东芯股份前三季度营收371亿元,存储产品周期反转将近
集微网消息,10月28日,东芯半导体股份有限公司(简称,东芯股份,证券代码688110)发布2023年第三季度业绩报告。2023年前三季度,东芯股份实现营业总收入为 3.71亿元;研发投入合计1.27亿元,比上年同期增长51.06% 。
存储周期底部渐显,23Q4有望触底回升
存储芯片产业自2021年以来进入到长达近两年的下行周期,而在近期存储大厂美光CEO在Q3业绩说明会表示,“我们相信,存储行业已经度过了收入低谷,随着供需平衡的恢复,预估利润率将有所改善”。无独有偶,三星电子随后在业绩会上也声明:“随着全球经济复苏的迹象延续,预计下半年智能手机市场的销售数量和价值都将有所增加”,虽然半导体行业整体仍处于周期低谷,但大厂的乐观预期激发了投资者对存储行业将在下半年走出低谷的希望。
从需求端来看,库存去化顺利,新品备货积极。 9月以来,消费电子市场迎来了传统旺季,各大终端厂商相继推出新品,华为Mate60系列手机、MatePad Pro平板、苹果iPhone15系列新机对下游换机需求产生了积极拉动作用。并叠加当前各下游市场库存去化顺利,汽车与工业需求较为稳健,AI服务器需求强劲,从而提振了终端厂商的备货积极性。
供给端方面,大厂齐心减产,意欲终结价格颓势。 存储芯片龙头厂商三星、海力士、美光、铠侠相继宣布了减少产出及调整资本开支计划,供给端产出逐步收缩,如果23Q4下游需求逐步恢复,供需关系不断改善,存储器价格23Q4有望继续反弹。国际存储大厂美光Q3业绩说明会表示预计23年DRAM与NAND供给均下降,24年供给增速将低于需求增速。
价格方面:DRAM与NAND量价水平仍有较大恢复空间。 Trend Force集邦咨询研究显示,DRAM(内存)与NAND Flash(闪存)均价开始全面上涨,以DRAM来看,预估第四季度合约价季涨幅约3%~8%;NAND Flash第四季度合约价全面起涨,涨幅约8%~13%。此外,有机构分析认为,24年DRAM与NAND需求将分别回归15%与20%的长期增速水平。
总结来看,随着主要存储制造商的持续减产,终端市场库存去化顺利,存储原厂产品拉涨的决心强烈,因此预估从Q4起存储芯片市场或将迎来供不应求的局面,作为半导体产业应用面最广、标准化程度最高的产品,有望推动半导体产业复苏,开始新一轮增长周期。
东芯股份存储产品多元,稳步高端化迭代
芯片先进制程从推出到大规模商用存在一定过渡期,东芯股份较为完善的制程布局帮助公司享受各个周期的产业红利,公司核心技术来源均为自主研发,是国内少有的可以同时提供NAND、NOR闪存及DRAM内存的存储芯片企业。经过多年的技术积累和研发投入,公司在NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术,主要产品核心技术情况如下:
公司SLC NAND Flash芯片制程(公司当前主力产品)涵盖38/2xnm,存储容量覆盖1Gb至32Gb,可以灵活选择SPI或PPI类型接口,在产品性能和可靠性方面存在优势,是市场的主流存储芯片,主要应用于5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块,量产产品以38nm、2xnm制程为主。当前国际存储龙头三星电子、美光等公司已将SLC NAND制程推进至20nm以内,而东芯的1xnm NAND芯片已经于2022年中旬完成首轮晶圆流片,该制程芯片未来将广泛应用于5G通信、安防监控、消费类电子和工业自动化控制等领域。
公司的SPI NOR Flash芯片制程涵盖65nm至48nm,存储容量覆盖64Mb至1Gb。公司在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发。
公司的DRAM可实现25nm工艺节点的量产,公司研发的DDR3产品具备高宽带、低延时的特点,已经在通讯设备、移动终端等领域成熟应用;自研的LPDDR产品也已经广泛应用于智能终端、可穿戴设备领域;LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证。
值得一提的是,当前海外大厂正逐步退出SLC NAND和NOR Flash部分市场,具有较大扩展空间。 小容量的NOR面对的SIP市场有限,多集中在蓝牙、MCU、SoC、嵌入式产品等,公司也正在持续开发中高容量NOR产品,而供应商美光和赛普拉斯正继续退出这部分市场;国产SLC NAND市场份额一定程度上取决于国内代工厂产能的扩大,相对海外大厂来看,国内总体代工产能较小。因此,这两部分市场仍然具备较大的市场空间。
人工智能的发展,是存储行业新的需求驱动力
周期性是半导体行业的常态,存储芯片行业作为强周期的行业,行业低谷不会长期持续。而相对于周期反转之外,增量需求逻辑更令市场振奋,随着大数据时代的向前推进,元宇宙、自动驾驶、人工智能等数据密集型应用技术不断涌现,势必将引发数据存储的浪潮。根据WSTS发布的数据,2024年存储市场规模预计为1203.26亿美元,较2023年上涨43.18%。
火热的AI赛道催生了大算力需求,这等同驱动了数据量的激增。美光高管曾喊出过“人工智能就等于内存”的口号,而据IDC统计,2022年NAND需求量约6千亿GB,到2027年将达到17.6千亿GB,年复合增速20.1%。因此,从趋势上来看,AI大模型对存储的需求会增长,而针对AI的存储需求将是覆盖从云端到边缘端等环节,这些都是未来存储厂商的市场机会。
东芯股份立足中国、面向全球,深耕全球最大的存储芯片应用市场,凭借自主清晰的知识产权、成熟完善的研发体系及持续创新的研发设计能力,将迎接存储市场新的需求爆发。
南亚科技20nm DRAM技术被窃取
南亚科技公司锦兴厂李姓员工想跳槽某公司,偷偷记录20nm DRAM晶圆制程,但等他飞到西安某厂商面试却因不熟悉核心关键技术,未获录取。
南亚科发现机密数据泄露,查出是内部员工窃取。
该员工2006年6月至2017年2月9日间任职,2016和2017年间担任锦兴厂的小组长。
南亚科2015和2016年间自美光公司引进20nm DRAM晶圆制程技术,项目经理曾针对相关业务部门员工开设在线训练课程,这位员工以截图的方式保存信息。
2016年11月,员工表示想离职,随后到某半导体公司新竹办事处面试。
为了获得机密,把20nm DRAM晶圆制程介绍资料档案打印下来熟记,最后经过猎头公司牵线,准备去中国工作,2017年1月17日飞至西安应聘工作。
这位员工否认违法机密法,说档案数据不是营业机密,为了学习而保存,没有另外使用的想法。
法院审理时,曾询问项目经理,20nm制程技术是制造DRAM最新技术吗?
答称当时是最新技术、这份文件是属于先进制程的文件、上课的内容有一半以上是美光技术转移文件所转植过来,所以有另外一份文件是由美光过来的文件,我们只是把该文件做成PPT 而已,法院认定这些资料具秘密性及经济价值。
一审认为这位员工为了跳槽而保存具有重大经济价值、攸关企业存续与否的先进制程技术秘密,依营业秘密法判他1年10月徒刑。
这位员工和检察院都上诉,检察官指非法保存本案投文件的经济价值高达数十亿元新台币,员工为了薪水将使南亚科蒙受巨额损失,请求重判。
不过双方上诉都被驳回。
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