3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。

根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。

此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向结晶（MILC）技术提高通道的结晶质量，再利用尖端的镍铸方法来消除硅材料中的杂质和缺陷。

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Nandgame攻略 选修部分(Optional Levels)

一、晶体管 Transistor level

1、CMOS组建与非门 Nand(CMOS)

提供两种方法

2、反转(非门) Invert (CMOS)

3、或非门 Nor(CMOS)

二、逻辑电路 Logic

1、异或非 Xnor

2、左移 Left Shift

最高位是0的情况下，相当于X2

3、逻辑右移 Logical Right Shift

无符号数÷2，向下取整

4、算数右移 Arithmetic Right Shift

有符号数÷2，向下取整。

5、桶形左移 Barrel Shift Left

三、算术 Arithmetics

1、最大值 Max

2、乘法 Multiplication

用的方法比较笨，应该有更高效的算法。46个组件，3184个与非门。

四、浮点 Floating point

1、解包浮点数 Unpack floating-point value

2、浮点数乘法 Floating-point multiplication

3、溢出正常化 Normalize overflow

4、验证指数 Verify exponent

第一次，9组122门

优化对高位的判断，105门。不确定是不是还有更优方案

5、对齐有效位 Align significands

使用两个sub，根据其中一个是否为负选择使用哪个sub值。1491门

其中一个sub替换为算数取反。1347门

各算各的位移数量，也是1491门，巧合？

把最大值干掉，共用判负部分，1042门

6、增加符号位 Add signed magnitude

使用补码的算法。823门

7、Normalize underflow

自定义了一个前导0统计器，输入最高12位(为了省元件)，输出4位二进制，代表前导0的个数

由于前面已经实现的桶型左移元件没了，就自定义了一个。最后694门，只用11位的话可以再少2个

8、打包浮点数 Pack floating-point value

9、浮点数乘法 Floating-point multiplication

10、浮点数加减 Floating-point addition

五、多任务 Multitasking

1、触发器 Timer Trigger

2、模式控制 Mode controller

3、Register with backup

下图这种模式会把上图的“—”置0

在最底层循环连接左输出和右输出，“—”的数值会保持。

下面这种去除了对“—”的控制，但输入为100?和110?的时候左右输出均为X

经过半天的思考，完美解决，并且屏蔽了无效组合（无效输入位视为0）

4、程序计数器 Program Counter

按要求去设计，但是没明白实际使用中的运行逻辑

5、寄存器组 Register Bank

6、通用存储器 General-purpose Memory

把只读和写/读单独定义成组件会更清晰，上面的1号寄存器不太对，看下面的选择器

4选1只读

4选1读写

组合之后

7、虚拟内存 Virtual Memory

先用基本元件定义一个6进3出选择器

组建18位输出后，其他电路为写入控制。千字节300800门。(因判定机制不完善，这一关不保证对)

左边没有提供1位选择器，如果有的话可以简化

7、控制单元 Control Unit

8、处理器 Processor

迷迷糊糊的拼好了，有点复杂，主要是不知道谁连谁

至此，历时半个月，终于完成了所有关卡。打卡留念一下。

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