的厂商需要很长时间才能获得这种能力，他们需要通过回报及工艺进展来证明这项投资的正确。

当中国厂商有能力进入这个市场时，Mark Long认为他们依然是落后的，即便中国厂商有能力提供不断增长的NAND芯片，西数在技术上依然会保持优势，同时会通过这个技术优势生产商有优势的产品。

Mark Long提到上述这些都是西数关注的领域，而中国厂商在2020年之前不太可能的对市场产生什么有意义的变化。

根据长江存储公司的规划，今年底他们将量产32层堆栈的3D NAND闪存，核心容量64GB，明年将量产64层堆栈的128Gb核心的3D NAND闪存，同时还会研发128层堆栈的3D NAND闪存。但在技术方面，西数、东芝、美光等公司今年底就要量产96层堆栈的3D NAND闪存了，核心容量提升到了1Tb到1.33Tb，长江存储的3D NAND闪存在技术上确实要落后两三年时间。

西数进退两难：3D NAND若领先 三星恐扩产点燃价格战

全球硬盘机大厂西数和日厂东芝合作，打算超车三星电子，抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告，要是西数和东芝真的追上三星，三星可能会扩产淹没市场，重创NAND价格。

Barron’s 11日报道，Jefferies&Co.的James Kisner表示，西数和东芝计划抢在三星之前，生产64层3D NAND Flash，此举可能导致三星扩产还击。报告称，当前三星在业界握有主导权，将密切关注西数/闪迪(西数去年收购了闪迪)在第四季末的生产情况，决定64层3D NAND的增产速度。要是三星认为西数技术赶上，可能会快速增加3D NAND产能。

报告指出，反讽的是，近期内东芝/闪迪64层技术发展缓慢，对业界较为有利。倘若西数迅速增产64层3D NAND，三星也会扩产迎击，这么一来，西数可能会流失企业固态硬盘(SSD)市占，SSD是NAND利润最高的市场，而且业界的价格压力也会大增。如今西数进退不得，不能放慢速度，以免对手追上，但是发展太快，又可能导致三星强力反击。

三星是第一家开发出3D NAND Flash业者，技术遥遥领先，不过据传日厂东芝砸重金研发后，情势一夕骤变，东芝即将超车三星，成为首家生产64层3D NAND Flash的厂商。

BusinessKorea 7月20日报道，2013年三星电子率先制造3D NAND，东芝直到今年春天才加入生产行列，不过却以光速追上对手，计划今年第三季生产全球首款的64层3D NAND Flash，比三星快了一季。

64层3D NAND Flash极为重要，业界认为64层3D NAND Flash的出现，代表平面NAND Flash时代画上句点。3D NAND Flash采取垂直堆叠，可提高存储器容量和速度，表现优于平面NAND Flash。

厂商争相投资3D NAND Flash，令人忧心忡忡。据传三星电子平泽厂将提前投产，SK海力士、东芝、美光产能也将于明年下半全面开出，届时3D NAND可能会从供不应求转变为供给过剩。

BusinessKorea 6日报道，NAND需求爆发，据悉三星电子决定平泽厂完工时间提前三个月，改在明年三、四月开始生产第四代64层3D NAND。三星平泽厂完工，加上原本的华城厂，届时三星3D NAND产能将从当前水准提高两倍，达到32万片。

SK海力士也准备生产3D NAND，仁川厂M14线无尘室正在装设仪器，估计第二代36层3D NAND可在今年第二季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3D NAND，估计未来3D NAND将占SK海力士产出的一半。

来源：MoneyDJ

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