东京电子开发出可生产400层3D NAND闪存的设备

IT之家 10 月 17 日消息，东京威力科创 / 东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产 400 层 3D NAND 闪存的设备 ，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

生产 3D NAND 需要专门的设备，目前主要由美国公司泛林集团控制。IT之家今年 6 月曾报道，东京电子开发出全新蚀刻技术，首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。

东京威力科创希望凭借着这项技术挑战泛林集团，与现有方法相比，新的蚀刻方法至少将生产率提高了 2.5 倍。

东京威力科创表示这种技术对环境的有害影响也非常小，公司预估客户安装调试完成之后，可以在未来 2-3 年内开始生产 400 层 3D NAND 存储器；预估到 2027 年该领域产能比今年翻两番，达到 20 亿美元。

东京电子上一财年销售的蚀刻设备价值不超过 39 亿美元，约占其总销售额的四分之一。在新技术的帮助下，该公司预计其核心销售额至少将增加一倍。

去年销售额达到 200 亿美元的半导体行业蚀刻系统市场中，东京电子以 25% 的份额屈居第二，而美国 Lam Research 公司继续领先，占据半壁江山。

过去五年来，东京电子的研发支出增加了 77%，预计今年的研发支出将达到创纪录的 13.4 亿美元（IT之家备注：当前约 97.95 亿元人民币）。

三星：第9代V-NAND采用钼金属化，明年增购20台设备

【三星在第9代V-NAND生产中采用钼金属化工艺】

三星电子在其第9代V-NAND闪存生产中，引入了钼金属化工艺。据悉，三星已从Lam Research采购了5台钼沉积机，用于这一新工艺的实施。此外，公司计划在明年进一步扩大设备投资，预计将再引进20台相关设备。这一举措预计将提升三星在NAND闪存市场的竞争力。

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