NAND用于什么领域兆易创新首款DRAM芯片量产，切入主流存储器市场-报价-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

NAND用于什么领域兆易创新首款DRAM芯片量产，切入主流存储器市场

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

兆易创新首款DRAM芯片量产，切入主流存储器市场

记者 | 彭新

编辑 |

6月3日，国产存储器厂商兆易创新宣布首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列已正式量产，实现了从设计、流片到封测、验证流程的国产化。

兆易创新的首款DRAM芯片为一个4Gb DDR4产品系列，读写速率为2666Mbps，最高可达2933Mbps，符合JEDEC固态技术协会标准，新产品将面向机顶盒、电视、监控、平板电脑、车载影音系统等领域。兆易创新副总裁、DRAM事业部总经理胡洪称，未来将推出包括DDR3、DDR4等接口的不同容量的系列DRAM产品。

目前来看，兆易创新已成为国内第二家在DRAM内存芯片领域实现全流程国产化的厂商，具备自主研发并制造DRAM的能力。

DRAM即动态随机存储器，为两种主要存储器之一，用于缓存。近年来，中国芯片企业在DRAM和NAND领域寻求突破，包括长鑫存储、兆易创新、长江存储等公司向存储器投入资源，其中兆易创新和其参与筹建的长鑫存储是国内DRAM领域的主要试水者。

兆易创新现有产品主要分为存储器产品（NOR Flash、NAND Flash和DRAM）、微控制器产品（MCU）以及传感器产品。用于手机、平板电脑等手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端，以及工业、汽车、通信设备等。据财报，2020年兆易创新收入为44.97亿元，同比增长40%，其中超过七成收入来自存储芯片。

兆易创新进军DRAM已有前期铺垫，2020年6月，兆易创新完成DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金之非公开发行股票事项，共募集资金43.24亿元，着手研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

实际上，本次兆易创新实现量产DRAM芯片，就是由长鑫存储代工。此前，兆易创新已经从长鑫存储采购产品。根据兆易创新于2020年11月发布的公告，过去12个月内，公司从长鑫存储采购DRAM产品约1.80亿元，双方产品联合开发平台合作约1966万元。

2020年5月，搭载长鑫DDR4颗粒的内存条正式上市，标志中国首款自主研发的DRAM芯片终于投入市场。随后长鑫存储的DDR4颗粒就在产能爬坡阶段，兆易创新也同时销售合肥长鑫的DRAM产品。

此前，兆易创新副总经理、董事会秘书李红在2020年业绩会上表示，今年开始贡献营收。对于DRAM研发的进展，李红表示，2021年上半年推出首颗19nm的DDR4产品，17nm的DDR3计划会晚一些推出，后续仍然按照既定规划投入新产品研发，持续推出新产品。

作为数据载体，存储芯片是半导体中市场规模排名居首的子赛道，占比接近1/3。2021年1月，IC Insights发布了2021年版的《麦克林报告》（The McClean Report），对今年半导体行业细分产品的销售增长率预测做了排名预测，排名居首的就是存储芯片。DRAM和NAND将成为2021年增长居前的两个产品，预计销售额分别增长18%和17%。

但内存芯片市场一直被三星、海力士、美光三家海外芯片原厂把控，根据市调机构 Omdia的数据，三星是2020年DRAM市场的最大制造商，市占率为41.7％。SK海力士（29.4％）和美光（23.5％）紧随其后。

串行NAND在汽车电子领域的应用

NOR Flash多年来一直作为汽车的一种可靠技术，如今已应用于各种汽车系统，包括仪表集群、信息娱乐和远程信息系统。

在这些应用程序中，这种非易失性内存为应用程序代码提供了存储容量，提供了可靠的操作和足够快的读取速度来支持实时执行(Execute-in-Place, XiP)，即主机处理器直接从Flash运行代码，绕过外部DRAM。

NOR Flash在ADAS概念的新兴实现中也扮演着重要角色，ADAS概念在现有的汽车中已经实现了半自治的高速公路驾驶功能，如自适应巡航控制和车道保持。自动驾驶技术的发展速度非常快，因此在未来几年里，越来越多的汽车程序将由包含Flash的电子系统控制。

在ADAS，以及仪表集群和其他地方，Flash是安全关键系统中的一个组件:这样一个系统的任何不受控制的故障都有可能使车辆变得不安全或无法控制。为管理及减低系统未能按指定操作的风险，汽车业界已实施ISO26262功能安全标准，其中包括:

在设计阶段强制要求对系统设计功能失效的方式进行严格分析

为整个系统指定非常低的最大故障率

要求系统可靠、快速地检测功能故障

要求系统采用可靠的方法安全生存，并从任何可预见的功能故障中恢复

因此，汽车系统原始设备制造商开始要求开发一种新的Flash集成电路，这种电路能够比前几代设备更好地支持系统级的功能安全设计要求。本文研究了传统的Flash集成电路的工作模式，并说明了新汽车串行Flash产品如果要完全支持系统设计者遵守ISO26262标准的努力，将需要提供的特征。

这些功能性的安全特性很可能在串行或闪存(目前在嵌入式系统中用于引导代码存储的闪存类型)和单级Cell (SLC) NAND闪存中都可以看到。实际上，对于不需要很高的程序/擦除周期，也不需要实现XiP的应用程序中的代码存储，串行NAND是NOR Flash的有效替代方案。华邦电子（华邦电子）的SLC NAND技术采用46nm工艺制造，该工艺已被证明是高质量，在功能性安全应用方面优于采用新的、更小的几何形状制造的系列NAND产品。它还提供的数据保留期可与55-65nm或闪存相媲美。

串行NAND的优势在于其固有的低成本——一个NAND闪存单元比NOR闪存单元小四倍。与NOR Flash相比，NAND Flash的写入时间要短得多，因此在执行无线(OTA)软件更新的系统中，它是一项有价值的技术。由华邦电子提供的车载纠错码(ECC)引擎和支持跨页面和块边界的高速连续/顺序读取能力，串行NAND现在正被汽车功能安全应用程序的设计者纳入考虑范围。

诊断数据的重要性

需要说明的是，NOR闪存技术非常可靠，而且设备的运行寿命是可预测的。而Flash集成电路没有在该领域证明自己的品质，汽车原始设备制造商对这项技术的偏爱是基于其在当今道路上数百万辆汽车上的使用经验。ISO 26262标准规定了四个“ASIL”等级(汽车安全完整性等级)的可靠性和其他参数。最严格的等级ASIL-D适用于最安全关键的系统，如转向系统或刹车系统，它将系统级的最大故障率设置为<10 FIT(在时间上的故障)，即每十亿个设备小时的故障率。

单点和潜在故障的最低检出率，以及ISO 26262标准规定的最大故障率

尽管如此，汽车制造商为遵循ISO 26262的合规性，要求找到一种方法来识别NOR闪存IC理论上仍然可能发生的任何故障。在传统设备中，用户无法获得维持数据完整性和数据保留的功能。这种封闭操作与功能安全原则相冲突，功能安全原则要求主机系统监视部件的故障，或监视表明可能发生故障的不正常行为，并执行旨在保持正常功能的应对措施。

这意味着NOR Flash IC在ISO 26262兼容系统中使用时，必须向主机控制器提供诊断数据，并提供主机修改IC操作的方法，以应对数据显示的更高的故障风险。

NOR Flash IC的两个主要特性提供了这些数据:

ECC引擎，它通过检测和纠正读操作中的位错误来维护数据的完整性

允许对ECC引擎的运行进行定期测试的用户模式

ECC数据如何支持功能性安全操作

在传统的NOR Flash IC中，ECC引擎在后台运行，以多字节粒度检测和纠正位错误，不通知主机控制器。然而，事实上，这些ECC[1]数据可以以各种方式促进功能性安全合规。ECC引擎能够纠正单位错误(当主数据位和奇偶校验位之间只有单位差异时);检测(但不纠正)双位错误。

通过向主机控制器提供状态寄存器，NOR闪存设备可以指示最近的读操作是否有三种可能的结果之一:

1.良好的数据，不需要纠错

2.修正错误后的良好数据

3.无法纠正的错误数据

这些“事后”信息可用于帮助维护长期的数据完整性。但ISO 26262要求汽车系统在出现故障时进行检测，并立即采取相应措施。来自华邦电子的新型自动NOR Flash IC，可通过专用错误引脚提供实时错误信息。此引脚可以被断言，以指示无法纠正的数据的确切位置。用户还可以选择错误pin是表示纠正的单比特错误，还是表示检测到的不可纠正的双比特错误。

然后，主机可以使用来自状态寄存器、错误pin或两者的信息来构建错误寄存器——实际上是NOR Flash阵列的“映射”，记录位错误的位置。然后，主机可以设置一个阈值，以便当某个位置(例如某个特定块)发生的错误数量超过这个阈值时，该位置就从内存中“退休”了。

识别潜在故障的方法

到目前为止，上述所描述的措施是关于单点故障处理，ISO 26262标准为每个ASIL等级指定了最低检出率。但该标准还要求汽车系统检测“潜在故障”。潜在故障本身并没有违反功能安全要求，但是它可以与第二个故障一起违反这些要求。

在NOR Flash IC中，存在潜在的潜在故障- ECC引擎故障就是一个例子。正常运行时，NOR Flash技术可靠性高，很少需要纠错。因此，只要ECC引擎故障不会导致它错误地纠正好位，故障通常不会引起注意。但是，当由于ECC引擎故障(一个潜在的故障)导致单个坏位未得到纠正时，这两个故障的组合将对功能安全构成风险。

为了检测潜在的ECC引擎故障，华邦电子的automotive NOR Flash IC提供了特殊用户模式和ECC编码器读取命令:这使用户能够将主数据模式注入到内存中，并从ECC引擎中读取主数据和它生成的奇偶校验数据。如果奇偶校验数据不正确，可以将ECC引擎标记为错误。

同样，用户模式可用于检查ECC解码操作:在用户模式下，用户将主数据和奇偶校验数据加载到ECC引擎中，并使用特殊的ECC解码器Read命令将主数据读回。在主数据和奇偶校验数据中可能会引入单位和双位错误，检查ECC引擎是否正确执行单位错误校正和双位错误检测。华邦电子的建议是，每次系统启动时都应该执行ECC引擎检查。

新的安全功能可用于生产部件

为了满足ADAS产品和其他汽车系统制造商的需求，华邦电子现在正在将上述功能安全特性集成到一个新汽车NOR Flash系列产品中。Quad 3V系列具有最大80MB/s的数据传输速率，可用于256mbit和512mbit密度的采样。1Gbit 3V部件(两个堆叠的512Mbit模具)将在2020年下半年面世。

华邦电子还将在2020年提供高密度(512Mbit和1Gbit) 1.8V的NOR闪存设备，部分设备将有四进制或八进制接口。

串行NAND具有快速的OTA更新写入时间

华邦电子还提供了一系列具有功能性安全特性的NAND产品:3V和1.8V产品均可用于512Mbits和1Gbit采样密度，以及由两个堆叠的1Gbit模具组成的2Gbit部件。华邦电子的第一代串行NAND系列提供的最大吞吐率为40MB/s(在1.8V部件中)，在3V部件中为52MB/s。第二代NAND系列产品W25N01JW/W25N02JW产品在1.8V部分提供了更高的80MB/s吞吐量。这是在Quad DTR(数据传输速率)模式下实现的，并且是连续的数据输出，在页面和块边界上没有间隙。华邦电子最近还推出了W35N01JW，这是一款1Gbit的1.8V八进制NAND闪存设备，读取速度为240MB/s，比W25N01JW快三倍。

华邦电子系列NAND产品，如1Gbit 3V W25N01GV，通过向状态寄存器提供信息来支持功能性安全合规性，该状态寄存器显示在有无ECC的情况下读出的数据是否正确或者是否不可纠正。串行NAND页面大小为2kbytes，在扇区级别提供1-bit嵌入式ECC(512字节)。这意味着在2kbyte页面上最多可以执行4-bit的校正。华邦电子串行NAND还提供了在用户命令提示时读取失败页面位置的功能。

通过为功能性安全应用程序提供SPI NOR和串行NAND解决方案，华邦电子为用户提供了根据其设计要求选择适当的闪存类型的自由。

[1] ECC是“Error Correcting Code”的简写，ECC是一种能够实现“错误检查和纠正”的技术，ECC内存就是应用了这种技术的内存，一般多应用在服务器及图形工作站上，可提高计算机运行的稳定性和增加可靠性。

兆易创新首款DRAM芯片量产，切入主流存储器市场

串行NAND在汽车电子领域的应用

关于我们

产品中心

服务与支持