1000TB！Intel全新SSD揭秘：与你无缘

Intel近日宣布了一种代号“Ruler”的全新形态SSD，专为服务器、数据中心打造，号称可以在1U空间内提供1PB(1000TB)的惊人容量。

这种新的SSD形态其实也并不是Intel自己发明的，而是联合行业多家企业组织，共同制定的所谓“Enterprise & Datacenter Storage Form Factor”，简称EDSFF，也就是企业和数据中心存储形态的意思，目前相关标准还在制定之中。

新接口的名字也未定，按照标准分配暂时叫做SFF-TA-1002 Gen-Z 。

戴尔、联想、HPE(惠普企业业务) 等都是标准工作组的成员，三星 推广者之一，西部数据 则是贡献者。

而且早在八个月前，Intel就向部分伙伴提供了Ruler SSD的样品，作为评估之用，并得到了很多反馈意见，也吸取了很多新功能。

EDSFF/Ruler SSD就长这样：

方正、狭长的一条，彻底摆脱了以往2.5/3.5寸硬盘、PCI-E扩展卡、M.2/U.2固态盘的样子，充分考虑服务器存储需求，比如支持热插拔、更多SMBus针脚支持NVMe管理、更多针脚用于独立掉电保护、+12V供电电路，最大功耗预计会超过50W。

Intel宣称，它可以为服务器带来最大可能的容量，以及最低可能的散热和供电需求。

新接口目前支持PCI-E 3.1 x4、x8系统通道，每个方向的理论最大带宽为3.94GB/s、7.68GB/s，后续还会支持x16，而且为PCI-E 4.0/5.0做好了准备，最终可以为SSD带来50-63GB/s的吞吐能力。

事实上，现在的原型就已经支持PCI-E 5.0 25-32GT/s的超高速度，只是还没有主控制器罢了。

Intel Ruler SSD的首批产品已经命名为DC P4500系列，基于其企业级的3D NAND闪存颗粒，单块硬盘可以做到8TB，1U服务器内可装入32块，总计256TB。

后续，Intel还会将3D XPoint Optane傲腾存储纳入其中。

至于新产品何时上市，Intel只是说就在近期。

兆易创新NOR闪存收入超越美光，你仍对国产存储抱有偏见吗？

不知道为什么，很多人看到“国产”二字，就会不自觉地将山寨、劣质、易坏等词联系到一起。事实上，近年来国产存储设备在严格质检、加大技术研发力度的基础上，已经可以给大家交出更完美的答卷了，尤其是一直以来备受压力的闪存领域也取得了可喜的成绩。

据CINNO Research公布的最新数据显示，2019年第二季度的NOR闪存市场上，我国内地的兆易创新(GigaDevice)取得7700万美元收入，环比猛增45.1％，是各家进步最快的，从而一举超越美国闪存巨头美光，从第五名来到了第四名，份额达到13.9％。前三分别是我国台湾华邦(Winbond)，第二是旺宏(Macronix)，第三则是美国Cypress(赛普拉斯) 。截至目前，兆易创新NOR闪存累计出货量已经超过100亿颗，产品线也极大丰富，物联网、可穿戴、消费类、工控、汽车电子、高性能等等领域都有突破。

不仅如此，就在9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品的亮相可以说是中国自研闪存历史上里程碑一样的存在。

长江存储算是国产闪存的标杆企业，一直致力于为全球客户提供完整的存储解决方案及服务，并计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

如今亮相的长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

另外，不仅仅是闪存方面有了重要突破，在国产主控领域，联芸科技作为国产SSD主控芯片重要代表，也于6月展示了其最新的MAP100X系列PCIe、NVMe 1.3接口的SSD控制芯片核心技术及解决方案，全面覆盖高、中、低PCIe接口SSD市场，可全面参与全球同规格SSD主控芯片竞争。

联芸科技MAP100X系列PCIe SSD控制芯片包括三款型号：

高端：MAP1001带DDR缓存，支持8CH X 4CE；

主流：MAP1003带DDR缓存，支持4CH X 4CE；

性价比：MAP1002不带DDR缓存，支持4CH X 4CE，支持 HMB方案。

该系列SSD控制芯片采用联芸科技自主研发的Agile ECC2纠错技术，支持硬件RAID功能，支持端到端数据保护，支持NAND颗粒自适配技术。支持AES256/SHA256以及SM2/SM3/SM4国密算法，支持先进的电源管理等。从主控的性能数据来看，已经赶上了国际主控大厂同级别产品的实力，而这一点，也充分证明了国产存储实力的大幅度提升。

在国产内存领域，8月27日，重庆市与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。

从DRAM存储芯片制造工厂，到DRAM事业群总部，再到紫光云（南方）总部等，紫光在重庆的重大布局，在推动智能产业“补链成群”，推动经济社会高质量发展上，具有十分重要的战略意义。

想必很多读者朋友对于近期内存硬盘涨价的风波都还记忆犹新，有人说缺货，有人说原材料供应有问题，说到底，这些都是国际大厂之间的跟风与竞争，恰恰给国产内存厂商带来了新的机会和挑战。如今紫光旗下的DDR4内存芯片研发已经不是瓶颈了，而紫光擅长的是大规模投资，其DRAM事业部未来无疑会像NAND闪存那样大手笔投资建厂，解决国内DDR4内存有研发无生产的现象。

如今，因为贸易摩擦的原因，国内很多科技产业正在经历至暗时刻，正因为现在如此艰难，才正是国产存储的修行时。目前，中国每年进口的集成电路超过3000亿美元，其中存储芯片占了大约1/3的份额，但DRAM内存及NAND闪存目前尚无国产厂商染指，国产率基本为0，其中高价值的内存几乎垄断在三星、SK Hynix及美光三家公司中。我们必须承认国产存储与国际大厂之间的差距，同时也应该积极迎接挑战，认清现实，毕竟国产智能设备对于闪存的需求会越来越大，如果不依赖国际大厂的话，换个角度来看，国产闪存发展的前景是相当宽广的。

看到国产存储市场如此积极的一面，不知道还有多少人质疑“国产”二字的分量呢？

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