三星的系列NAND Flash有什么区别？

K9F系列的是SLC结构的三星的系列NAND Flash 2.K9G系列的是MCL结构的NAND Flash

　 首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重。

　 其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟。

　 第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。

　 而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样，只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。

　 在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例），这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。

　它已经不再是简单的开关电路，而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。

第五是制造成本。MLC技术原来每Cell仅存放1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。

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江波龙：2024年半年度研发费用保持高速增长，累计出货SLC NAND Flash存储芯片超5000万颗

金融界7月26日消息，江波龙披露投资者关系活动记录表显示，公司在高端企业级存储器、工规级存储器、自研主控芯片、自研存储芯片、高端封测制造等核心能力上保持投入，2024 年半年度研发费用相比于 2023 年同期保持高速增长。公司SLC NAND Flash 存储芯片主要应用包括汽车、安防、穿戴、IOT、家用电器、网通、工业自动化等各个应用领域， 累计出货量已超过 5000 万颗，目前公司与这些主要应用领域的头部客户都已经建立了稳定的合作关系，与此同时还在国际穿戴品牌客户中取得了突破，成功导入了其旗舰产品。此外，在高可靠性的工业自动化、车载应用中公司也取得了 0 到 1 的突破。

本文源自金融界AI电报

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