200元内M2NVMe协议大容量固态 错过悔一年

想为电脑升级，固态硬盘那显然是必买物件，俗话说价格便宜量又足，对于固态硬盘选购来说，读取速度要够快，容量要够大，价格要够低，本着这个原则笔者精挑细选了如今市场中价格在200元内，并且采用了M.2/NVme协议的大容量固态，皆为秒杀价出清。

01 爱国者P2000

价格：199元

读取速度：1950MB/S

爱国者P200采用全新PCIe3.0四通道高速接口，NVMe1.3技术标准，顺序读取速度高达2100MB/S，提高整机系统应用、程序加载、文件拷贝效率、配合高性能主控芯片，让电脑重获新生。

此外，高品质颗粒和精选主控，优质3D TLC颗粒，大幅提升传输速率，支持低密度奇偶纠错码智能纠错，确保数据传输更加准确，平均擦写次数是QLC颗粒的7倍，闪存寿命更持久。

02 七彩虹CN600

价格：199元

读取速度：1800MB/S

七彩虹CN600采用M.2 NVme接口，兼容桌面型电脑和笔记本电脑。采用一线原厂闪存颗粒，大缓存设计，速度跟稳定兼顾，在闪存写入寿命上得到了大幅提升。

03 大华C900

价格：199元

读取速度：2000MB/S

作为专为玩家设计的C900系列NVMe固态硬盘，连续读取速度高达2000MB/S，连续写入速度高达1800MB/S。采用Max.Write技术，智能定义用户工作负荷并分配模拟SLC缓冲区，在传输大文件或使用图形密集型应用程序时，大幅度的改善用户体验。

同时，大华C900系列不仅能适用于普通台式机和笔记本电脑，还可以灵活安装在超薄笔记本电脑或小尺寸规格PC系统。

04 朗科N930E PRO绝影

价格：189元

读取速度：1871MB/s

朗科N930E PRO绝影采用M.2 2280规格，兼容PC和笔记本电脑，运行功耗低，发热量小、零噪音，并且具备抗 冲击和抗震优越性能，适合多种场景使用，提高生活效率。

搭载PCIe Gen 3x4全新接口，高达32Gbps的传输带宽，读写更快，顺序读写速度分别高达2100MB/S和1500MB/S，有效助力高性能PC。

专为高性能平台定制，采用PCIe Gen 3 NVMe 1.3主控，可支持4通道传输，搭配高密集垂直堆叠的3D NAND，并且自带LDPC ECC智能纠错机制，确保数据传输更快更可靠，提升使用寿命。

05 阿斯加特 AN2极速版

价格：179元

读取速度：2100MB/S

SSD采用64层3D NAND技术，打破了存储的限制，展示出NAND创新的出色性能。AN2系列具备石墨烯良好的散热特性，又考虑到整体尺寸设计，使其可以方便置入超极本、硬盘盒等空间要求高的设备中。

采用PCIe Gen 3（8Gb/S)x4 NVMe接口，支持4通道16PE闪存传输，并且自带LDPC ECC智能纠错机制。支持NVMe 1.3协议、ONF14.0，大幅降低SSD存取延时。

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X-NAND技术有望为QLC闪存带来SLC级别的性能

回顾过去十年的 SSD 发展史，可见固态硬盘的速度和性价比都变得越来越高。大约十年前，32GB / 64GB SSD 的价格可能高达 500 / 1100 美元。现如今，不到 150 美元就能买到 1TB 型号。 然而随着一项被称作 X-NAND 的新技术的问世，这一趋势还将得到进一步的延续。

X-NAND 详细介绍（PDF）

为了在每个存储单元塞入更多的数据位，闪存已从 1-bit 的 SLC，逐渐发展到了 2、3、4-bit 的 MLC / TLC / QLC 。

此外还有 5-bit 的 PLC NAND 正在开发中，只是我们无法早于 2025 年见到它的身影。

对于大多数网友来说，可能都知道 SLC NAND 闪存的速度和耐用性最佳，但成本也居高不下。

另一方面，尽管 TLC 和 QLC NAND 的速度相对较慢，但在 DRAM 和 SLC 缓存策略的加持下，其依然很适合用于制造更具成本效益的大容量 SSD。

有趣的是，由 Andy Hsu 在 2012 年成立的闪存设计与半导体初创企业 Neo Semiconductor，宣称能够借助全新的的 X-NAND 闪存技术来获得更高的性能与成本效益。

早在去年的闪存峰会上，外媒就已经报道过 X-NAND 。不过直到本月，这家公司才被正式授予了两项关键专利。

X-NAND 的特点，是在单个封装中结合 SLC NAND 的性能优势、以及多 bit 的存储密度。

与传统方案相比，X-NAND 可将闪存芯片的缓冲区大小减少多达 94%，使得制造商能够将每个芯片的平面数量，从 2-4 个大幅增加到 16-64 个。

基于此，NAND 芯片可实现更高的读取和写入并行性能，进而甚至可提升 SLC NAND 的性能。

理论上，X-NAND 可将顺序读取速率提升至 QLC 的 27 倍、将顺序写入速率提升 15 倍、以及将随机读写性能提升 3 倍。

同时得益于 NAND 芯片的更小、更低功耗，其制造成本也可控制到 QLC 相当。至于耐用性会有多大的改善，说起来就有些复杂了。即便如此，该公司还是声称会较传统 TLC / QLC 闪存有所改善。

目前 Neo Semiconductor 正在寻求与三星、英特尔、美光、铠侠、西部数据、SK 海力士等 NAND 制造商建立合作伙伴关系。截止发稿时，该公司已拥有 22 项相关专利。

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ng11一般的就行了,不过有可能存的东西就不见了,有用(0)回复jxaa0617583.0最快的.差别很大的.不过也看U盘是什么参数的.每一个品牌型号都不一样读取速度的噢...

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如果是2.0的速度也会降下来有用(0)回复7cccc1是这样的。因为USB3.0接口里包含USB2.0接口,插USB2.0设备时其实是连接在USB2.0接口上,插USB3.0设备时是连接在....

首先,USB3.0速度确实很快,速度主要受限于硬盘速度,您每秒60M是由于硬盘速度所限,而非USB3.0接口。60M每秒速度对于5400转硬盘不算快,对于7200转硬盘有些慢了...