长江存储再次在美国起诉美光

日前，据美国科技网站Tomshardware报道，中国存储芯片厂商长江存储再度在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND的各个方面。长江存储请求法院下令，要求美光停止在美国销售其闪存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的基本方面。

2022年底，美国商务部根据所谓的“证据”，以威胁其国家安全为由，将长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术。

这次起诉，并非长江存储在美国的第一次“反击”。2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

2023年11月,长江存储指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利X@lithos_graphein

另外，今年6月7日，长江存储在美国加州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及副总裁雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

此外，长江存储仍在努力利用国内技术和原有设备继续发展其3D NAND存储器。该公司的Xtacking3.0闪存已投入量产（其中一些设备甚至不违反美国制裁），具有高达2400 MT/s的接口。

今年早些时候，长江存储表示已成功将3D QLC NAND的耐用性大幅提高到3D TLC NAND的水平（达到4000次编程/擦除周期），这显著改善了廉价SSD的特性。

Patriot Memory的Viper PD573 SSDTomshardware

值得一提的是，媒体6月报道，美国的Patriot Memory正在准备一款高端新产品——Viper PD573 SSD ，基于中国联芸科技的控制器和长江存储的3D NAND闪存，其读取速度高达14GB/s，写入速度达到 12GB/s。这一合作进一步证明了长江存储在3D NAND闪存市场上的重要地位。

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美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

闪存峰会召开之际，美光也发布了该公司的第五代 3D NAND 闪存，可知其创下了 176 层的堆叠纪录。 作为与英特尔分手后开发的第二代产品，美光已将存储单元设计从浮栅改成了电荷陷阱方案。之所以在上一代的 3D NAND 中采用了 128 层的过渡节点，也是该公司希望借此搞定技术切换可能遇到的任何问题。

据悉，美光的 128 层 3D NAND 在市面上的占有率极地。因此在很大程度上，最新一代的 176 层 3D NAND 将直接取代 96 层的版本。

目前已知的是，美光首批 176 层 3D NAND 采用了将双 88 层融合到一起的设计（堆叠 512Gbit TLC 闪存）。至于更多细节，还请耐心等到本月下旬。

换用电荷陷阱存储单元的方案，似乎也极大地降低了每一层的厚度。目前的 176 层裸片仅为 45 μm，与美光的 64 层浮栅 3D NAND 相同。

16 管芯堆叠式封装的厚度不到 1.5 mm，适用于大多数移动 / 存储卡使用场景。此外与上一代美光 3D NAND 一样，芯片外围的大部分逻辑组件，也是通过阵列下 COMS（简称 CuA）工艺制造的。

结合两方面的优势，美光预估其 176 层 512Gbit 裸片的厚度，将较三星等竞争对手再精简 30% 左右。性能方面，其支持 1600 MT/s 的接口，高于 96 / 128 层 3D NAND 的 1200 MT/s 。

读写延迟方面，分别较 96 / 128 层 NAND 改善了 35% / 25% 以上。总体混合工作负载方面，176 层 3D NAND 也较 96 层 UFS 3.1 模组领先 15% 左右。

最后，美光现已开始 176 层 3D NAND 的量产，首批颗粒已在英睿达（Crucial）品牌的消费级 SSD产品中得到使用。

尽管美光尚未披露有哪些型号已在使用（大部分还是 128 层），但我们有望在明年迎来更多 3D NAND 存储芯片替换。

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