三星重金在韩建六代V-NAND闪存生产线
当地时间6月1日,三星电子宣布,将扩大其在韩国平泽市(Pyeongtaek)NAND闪存芯片生产能力,该生产线距离韩国首都首尔有两个小时的车程。
据路透社报道,三星电子已经在上个月开始建设这条新的NAND闪存芯片生产线,并计划在2021年下半年大规模生产最先进的100层以上3D-NAND(第六代V-NAND)产品,月产能预计2万片。
三星日前规画在韩国平泽新建工厂。(图自:三星)
三星断定5G、在家办公将促进NAND Flash销售
从进入21世纪以来,三星就一直是存储芯片行业的领导者,近期三星又实现了新的技术突破,业内首次多达160层的 V-NAND 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时,芯片密度更高,制造难度也更高。
三星此举是押注未来对个人计算机和服务器的需求,因为新冠病毒促使更多人在家工作。他们还表示,此次的投资旨在应对人工智能、物联网等引领的第四次工业革命,而且5G的普及也将会对于NAND闪存有极大的需求量,尽管最近由于疫情其推迟了在欧洲和其他国家部署5G网络的步伐。
韩国贸易部周一公告显示,由于在家工作趋势和在线课程推动了对服务器和个人电脑的需求,韩国5月份的芯片出口较上年同期增长7.1%,与此同时,中国个人电脑制造商恢复了生产,也推高了芯片价格。
DB Financial Investment分析师Eo Kyu-jin表示:“数据服务器客户可能会继续投资以增强其基础架构,以满足客户增加的在线活动带来的需求。”
三星电子存储全球营销副总裁 Cheol Choi 表示:“这次投资,再次证明了我们在存储技术领域所拥有的无可争辩的领导地位。即使在不确定的时刻,我们依然会继续为市场提供最佳的内存及闪存解决方案,同时为整个 IT 行业和经济增长做出贡献。”
5nm产线之后的又一大手笔投资
三星方面没有透露具体投资金额。分析师预计,投资范围将在7万亿韩元(约合57亿美元)至8万亿韩元(约合65亿美元)之间。而据韩国时报(Korea Times)报导,将花费8.5万亿韩元(约合69亿美元)。
在上月,三星电子已经在平泽投10万亿韩元扩建生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的5nm及以下工艺,而随着新产线建设,预计到明年下半年三星将会开始量产5nm芯片,月产能看上1万片。
算起来,三星在韩国本土已经拥有7条芯片制造产线,其中仅在平泽工业园区中,就有世界上两条最庞大的闪存及内存芯片生产线。除了这条最新的V-NAND生产线,另一条扩产计划是P2厂生产1z/1a纳米及拥有EUV工艺的DRAM产线,月产预计能2-3万片,投资金额将达15万亿韩元。
三星存储芯片生产基地分布(数据自中国闪存市场)
此外,三星还将在中国西安工厂增设第二条生产线,用于投产100层以下3D NAND(第五代V-NAND),该生产线计划于明年上半年投产。
在去年4月份,三星曾经提出过“半导体愿景2030”,他们计划在2030年对于系统芯片的研发和生产技术领域投资133万亿韩元(约合人民币7658亿元)。
三星V-NAND量产时间线(图自:三星官网)
三星将在韩国新建NAND生产线,押注个人电脑及服务器需求
集微网消息(文/Jimmy),路透社报道,三星周一表示,已开始在国内建设一条新的NAND闪存芯片生产线,押注个人电脑和服务器需求增加。
三星计划在明年下半年,在其位于平泽市工厂新增的产线上大规模生产存储芯片。
三星表示,新增的产能将有助于满足对5G手机和其他设备的需求。分析师预计,三星此次投资额将在7万亿韩元至8万亿韩元之间。
韩国经济部周一发布的一份报告显示,韩国5月份芯片出口较上年同期增长7.1%,原因是在家办公的趋势和在线课程提振了对服务器和个人电脑的需求,而中国个人电脑制造商恢复了生产,也推高了芯片价格。
DB金融投资(DB Financial Investment)分析师Eo Kyu-jin表示:“数据服务器客户可能会继续投资于增强基础设施,以满足客户日益增加的在线活动所带来的需求。”(校对/ Jurnan )
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