nand 烧录方法如何使用和维护ANDK烧录座

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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如何使用和维护ANDK烧录座

基于多年Socket的设计、制作经验，KZT 研发了两款弹片结构的BGA老化Socket ，一种为单面弹，采用传统焊接方式与PCB 板固定；一种为双面弹，采用我司创新的锁螺丝方式与PCB 板固定；客户可以根据实际情况自由选择

一产品特点：

1、单面弹结构：

采用传统的焊接方式将Socket与PCBA板固定，稳定牢固，但是费工费时，且Socket一旦焊接后，无法重复利用；

2、双面弹结构：

采用创新的锁螺丝方式将Socket与PCBA板固定，在确保接触稳定牢固的同时，减少了按装时间，省时省力，且Socket可以从PCBA板上拆卸，重复利用，节约了测试成本；

二、材料& 性能：

Ø Socket 本体: PEI

Ø 弹片材料：铍铜

Ø 弹片镀层：镍金

Ø 操作压力：2.0KG min，pin越多压力越大

Ø 接触阻抗：50mΩ max.

Ø 耐压测试：700V AC for 1 minute

Ø 绝缘电阻：1,000MΩ 500V DC

Ø 最大电流：1A

Ø 使用温度：-55℃~+175 ℃

Ø 使用寿命：25000 次（机械测试）

适用于间距为0.4/0.5/0.65/0.8/1.0mm的芯片

Ø 紧凑的设计和较小的测试压力

Ø 独特的结构避免卡球

Ø 可更换限位框

Ø “U”形弹片支持任何形态的锡球（有球，无球，残球-整体接触面落差不超过0.2MM）

三、操作方法

◆根据不同芯片封装，所使用的烧录座就一样；

◆如果IC无法放入烧录座时，请勿强行放入；

◆使用前先检查烧录座是不否与之IC匹配：

四、判断

1.与IC接触金属弹片为镀金，颜色呈金黄色，如发现变黑或色泽不均匀时，可判断为金属弹片已经出现氧化，应立即停止使用，要用酒精清洁烧录座或更换新烧录座

2.如金属弹片有断裂或歪斜，Socket有损坏，需更换新烧录座；

◆针对BGA封装，特别是带球类型的Socket，IC在距离烧录座上空1~2mm时释放，让其自由落入烧录座里，切勿直接把IC按入Socket中；

◆使用中要“轻压烧录座，轻放IC”，切勿用大力取放，造成IC或烧录座的损伤

5.维护保养事项

◆不可使用腐蚀性之清洗剂，虽可获得短暂效果但会带来严重的损伤，缩短使用寿命。只可用静电毛刷，精密清洁剂进行清洁对烧录座金属弹片进行清扫清洁，可以用超声波进行清洗；

◆每次使用完烧录座后，应清洁烧录座，保持烧录座表面干净无污

◆清洁完的烧录座最好能放在防潮箱或干燥的保管箱存放

◆烧录座长时间不使用时，合上盖子，用盒子装好，尽量存放在密封，干燥阴凉的地方，防止因存放环境而引起的氧化。再次使用时应先观察烧录座表面是否有污物或氧化（呈黑色）用精密清洁剂进行清洁后再使用。

PS：烧录座是耗材，只有正确使用和妥善保养，才会延长使用寿命

5.维护保养事项

◆每次使用完烧录座后，应清洁烧录座，保持烧录座表面干净无污

◆清洁完的烧录座最好能放在防潮箱或干燥的保管箱存放

PS：烧录座是耗材，只有正确使用和妥善保养，才会延长使用寿命

UBIFS 根文件系统制作

1. UBIFS 文件系统简介

传统的flash文件系统如jffs2, yaffs2等是工作在MTD 设备上，而UBIFS则建立在UBI卷层之上，UBI卷层工作在MTD设备层之上，也可以说，UBIFS涉及三个子系统：

MTD 子系统，提供对flash芯片Raw的访问接口。MTD子系统提供了MTD device的概念，比如/dev/mtdX(字符设备)和/dev/mtdblockX(块设备);l UBI Subsystem, 它工作在MTD设备之上，提供了UBI逻辑卷，对上层屏蔽了一些直接使用MTD设备需要处理的问题，如wear-leveling(磨损平衡)和volume management(坏块管理)功能等;l UBIFS 文件系统，工作于UBI之上。它提供文件的open, read, write等操作;

系统之间的层级关系

2.根文件系统镜像文件制作

l mkfs.ubifs 参数说明

-x lzo 指定使用lzo压缩方法，默认是lzo，还支持zlib, zlib的压缩率高，但是lzo压缩解压速度快。

-m 2048 Nand Flash的最小读写单元，一般为page size.

-r ./rootfs 指定根文件系统目录树的路径

-o rootfs.ubifs 指定制作出的根文件系统镜像文件名

-e 126976 指定LEB(Logical Erase Block, 逻辑擦除块)大小。Nandflash 读写单位为页，擦除单位为块，以ESMT F59L1G81MB 为例：一个PEB(Physical EraseBlockSize, 物理擦除块)大小就是2048*64=131072，-e 的算法是物理擦除块大小-2*页大小，这里就是131072-2*2048=126976(注：这里的擦除块大小都不包含oob, 有包含子页和不包含子页之分。 )

-c xxx 指定该分区最大逻辑擦除块数量，该值随着根文件系统分区的大小和该分区的坏块数调整。

l ubinize 参数说明

-o rootfs-ubifs.bin 指定ubinize处理后输出的image文件名，该文件可以由u-boot的nand write命令直接烧录；

-m 2048 指定minimum input/output unit 大小，为Nandflash的页大小；

-p 131072 指定物理擦除块大小：64 Pages * 2048 Byte/Page = 131072(不包含oob的大小)

-s 512/2048 指定sub-page-szie大小，如果有sub-page, 则配置为512；如果没有sub-page,则配置为2048

n 关于配置文件说明：

image=rootfs-ubifs.img 指定mkfs.ubifs 制作成的根文件系统镜像文件路径；

vol_id=0 指定根文件系统树的卷标为0，u-boot的bootargs参数需要根据它来设置；

vol_size=xxx 指定该UBI逻辑卷的大小，该值计算公式一般为逻辑擦除块大小*逻辑擦除块个数。该值一般不用写，默认值是image大小。写了这个作用是帮助检查image是否超过了分区限制，制作时候就会提示，否则mount会出错。逻辑擦除块个数的值是经过计算的最大值(前面mkfs.ubifs -c 指定的值)，不过volume flag autoresize 参数会自适应大小，不会浪费空间，后面Linux 系统内核启动过程中可以看到这个现象。

vol_type=dynamic

vol_name=xxx 指定UBI Volume的名称，u-boot的bootargs参数需要根据它来设置；

vol_flags=autoresize UBI Subsystem 在系统启动时自动调整逻辑擦除块的个数；

经过ubinize 命令处理过后的根文件系统镜像rootfs-ubifs.bin就可以直接在u-boot使用

nand write 命令烧录到相应的根文件系统分区上去了。

关于Minim Flash input/output, sub-pages, UBI Header的说明：

http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/ubi.html#L_min_io_unit

如何使用和维护ANDK烧录座

UBIFS 根文件系统制作

1. UBIFS 文件系统简介

2.根文件系统镜像文件制作

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