SK 海力士：2026 年二季度量产 400+层 NAND

【8 月 1 日，SK 海力士加速下一代 NAND 闪存开发！】

据 ETNews，SK 海力士计划 2025 年末完成 400+层堆叠 NAND 的量产准备。

其将于 2026 年二季度正式启动大规模生产。

SK海力士将展示AI内存新品：12层HBM3E、321-high NAND等

IT之家 8 月 1 日消息，SK 海力士今天（8 月 1 日）发布博文，宣布将出席 8 月 6 日至 8 日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会 FMS 2024，展示诸多新一代产品。

未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage）简介

前身是主要面向 NAND 供应商的闪存峰会（Flash Memory Summit），在人工智能技术日益受到关注的背景下，今年重新命名为未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage），以邀请 DRAM 和存储供应商等更多参与者。

新产品

SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层 HBM3E（预计在第三季度量产）和 321-high NAND（明年上半年开始出货）。IT之家附上 SK 海力士即将展示的新产品如下：

从左上开始，顺时针依次为 321 层 NAND 闪存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

从左上开始，顺时针依次为 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM

演讲

SK hynix HBM 工艺集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 将在活动开幕式上发表题为《人工智能时代的 AI 内存和存储解决方案领导力与愿景》的主题演讲。

两位高管将分别介绍公司的 DRAM 和 NAND 产品组合，以及为实现人工智能而优化的人工智能内存解决方案。

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