Intel QLC M2 SSD 660p评测：每GB仅13元，性能不错

昨天三星才刚宣布量产消费级QLC SSD，今天Intel就正式解禁了第一款QLC SSD 660p的评测。作为机械硬盘潜在替代产品的QLC SSD，Intel 660p容量直接就从512GB起步，按照100美元的建议零售价，折算成人民币才680元，每GB价格才1.3元，实在是便宜。那么性能如何，下面我们将通过节选tomshardware的评测来解答一切。

作为首款采用64层 QLC 3D NAND顆粒的消費级SSD产品，采用M.2 2280规格，PCIe 3.0 x4通道，设计容量都比较大，直接就是512GB起步，往上还有1TB、2TB。

全部搭载256MB DDR3内存，SLC缓存随着容量变大分别为：6、12、24GB，连续读写速度都是1800MB/s，随机读取、写入都是是220K IOPS。售价方面确实非常亲民，512GB卖100美元，1TB卖200美元，2TB版本尚未定价，折合每GB价格才1.3元，是目前最便宜的M.2 SSD，这就是QLC颗粒的最大优势，通过提升密度来降低成本。

至于大家关心的QLC寿命问题，根据Intel官方给出的是0.1DWPD，按照Intel自己的PE计算方式：0.1×365×5=182.5，再考虑写入放大的因子2~5，那么最终PE将会在365~912.5之间，也符合之前说QLC颗粒PE次数在1000左右的说法，200TB应该是Intel比较保守的数值。

图片及表格来自Anandtech

Intel 660p的包装盒之前一样，正反面都没有具体型号标识，这就很神奇了。

采用Silicon Motion SM2263主控，256MB NANYA DDR3L内存，两颗Intel的64层QLC 3D NAND顆粒。整个M.2 SSD采用单面设计，正面有两个NAND芯片空焊位置，加上了就可以组成2TB容量。

下面先来看看CrystalDiskMark中的成绩，Intel 660p 1TB表现不错，顺序读写性能符合Intel给出的数据，不过这当然比不过高端SSD速度，4K读写表现也非常不错。

而在50GB的大文件复制测试中，Intel 660p只比最强的三星970 Pro少38秒，表现比之前的Intel 600P好多了。

6GB文件读取速度就要慢得多了，比600P还要差。

在游戏加载时间测试上，Intel Optane SSD处于绝对领先地位，而其他的SSD几乎区分不出来，但要比HDD快30%以上。难怪很多人说换了高端SSD以后感觉快多少，毕竟游戏加载数据程度不密集，而且一个必看过场动画就能把时间全部扯平了。

关于功耗方面，在复制测试中，功耗表现优异，只有2.31W，远低于自家的600P、顶级三星970 Pro。

以上测试数据均来自tomshardware

最后tomshardware总结道，Intel 600P SSD是一款值得推荐实用的固态硬盘，毕竟价廉物美，每GB只要1.3元，虽然短时内取代HDD是不现实的，但依然是个不错的选择。其次传输速度达到指标，不及顶级SSD，但应付普通主流办公、上网应用绰绰有余的，由于智能动态SLC缓存功能的加入让SSD读写性能得到极大提高，同时正规渠道的Intel 600P SSD享有5年保修。

球状焊接芯片帮助东芝将SSD产品存储容量提升一倍

球状焊接芯片正式入驻固态驱动器产品线。

EverSpin的MRAM芯片BGA焊球细节

东芝公司已经发布了其体积更为小巧但容量更高的平板设备专用SSD，而其终极轻薄的效果源自TLC 3D NAND与BG1 SSD卡产品线的结合——存储容量亦借此实现倍增。

BG1 SSD最初诞生于2015年8月，为一款容量256 GB的NVMe M.2产品。此产品配备边缘连接器并可接入插槽当中。

这款芯片本身以焊接方式固定至M.2卡之上，且采用一套球栅阵列（简称BGA）。这种球形焊接直接深入表面之下，可用于将芯片连接器同母卡直接相连。

这种新的连接方式能够替代过去的针脚设计——而且与BGA相比，针脚固定方式存在着易弯曲变形及电感较高的等缺点。

东芝公司于2015年1月公布了其首款NVMe BG系列芯片，其采用19纳米东芝MLC（二层单元）闪存并提供128 GB与256 GB两种容量选项。另外，其还提供芯片内置控制器与NVMe驱动的PCIe 3.0接口。这套BGA封装方案被用于M.2 BG1 SSD，体积为16毫米x 20毫米，与最新BG产品保持一致。

根据我们得到的消息，其表面积较东芝的2.5英寸SATA存储设备降低了95%，相较于M.2 Type 22806封装亦缩小82%。

左侧为东芝BG1的小型边缘连接器卡。

而随着TLC（即三层单元）3D NAND与东芝BiCS技术的配合，BG芯片的容量将提升至512 GB。我们假定其采用48层BiCS。目前尚不清楚具体性能——包括IOPS或者传输带宽——或者使用寿命信息，不过可能已经有部分OEM合作方拿到了这部分数据。

新一代产品提供128 GB、256 GB与512 GB容量选项，且通过16毫米x 20毫米封装（M.2 Type 1620）或者可移动（插槽）M.2 Type 2230模块交付。

这款设备采用PCIe第三代x2接口，同时可实现NVMe标准主机内存缓冲（简称HMB）功能。其可分配并利用主机DRAM进行闪存管理，而不再依赖于内置DRAM。对主机内存中的数据进行查询能够显著降低常规数据的访问延迟。

MRAM芯片开始利用球状焊点网格实现对接

BG 3D NAND SSD将受众指向平板设备以及轻薄型与便携式二合一笔记本产品OEM厂商。

目前相关样品已经开始向PC OEM客户定量提供，预计批量供应将于2016年第四季度实现。参与本届8月8号到11号于加利福尼亚州圣克拉拉市召开的2016年闪存记忆体峰会的朋友将能够了解更多来自东芝方面的新消息。

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