32Gb、400MBs带宽！江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash闪存发布

快科技2月2日消息，日前，继自研SLC NAND Flash系列产品规模化量产后，江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式发布。

该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s， 将有望应用于eMMC、SSD等产品上。

江波龙表示，近年来在存储芯片自主研发投入了大量的精力和资源，公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。

据介绍，该团队不仅精通闪存芯片设计技术，还对于流片工艺制程、产品生产过程有深入了解，对4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富经验。

在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合自主开发的测试平台，实现高效生产测试。

目前，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力， 并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。

值得一提的是，江波龙除了在NAND Flash芯片领域持续发力，还在DRAM芯片方面进行深入研究。

据江波龙介绍，2023年就已推出复合式存储nMCP，将自研SLC NAND Flash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装，实现高频低耗、宽温运行的优异特性，可充分满足5G网络模块存储需求。

江波龙表示，未来将继续大力投入存储芯片的自主研发，深入挖掘NAND Flash、DRAM存储芯片的应用潜力。

江波龙：公司MLC NAND Flash样品处于测试阶段，尚未产生规模化销售收入

金融界2月19日消息，有投资者在互动平台向江波龙提问：董秘，您好，请问32Gb2DMLCNANDFlash什么时候可以量产出货呢？预计市场份额如何？是否已有友商提前下订单了呢？

公司回答表示：公司MLC NAND Flash样品目前处于测试过程中，距离量产还需一段时间，相关在先宣传资料等，均已明确提示尚未产生规模化销售收入，请您留意投资风险。

本文源自金融界AI电报

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