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无法读取nand mini一体式U优盘，SD卡，TF卡等FLASH存储卡不识别怎么数据恢复

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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mini一体式U优盘、SD卡、TF卡等FLASH存储卡不识别怎么数据恢复

以前老式的U优盘、SD卡、Sony MemoryStick、MMC等记忆卡基本都有一个经典架构：一个FLASH主控制器和一颗或多颗TSOP-48或LGA-52封装的NAND存储芯片。这种结构的存储介质数据恢复相对简单些，一般只要把NAND存储芯片取下来用设备读取，然后模拟控制器算法，就能恢复出数据。

但随着技术的进步，现在的U盘、SD卡、TF卡等存储卡大多采用一体式封装架构了，那怎么样才能把NAND存储芯片读取出来呢？

这里我们以一个TF卡为例，简单看下如何读取nand Flash芯片信息。

首先，我们需要把陶瓷基板的镀层打磨掉，这个过程要非常小心，同时要有耐心。如果断线了还有办法解决，但伤到芯片晶体了就麻烦了。一番辛苦后如果操作无误，那就是这个样子：

接下来分析引脚定义，我们需要用逻辑分析仪分析出I/0接点：D0,D1，D2，D3，D4，D5，D6，D7.指令接点：ALE,RE,R/B,CE,CLE,WE.电源接点：VCC,GND.

然后我们要用PC3000-FLASH闪存电路板飞线连接这些触点，注意，PC3000-FLASH只是闪存芯片数据恢复设备的一种，并不是唯一的。

我们要借助光学显微镜才能完成飞线连接工作。

焊接时一定要小心谨慎，锡点不能跟边缘线路有接触，以免造成短路。

再三确认连接无误后，我们接入数据恢复设备选择正确的ID就可以读取芯片了。

芯片信息读出来以后，就是比较耗时的主控算法分析以及ECC校验修复，后期这些工作可能得一天或数天才能完成。所有工作结束后，就能看到数据并提取出来了。

一体式U盘、SD卡、TF卡等FLASH存储介质的数据恢复是个费时费力并考验技术的工作，绝非很多人想象的放到一个设备里一读就出来了，大家且用且珍惜。

最后简单说明下哪些情况一般需要读取芯片恢复数据：插入电脑完全不认无法识别、有反应但磁盘管理里不显示容量或容量为0字节、提示请将磁盘插入驱动器、无法识别的USB设备等，出现以上故障大多都是硬件或固件出问题了，同时提示格式化如果是硬件问题导致的，也是要打磨读取芯片恢复数据。

NAND和NOR Flash 完全学习笔记（基础篇）

本文要点：1. NAND FLASH与NOR FLASH 的技术对比；2. 最详细的存储单元对比详解；3. NAND FLASH与NOR FLASH 的最新市场份额及应用；4. NAND FLASH与NOR FLASH 的基础原理分析。

目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。首先，来一个直观的图片。

然后，我从权威的网站上找到了最新的NAND FLASH收益以及市场份额表，根据最新的表单，我们可以知道谁是这个市场的老大，做的比较好一些，一方面让工程师时刻知道市场的动向，另一方面可以在之后的器件选型等方面提供重要的参考。

一般来说，快闪记忆体可分为两大规格，一个是NAND, 一个是NOR。简单来说，NAND一般以存储数据为主，晶片容量大，容量可以达到2Gb甚至更大，NAND的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价；NOR一般以存储程序代码为主，又称为Code Flash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量512Mb，NOR采用内存的随机读取技术。如果利用闪存只是用来存储少量的代码，这是NOR Flash更合适一些。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此很多使用NAND Flash的Demo Board除了使用NAND Flash以外，还加上一块小的NOR Flash来运行启动代码。通过下表我比较了几乎所有关于NAND FLASH以及NOR FLASH的全部重要特性。

然后，对于Flash三个重要概念的理解：

1. Flash属于非易失性存储设备，内部存储单元是MOSFET，里面有一个悬浮门(Floating Gate), 是存储数据的单元。与此对应的，易失性存储设备就是断电后，数据就丢失了，例如常用的内存，不论是之前的SDRAM，还是现在通用的DDR3以及DDR4，都是断电后，数据就没有了。

2. SLC和MLC的区别：NAND FLASH的内存单元可以分为两类，存储一位数据，也就是SLC(Single Level Cell); 对应的，存储多位数据的就是MLC(Multi Level Cell)，比如两位，或者四位。

3. 大多数的写入操作需要先进行擦除操作。

到此，对于NAND FLASH以及NOR FLASH 我们有了一个基本的认识。我对知识的学习一个重要的方法是对比，通过图表的对比更能看出各自的差异化，从而达到加深知识的效果，因此我做了下图来比较目前还算所有存储器的最小单元结构图，便于学习与理解。

原理分析 要说明此原理，需要一些基本的量子物理学，我认为以下这种论述是比较适合理解的，也很有趣：经典物理学认为，物体越过势垒，有一定的阈值能量；所以，粒子能量小于此阈值能量的不能越过，能量大于此阈值能量的可以越过。举例来说，我们骑自行车过坡道，如果先用力骑，因此有一定初入能量，坡道不高的话，即使不蹬自行车也可以依靠惯性过去；但是，如果坡道很高，不蹬自行车，可能车到了一半，可能就退回来了。而量子力学则认为，即便是粒子能量小于阈值能量，同时很多粒子冲向势垒，虽然也有一部分粒子会反弹，但是还会有一些粒子可以越过去，好像有一个隧道，因此称为量子隧道。

对比二者的差异发现，宏观上的确定性在微观上常常就具有不确定性。因为隧穿几率极小，因此通常情况下，隧道效应并不影响经典的宏观效应，但是某些特殊条件下也会出现。当微电子器件进一步微型化是必须要考虑量子效应。NAND FLASH的擦写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）；另外，NOR FLASH擦除数据也是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。对于FLASH闪存单元来说，它是为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力。举个栗子，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，除非你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。

绝缘浮置栅极是NAND存储数据的核心

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