华邦全新QspiNAND Flash赋能NB-IoT

全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子，宣布推出拥有新功能的 QspiNAND Flash，是专为 Qualcomm® 9205 LTE 调制解调器而设计的。

华邦推出业界首创的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash，为新型行动网络 NB-IoT 模块的设计人员提供正确的储存容量。

“到了2020年，物联网的规模将成长到500亿个连网装置，未来几年 Quad SPI-NAND 的采用率可能会增加4到5倍，” WebFeet Research 总裁 Alan Niebel 说道，“华邦的 1.8V QspiNAND Flash 相当适合汽车及 IoT 产业使用。NB-IoT 已经蓄势待发，在全新的连网世界中茁壮成长，2023年之前出货量可望达到全球 6.85亿个装置”。

华邦电子美国分公司闪存事业群营销部总监 Syed S. Hussain 表示：“华邦一直致力于创新及产品差异化，我们很自豪Qualcomm 9205 LTE主控芯片采用了华邦设计的QspiNAND Flash KGD 解决方案。我们会持续与 Qualcomm密切合作开发内存组件，打造适合 IoT 应用的次世代 LTE 调制解调器解决方案”。

华邦立足于传统 QSPI-NOR Flash，并进军 QSPI-NAND Flash 领域，客户可根据自身需求，自由选择编码储存组件，以最低成本扩充规模。使用相同的 6 针脚信号及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量存储，并采用 104MHz 读取速度的全新Continuous Read 功能，效能毫不减损。

Qualcomm Europe Inc. 产品管理副总裁 Vieri Vanghi 表示：“Qualcomm已对华邦的 QspiNAND Flash 进行各种测试及验证，目前以堆栈 KGD 解决方案形式运用于 Qualcomm 9205 LTE 调制解调器，让 OEM 客户能打造出外型极为精巧的系统。我们很荣幸能与华邦维持长久的合作关系，期望双方能继续共同提供顶尖的 IoT 技术解决方案”。

W25N QspiNAND Flash 系列装置采用节省空间的 8 针脚封装，以往的 SLC NAND Flash 无法做到这一点。W25N512GW 为 512Mb 内存，数组分为 32,768 个可编程页面，每页面为 2,112 字节。W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式，可利用单一读取指令高效存取整个内存数组，是编码映像 (code shadowing) 应用的理想选择。

104MHz 的频率速度，可在使用快速读取 Dual/Quad I/O 指令时，达到相当于 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。芯片内建不良区块管理功能，让 NAND Flash 更容易管理。

为满足全球对大容量解决方案持续成长的需求，华邦 QspiNAND Flash 在台湾台中的 12 寸晶圆厂进行制造。华邦正在扩展产能，以确保支持汽车与 IoT 产业因全新业务带来的增长。

“SpiFlash 系列在加入 QspiNAND Flash 产品线后，有利于现有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 转换为 QspiNAND Flash，”华邦闪存技术总监 J.W. Park 说道，“华邦与客户工程团队合作开发的这款全新 512Mb QspiNAND Flash，在符合成本效益的设计原则下，可以提供同样优异的效能”。

1.8V QspiNAND Flash 特色如下：

低功率且涵盖不同使用场景的工作温度

– 1.75V ~ 1.95V 供电

– 工作电流 25mA、待机电流 10μA、深度省电 (Deep Power Down) 电流1μA

– -40°C 至 +85°C 工作温度 (工规级)

– -40°C 至 +105°C 工作温度 (工规进阶级与车规级)

独特的内存架构

– 启用 ECC 时的页面读取时间：60μs

– 页面写入时间：250μs (标准值)

– 区块抹除时间：2ms (标准值)

– 快速编程/抹除的效能

– 支持 OTP 内存区域

高效能高可靠性的 QspiNAND Flash

– QSPI 实作采用 46nm 制程技术

– 数据保存 10 年以上

– 支持最高每秒 52MB 的数据传输率

节省空间的封装

– WSON8 6x8mm

– WSON8 5x6mm

– TFBGA24 6x8mm

– KGD (良裸晶粒)

华邦电子推出业界最高速Serial NAND Flash

全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子近日发表了一款全新系列High Performance Serial NAND闪存。在Quad Serial Peripheral Interface(QSPI)下，传输速度可高达83MB/s。

运用Dual Chip的技术，更能将传输速度提升至166MB/s的境界。

因为读取速度比现有serial NAND产品快上四倍，再加上可存储容量高于SPI NOR，这款W25N01JW将可取代传统SPI NOR，为车用仪表板或中央显示器(CID)等车用电子应用提供高速且高容量、高性价比的编码存储解决方案。

对汽车原厂来说，在仪表板的信息显示日益绚丽，且中央显示器尺寸越来越大的情况下，对于内存的容量要求也是越显重要。在1Gb左右的容量层级中，serial NAND内存不管是在单位容量上亦或是在单位容量占用的电路板面积上，都比SPI NOR更有成本上的优势。

过去几年，在车用显示领域中，除了SPI NOR有着比较高速的读取能力，可以满足车用上快速开机启动的要求，还因为他的高可靠性，所以一直是被大家使用在车用领域中的内存。 但随着华邦电子将serial NAND的读取速度一举提升到83MB/s的状况下，已经能在开机启动速度上跟SPI NOR相互媲美。如此一来，华邦电子的W25N01JW系列产品将可满足车用仪表板快速启动和多样化图型显示的需求。

W25N01JW当然在质量和可靠性上也符合严格的车规标准。基于高可靠性的SLC内存制程技术，外加1-bit的ECC纠错能力，W25N01JW符合了AEC-Q100和JEDEC规范中，对于擦写能力、数据保存能力和质量上的要求。

W25N01JW能在 - 40°C 至 105°C下正常运作，并且在经过1000次的擦写后还能拥有在85°C下资料保存10年的能力。然而，相同条件下，运用在许多高阶车种中，大量数据存储提供大型中央显示器所使用的eMMC，仅能有极短的数据保存能力。

华邦电子产品企划处副处长陈苇霖表示，“当汽车配备着越来越大型，越来越吸睛，功能越来越多的仪表板和中央显示器，就会需要越来越大容量的闪存。对于车厂来说，如果容量需求在1Gb以上且需要高速度的闪存，华邦的High Performance Serial NAND Flash，无疑地就是最好的选择。它不仅具有小封装和单位容量上的成本优势，还有极佳的可靠度和资料保存能力。”

在软件上，它能兼容于标准的serial NAND指令协议。除此之外提供标准的WSON 8mm x 6mm和TFBGA两种封装形式， 所以在硬件上亦能兼容于标准SPI NOR。

目前，1Gb的W25N01JW和拥有166MB/s的dual quad I/O的2Gb产品都已经进入送样阶段。

产品联络人

黄信伟

闪存产品企划经理

TEL: 886-3-5678168 #75310

E-mail: HWHUANG5@winbond.com

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