一幅漫画带你了解什么是NAND闪存，为什么物联网需要它

无处不在的物联网设备将产生庞大的数据，但问题在于是否保留所有数据，如果保留，数据将存储在哪里？ 相比云计算存储在过去几年中成为目标，如今正在有越来越多的观点认为应该转向布局本地存储和边缘存储，因为不是所有数据需要上云，并且时延要求较高的场景，比如自动驾驶，相比将所有数据一股脑上传到云端，更安全、有效、低成本的方式是将其在边缘实现计算及存储。

尤其考虑到物联网边缘设备自身拥有的诸多特性，比如所处位置偏远不易管理、所处环境较为严苛、产生海量数据对存储容量提出要求、时延较低对读写速度提出要求、强调数据安全、并且对低功耗的性能要求也高等特点，这一系列原因尤其导致数据存储这项工作，在物联网时代面临新的挑战。

但挑战背后即是机遇。

今年，新基建成为热词之一，民间资本为此表现出前所未有的积极性（阿里云3年2000亿投资），国家发改委亦于近期首次明确了新基建的范围，指出重点聚焦信息基础设施建设，包括建设以5G、物联网、工业互联网、卫星互联网为代表的通信网络基础设施，以人工智能、云计算、区块链等为代表的新技术基础设施，以数据中心、智能计算中心为代表的算力基础设施等。

而信息基础设施建设的最终远景，或者说想要实现的主要目标，一定是让闲置的数据被利用起来，因此考虑如何保存并使用它们将会至关重要。

上文提到，全球知名的半导体厂商大多已加入NAND盖楼大赛，形成战国群雄鼎力的局面。

成立于1970年的美国西部数据公司在其中占据着举足轻重的地位。

2017年，西部数据发布首款 96 层 NAND (BiCS4) 零售产品。此产品能够在要求苛刻的移动通信和固态硬盘市场中占据优势，与 48 层和 64 层 NAND 相比，性能与可靠性更高，容量也更大。

2019年，有消息披露西部数据的128层产品将采用Bics5架构，将于2020年面世。

实际上不仅是NAND产品，被称为硬盘业领头羊、数据存储业排头兵的西部数据公司，旗下拥有WD?、SanDisk?、G-TechnologyTM等知名品牌，正在全面拥抱物联网和人工智能，赋能全产业链合作伙伴。

值此之际，西部数据将与物联传媒合作，于4月27日14:30-15:30开展一场线上交流会，不为“卖货”，只为让更多物联网人了解存储，用好存储。

一文带你了解闪存产品的核心——NAND闪存芯片的分类

我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。

NAND闪存，是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门(NOT-AND)，用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。它可以分为SLC、MLC、eMLC和TLC，下面我们具体了解一下。

稳定性对照

耐力对照

SLC

SLC(Single-Level Cell，单层单元)SSD在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。对于企业的关键应用程序和存储服务，SLC是首选的闪存技术。当然，它的价格最高。

MLC

考虑到闪存的消费级特性，MLC(Multi-Level Cell，多层单元)架构可以为每个单元存储2个Bit。尽管在存储单元中存储多个Bit似乎能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。相对而言，MLC SSD使得在PC和笔记本电脑上增加闪存成为可能。

eMLC

eMLC(Enterprise Multi-Level Cell，企业多级单元)是MLC NAND 闪存的一个“增强型”的版本，它在一定程度上弥补了SLC和MLC之间的性能和耐久差距。eMLC驱动器比MLC驱动器贵，但比SLC驱动器便宜得多。尽管每个单元仍然存储2个Bit，但eMLC驱动器的控制器管理数据放置、磨损均衡和一些其他存储操作延长了eMLC SSD的使用寿命。

TLC

相较于SLC和MLC的Nand闪存，最便宜的是TLC(Triple-Level Cell，三层单元)NAND闪存，每个单元存储3Bit。通常用于性能和耐久性要求相对较低的电子产品，最适合于包含大量读取操作的应用程序，但是随着闪存体系结构的最新改进，3D TLC NAND Flash对持久增强的数据放置和错误纠正技术，使该技术在读密集型企业存储应用程序和工业存储环境中开始了批量使用。

总而言之，每种类型的NAND闪存都有不同的使用寿命，这意味着它会在SSD降级并最终失效之前提供有限数量的P/E周期。当然，除了制造缺陷，电力激增或其他灾难性的破坏可能导致SSD的失效，这是决定SSD支持的存储工作负载和应用程序类型的主要影响因素。

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