东芝nand主控原厂NAND闪存+主控芯片，东芝随闪U363闪存盘是这样滴

原厂NAND闪存+主控芯片，东芝随闪U363闪存盘是这样滴

做为一个小编，大部分时间在拍片子、撸稿子，每次大量的文件、照片都需要通过U盘进行转存、拷贝，比移动硬盘轻巧便携。随着相机像素越来越高，单张照片的容量也是越来越大，导致每次需要存储的文件体积成爆炸性增长，所以，我对U盘的选择也比较挑剔，既要坚固耐用，又要读写速度飞快，这次我选择了东芝最新推出的64GB版本“随闪 U363”。

虽然市面上的绝大多数U盘产品都采用USB3.0标准，但从我使用过的众多品牌、型号U盘中发现，它们的实际读写能力参差不齐，有些甚至悬殊巨大，东芝随闪U363采用最新原厂NAND闪存颗粒及主控芯片，兼容Mac和Windows系统，标称最大读取速度为120MB/s，已经与SATA接口的台式机械硬盘无限接近了，后面会通过具体的读写测试来看看它的吞吐能力如何，咱们先来看看外观吧。

非常符合东芝风格的大红色调硬纸包装，东芝随闪U363闪存盘采用一次性密封而成，从源头上杜绝了二手货的现象，保证每一个用户拿到的产品都是全新的。正面印有型号、容量、速率等产品参数，双重防伪标识可以为产品验明正身，背面是产品的相关说明，不用过多赘述。

东芝随闪U363闪存盘采用一体成型的金属外壳，与塑料外壳的U盘相比透着坚固耐用；正面和背面的产品标识采用激光蚀刻工艺，充满了商务范儿。

恰到好处的小巧！随闪U363闪存盘的长度为3.9cm，仅比一元硬币高出三分之一，看上去就像一个加长版的USB公口插头，东芝的生产工艺确实不错。尾部一体成型的钥匙环孔可以非常方便的串到钥匙链中，这样随身携带跑来跑去能够降低丢失的概率。

金属的壳体与我这部黑色S3Yoga很搭，如果是与同色系的MacBook一起使用更是浑然一体的感觉。

在初始状态下，东芝随闪U363有58.1G的容量可用，这与标称容量基本相符，下面用相关软件进行U盘的性能测试，测试平台的性能配置对U盘的性能或多或少会有影响，理论上高性能平台的测试结果也会较高，所以成绩仅供参考。

首先是比较易用的ATTO Disk Benchmark，它可以用来检测U盘、存储卡、SSD等存储设备的读取/写入速率，按照文件大小进行分级测试，可以详细看出测试设备的各方面性能。

从测试结果来看，东芝随闪U363闪存盘的读取速度达到了91.51M/s，写入速度为18.10M/s。

另一款小巧的测试工具为CrystalDiskMark，简单的界面和相对准确的测试结果得到了大家广泛的认可。

CDMark测得的成绩为读取94.4M/s，写入17.64M/s，这个成绩与ATTO的成绩十分接近，一方面说明两款测试软件的准确性相当，另一方面也能看出东芝随闪U363的性能相当稳定。

下面使用我个人比较喜欢的拷贝软件FastCopy进行实际文件读取/写入测试，测试文件为876M大小的电影文件。

通过FastCopy的测试，实际读取速率为89.19M/s，876.6M文件拷贝用时9.83秒，这个实际拷贝速度与专业测试软件的测试结果十分接近。

选择这款东芝随闪U363闪存盘做为我的工作搭档，主要原因就是做工细腻、商务范儿十足、便于携带、原厂颗粒+主控性能强劲，十分符合我的工作特点，除了64G版本，同型号还有32G和128G可选，比较符合不同人群的需求，另外东芝对这款U363提供了5年的质保期，这样用着更放心，如果各位近期有选购U盘的打算，可以多多关注。

V-NAND到底是个啥？三星970EVO Plus强悍性能的背后

当我们在聊固态硬盘的时候，我们到底在聊些什么？经历了十数年的行业发展后，固态硬盘的技术规范和产品形态上逐步实现了统一，各家产品的差异已然上升到了内部架构和核心组件方面的技术代差上了。

简单剖析，固态硬盘产品的内核无外乎三大组件，用于调控整体存储功能和特殊机制的“大脑”即主控芯片，产品内部制作成本最高、担当存储重任的闪存颗粒，以及部分产品上用于产品支撑的缓存颗粒。

至于重要性而言，一举打破存储行业格局，让固态硬盘走入千家万户的存储介质，即闪存颗粒部分，可以说是区别固态硬盘好坏的最重要的内核组件。今天，笔者就以业界知名的三星970EVO Plus为实例，简单聊下关于闪存颗粒的技术和功能演变。

01 关于NAND闪存：单位电荷数Bit的变迁

NAND闪存，按照业界一般的理解，本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其中非易失性的突出特点，使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据，最终使得NAND闪存颗粒走向了前台；其实，熟悉闪存的朋友，可能还听过另一个词，即Dram颗粒，即动态随机存取存储器，同样是基于通断电的特性，只不过DRAM芯片的每次存储数据的过程中需要对于存储信息不停的刷新，无法实现长久存储，因而错过了这次“C位出道”的时机。

三星原厂NAND闪存颗粒

NAND闪存工作的原理是通过单位NAND内部电荷数Bit的通电和放电，实现对数据的存储。基于无机械结构的电荷存储优势，NAND闪存技术能够提供包括高性能、稳定、耐摔耐磕碰、一体成型故障率低等多种特点，迅速成为了各家存储厂商研发的重点。

因而，为了进一步提升NAND闪存容量，满足用户对于大容量存储的需求，在以三星、东芝、Intel等领先的NAND原厂推进下，研发出了不同电荷数Bit的多种NAND颗粒，即为SLC(1bit）、MLC（2bit）、TLC(3bit)、QLC(4bit)以及处于实验阶段即将量产的PLC（5bit）等类型。

不同颗粒类型的bit数分布

可随着单位电荷数Bit的堆叠，带来了两个后果，一是单位电荷Bit的增加对于半导体工艺制程的要求越来越高，从50nm制程一路升级到14/15/16nm制程，半导体制程工艺越来越无法满足更多单位电荷数Bit的堆叠了；二是单位电荷数Bit的堆叠，会在狭小的NAND闪存内部产生大量的干扰电流，严重影响闪存产品的性能和寿命。

02 三星V-NAND技术：从平面到垂直的创新性探索

为了解决单位堆叠的带来的电荷干扰问题以及半导体工艺的瓶颈，三星创新性的提出了在原有制程的基础上将NAND闪存以3D堆叠的形式，封装在NAND闪存之中，一方面解决了在平面的狭小空间内多个电荷数排列产生的电子干扰问题，保证了产品的质量和性能；

全球首款V-NAND技术产品

更为重要的是，解决了工艺制程无法推进容量提升的瓶颈，用3D堆叠替代2D平面排列，让NAND闪存以垂直的形式进行排列，进而提升了总体的容量。

V-NAND和普通2D NAND

朴素的理解就是，此前的NAND闪存就像在单位面积的地基上盖平房，平房的容积是恒定的，要想提升入住人口，只能无下限的降低单位容积率，其后果就是制造工艺和电磁干扰；

而V-NAND技术诞生之后，2D的平房变成了3D垂直的楼房，理论上只要高度不限制，单位面积的地基上的可利用容积几乎等同于无限，即避免了制程工艺的瓶颈又解决了电磁干扰的问题。

01 V-NAND技术是三星970EVO Plus强劲性能的有力支撑

三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。

而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用三星全新V-NAND技术研发的旗舰级产品，基于V-NANDND技术在容量和稳定性上巨大优势，搭配着三星自研的Phoenix主控，使得三星970EVO Plus的性能实现了超越。

根据官方提供的数据，三星970EVO Plus最大读取性能达到了3500MB/S，最大写入性能也达到了3300MB/S，几乎达到了消费级固态硬盘的巅峰水准。作为一款推出了数年的旗舰级固态硬盘，在即将踏入存储新纪元的当下，依旧没有任何一款同级别的PCIE3.0固态能够在性能上实现对970EVO Plus的绝对超越。