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nand和sk 英特尔90亿卖NAND内存业务“回血”,SK海力士买得值吗?
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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英特尔90亿卖NAND内存业务“回血”,SK海力士买得值吗?

(来源:Pixabay)

在经过一年多业内传言后,SK海力士收购英特尔NAND存储芯片的传闻成真。

10月20日早晨,SK海力士(SK Hynix)发布消息,官方宣布以总价90亿美元的价格收购英特尔NAND闪存及存储业务。本次交易包括英特尔NAND SSD业务、NAND元件和晶圆业务、以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。

这一并购动作早有征兆。

2018年,英特尔宣布退出与美光合资公司JV的IM Flash业务,在外界看来,英特尔正加速退出NAND Flash非核心业务。去年7月韩联社报道指,SK海力士正在与英特尔谈判,或将接手其闪存芯片业务。当时SK海力士不予置评。

直至今年,这笔交易才正式落槌。

根据协议,在获取相关许可后,到2021年,SK海力士将支付首期70亿美元收购英特尔NAND SSD业务(包括相关知识产权和员工)以及接手英特尔大连工厂。而第二期的20亿美元余款,预计在2025年3月份交付,收购剩余相关资产,完成最终交割。

SK海力士公司人士Jeffrey对钛媒体表示,这笔交易旨在强化该公司在NAND闪存解决方案的一些核心竞争力,发展存储器生态系统,进而占据NAND闪存市场。

“实际上,在SSD存储领域,英特尔本身有着较强的技术实力,以及市场占有率,而我们在智能手机方面竞争力比较强。所以通过两家公司的并购结合,我们就能全面覆盖(NAND闪存市场的占有率)。”

值得注意的是,本次交易中不包含英特尔与美光共同开发的3D XPoint存储技术。而且,英特尔还将保留傲腾TM(OptaneTM)的NVM存储业务。

英特尔表示,公司将计划将本次交易获得的资金投入具备长期成长潜力的重点业务,包括人工智能(AI)、5G网络与智能、自动驾驶相关边缘设备。

一旦双方完成并购交割,SK海力士将成为全球第二大NAND闪存芯片制造商。同时,这也将是迄今为止韩国公司最大的一笔收购交易,远高于三星电子在2016年以80亿美元收购哈曼国际工业。

英特尔NSG连年亏损,卖掉闪存业务回归本业

早在1970年,英特尔就研发出12μm工艺的1kB DRAM(C1103型)存储产品,并实现大规模量产,开启了DRAM(动态随机存取存储器)的产业化时代。

尽管此后英特尔开发微处理器产品,专注于云计算等业务,但仍没有放弃存储产品的生产与开发。

目前,英特尔拥有业界领先的NAND SSD技术以及4阶储存单元(QLC)NAND闪存等存储产品线。

不过,近四年来,随着存储市场价格的不断压缩,前期技术投入过重,英特尔的NAND Flash存储业务一直处于亏损状态。

根据英特尔年报显示,3D NAND闪存隶属的NSG业务在2016-2019年的亏损额分别达到5.4亿美元、2.6亿美元、500万美元和11.76亿美元。

2019年1月,英特尔新CEO司睿博(Bob Swan)上任,英特尔提出“云、网、边、端”战略,强调在CPU、AI芯片、FPGA领域构建服务器作用。同时,英特尔开始减少在PC、移动处理器上的投入,处理掉不盈利的业务,停止巨额补贴,解决亏损问题。

英特尔CFO曾表示,尽管公司对5G的机会和云计算业务非常感兴趣,但他们更关注盈利机会和良好的回报,一旦无法明确看到盈利发展,则将考虑出售相关业务。

去年7月,英特尔以10亿美元的价格把手机基带业务卖给了苹果,退出了5G智能手机基带研发;2020年1月,英特尔宣布将其智能网关部门出售给MaxLinear公司,实现“回血”。本次出售NAND闪存业务,英特尔基本甩开了长期不盈利的业务,实现“轻装上阵”。

同时,英特尔目前面临“四面楚歌”的困境。在CPU领域要面对AMD的强势崛起,在GPU(AI芯片)方面要面对英伟达的步步紧逼,加上铠侠、美光、三星和SK海力士四家占据全球超七成的闪存芯片市场,英特尔自然希望尽快脱手闪存业务。

因此,对于英特尔来说,卖了NAND闪存业务,无疑有着尽快止损的商业考量,尽早获得充足的资金“弹药”支持。 此举意味着,英特尔会将更多精力专注于主营业务上。

SK海力士看中技术,想以此提升中国市场份额

除英特尔外,其他闪存玩家这两年也一直处于亏损困境,包括本次的买家SK海力士半导体公司。

SK海力士于1983年创立,总部位于韩国首尔,主要制造工厂则位于韩国利川,主营业务一直都是存储,是全球二十大半导体厂商之一。

根据该公司2019年财报显示,全年营收26.99兆韩元(约227.2亿美元),同比下滑33%,净利润为2.02兆韩元(约16.97亿美元),同比下滑87%,实现7年以来首次亏损。

不过,SK海力士方面认为,存储解决方案相关竞争力才是发展重点,这是该公司购买英特尔NAND闪存业务的主要原因。一旦完成收购,将让其在技术层面长期处于领先地位。

在80及90年代,该公司专注于销售DRAM,后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务,同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。

截至目前,SK海力士最新开发了128层4D NAND闪存,近日还发布全球首个DDR5 DRAM芯片,为客户提供包括企业级SSD在内的具有高附加值的一系列3D NAND解决方案。有分析师预期,该公司可能会在今年获得盈利。

Jeffrey对钛媒体表示,英特尔在NAND闪存业务上有更多技术和IP,一旦完成收购,可以让SK海力士自身发展更更加稳健。

“存储芯片市场其实一直有着起伏的状态,就像去年的时候,全球市场处于低迷期间,这种固定时间段的起伏,不代表未来处于亏损。我们的这次投资,更加关注中长期的问题,尤其是英特尔在NAND闪存方面有着较多的技术IP实力。哪怕现在亏损,之后可能也会处于一个盈利的环境,尤其完成这一收购案,SK海力士会有一个比较大(的市场占有率)。”Jeffrey表示。

另外,本次收购案中还包括英特尔在中国大连的工厂,这一点对于SK海力士来说非常重要。

长期以来,中国存储芯片主要依赖进口,市场规模超千亿美元,占据中国芯片进口总额四分之一以上。

在这样的背景下,SK海力士一直在提升中国市场份额。公开资料显示,SK海力士2017年、2018年、2019年在中国市场营收占全球营收比达到33.4%、38.8%和46.4%,比例不断上升。

但SK海力士的制造工厂比较分散。Jeffrey表示,除了韩国本土工厂外,SK海力士中国工厂主要在江苏无锡和重庆,与韩国的距离都比较远。而且,上海、北京、深圳的SK海力士都是销售部门,此前在大连并没有涉及相关存储制造和销售业务。

业内人士指出,这一交易将让SK海力士实现统一制造工厂,进一步压缩芯片研发制造成本,从而在中国市场中更具竞争力。

双方表示,本次收购案将需要获得各国政府的审批。有媒体指,审核过程中可能会需释出部分股权让中国适度“让利参与”,与长江存储等本土公司合作,从而获得许可,让韩国企业替代美国企业进驻中国存储芯片市场。

对此,Jeffrey表示不便评论。他指出,目前处于刚签订协议状态,涉及细节问题仍在讨论中,对外暂无披露。

目前来看,通过此次收购,全球存储市场格局将会出现重要变化。一旦SK海力士顺利在中国市场中成长,或将进一步取代三星、西部数据等存储巨头地位。

有业内人士表示,这是一桩没有“绝对输家”的交易。该并购案代表着半导体市场的更近一步整合,或将有助于存储价格的稳定。

注:受访者要求,文中Jeffrey为匿名

(本文首发钛媒体App,作者 | 林志佳,编辑|赵宇航)

长江存储、三星、SK海力士、美光、铠侠 3D NAND垂直单元效率比较

来源:techinsights

原文链接:

https://library.techinsights.com/search/blog-viewer/a8bf096b-fd79-4ab4-8957-0310ee5bade7?t=2xx-layer-products-from-samsung-sk-hynix-micron-and-ymtc&utm_source=blog&utm_medium=website&utm_campaign=Roadmaps

当谈到3D NAND单元效率时,垂直单元效率(VCE)在NAND单元工艺、设计、集成和器件操作中尤为重要。随着堆叠总门数的增加,单元的VC孔高度也随之增加。为了减少VC高度和长宽比,其中一种方法是通过减少虚拟门、通道门和选择门的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以定义为总门数中有效单元的百分比,这意味着它可以通过有效WL数除以集成总门数来计算。

例如,一个NAND串由有效WL、通道WL(虚拟WL)和选择器(源端和漏端)组成。如果它有96个有效WL和115个总门数,那么垂直单元效率为83.5%,可以通过96除以115得到。垂直单元效率越高,对于工艺集成、较低的长宽比和较低的吞吐量越有利。

3D NAND垂直单元效率趋势:三星、SK hynix/Solidigm、美光、铠侠/西数、长江存储

三星在每一代产品中都有最高的VCE。例如,128L的单层结构VCE为94.1%,176L的COP V-NAND为92.1%,236L的第二代COP V-NAND为94.8%。

SK hynix 238L有259个总门数,VCE为91.9%,仍低于三星的236L。

长江存储232L Xtacking3的VCE为91.7%,位居第三。

美光232L为91%。

铠侠162L的VCE稍低,为88%。

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