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v-nand mlc 三星宣布量产第三代3D V-NAND闪存：采用MLC颗粒
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rram和nand 抓住发展机遇，抢先布局先进半导体存储技术
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nand操作和结构 长江存储再度出击，在美起诉美光侵犯其11项专利
2025年5月5日
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2025年5月5日
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