拆机证实，国行苹果 iPhone 14Pro 系列均采用长江存储 NAND闪存

IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，苹果召开新品发布会，正式发布了 iPhone 14 系列手机，起价 5999 元。

在此之前，韩媒消息称中国厂商长江存储已经进入苹果供应链，将供货 iPhone 14 系列 NAND 闪存。后续苹果也承认正考虑从长江存储采购 NAND 芯片，但仅会用于在中国销售的部分 iPhone。

在 iPhone 14 系列之前，苹果高度依赖三星电子、SK 海力士等韩国存储芯片厂商。因此，市场观察人士认为，苹果与长江存储合作，将使他们 NAND 闪存的供应商进一步多元化，同时也有利于降低这一重要零部件的价格。

随着苹果 iPhone 14 和 iPhone 14 Pro 系列解禁并开售，大部分首批订单已经交付到了客户手中，甚至现在已有博主放出了 iPhone 14 Pro Max 的拆解视频。

有多位拆机博主证实，苹果 iPhone 14、iPhone 14 Pro 系列的国行机型均采用了长江存储提供的 NAND 闪存。

IT之家了解到，苹果 iPhone 14 / Pro 系列的官方保外维修价已经出炉，由于可单独拆卸，iPhone 14 系列的玻璃背板维修价比 iPhone 14 Pro 系列要便宜得多。

iPhone 14 标准版：1298 元

iPhone 14 Plus：1548 元

iPhone 14 Pro：3598 元

iPhone 14 Pro Max：3998 元

拓展阅读：

《苹果：正评估从长江存储采购 NAND 芯片，用于在中国销售的部分 iPhone》

《明日正式发售，苹果 iPhone 14 Pro Max 拆解视频已出炉》

《苹果 iPhone 14/14 Plus 可拆卸玻璃背板回归，维修价比 Pro 版便宜 2000 多》

性能高于三星、美光！国外逆向机构芯片级拆解长江存储128层Nand

近期，国外著名逆向分析机构techinisights 对阿斯加特(Asgard) PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD进行了拆解，并对Nand存储芯片进行了芯片级拆解分析及显微拍照。

阿斯加特(Asgard)的SSD采用了紫光的3DNAND颗粒。根据不同的SSD产品，YMTC 128L 3D NAND闪存器件的封装标记是不同的，例如，YMN09TC1B1HC6C（日期代码：2021 9W）或POWEV PYT02TV4IA1-X4PWA（日期代码：2021 31W）。

图1 显示封装标记

图2 显示NAND芯片标记（CDT1B）

图3显示YMTC 512 Gb 128L Xtacking 2.0 3D TLC NAND芯片的CMOS芯片标记（CDT1A或CDT1B）。

作为参考，YMTC 64L Xtacking 1.0 TLC 芯片对于 NAND 芯片 (Y01-08 BCT1B) 和 CMOS 外围芯片 (Y01A08 BCT1B) 的芯片标记略有不同。

YMTC 128L Xtacking 裸片

三星176L V-NAND和SK海力士176L 4D PUC NAND SSD尚未在商用市场上出现，这似乎很有意义。YMTC 512Gb 128L Xtacking 2.0 TLC 芯片尺寸为 60.42 平方毫米。位密度增加到 8.48 Gb/平方毫米，比 Xtacking 1.0 芯片 (256Gb) 高 92%。由于长江存储Xtacking混合键合技术使用两片晶圆来集成3D NAND器件，因此我们可以找到两个die，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。

图 4. YMTC 128L Xtacking 2.0 NAND Die 平面图

图 5. YMTC 128L Xtacking 2.0 Peripheral CMOS Die Floorplan

图4 显示了长江存储128L Xtacking 2.0芯片的NAND芯片布局图，图5显示了CMOS外围芯片布局图。Xtacking 架构旨在让长江存储在最大化其内存阵列密度的同时获得超快 I/O，例如 SSD 的读取速度为 7500 MB/s，写入速度为 5500 MB/s。该芯片采用四平面设计，所有 CMOS 外围电路（例如页面缓冲器、列解码器、电荷泵、全局数据路径和电压发生器/选择器）都放置在 3D NAND 单元阵列芯片下方的逻辑芯片上。

YMTC 128L Xtacking 2.0 规格和单元结构

YMTC 128L Xtacking 2.0单元结构由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，与KIOXIA 112L BiCS 3D NAND结构的工艺相同。单元尺寸、CSL间距和9孔VC布局与以前的64L Xtacking 1.0单元保持相同的设计和尺寸（水平/垂直WL和BL间距）。门的总数为141（141T），包括选择器和用于TLC操作的虚拟WLs。

图6显示了YMTC三维NAND单元在WL方向的结构，以及32L（T-CAT，39T）、64L（Xtacking 1.0，73T）和128L（Xtacking 2.0，141T）的总门数注释。

上层有72个tungsten gates，而下层由69个门组成。包括BEOL Al、NAND裸片和外围逻辑芯片在内的金属层总数为10，这意味着与64L Xtacking 1.0工艺集成相比，外围逻辑芯片中增加了两个铜金属层。通道VC孔的高度增加了一倍，为8.49微米。

Techinsghts 认为长江存储的128层工艺在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准。

与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK hynix（4D PUC）的现有128L 512Gb 3D TLC NAND产品相比，裸片尺寸更小，这使得它的比特密度最高。四板芯片平面图和两层阵列结构与美光和SK hynix相同，但每串选择器和虚拟WL的数量为13个，比美光和SK hynix 小（两者均为147T）。由于采用Xtacking混合键合方法，使用的金属层数远高于其他产品表2显示了128L 512Gb 3D TLC NAND产品的比较，包括刚刚发布的YMTC 128L Xtacking 2.0 3D NAND。

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