消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级，正采购新设备备产 236 层 NAND

上周一，三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。

对于三星来说这无疑是一个好消息，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据 Business Korea 报道，三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并已开始大规模扩张。

消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第 8 代 NAND 的设备，这也被业界视为克服全球 NAND 需求疲软导致产能下降的战略步骤。

公开资料显示，三星（中国）半导体有限公司 2012 年落户西安高新区，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。

该工厂于 2020 年增设了第二期工厂项目，目前已发展成为全球最大的 NAND 制造基地，每月可生产 20 万片 12 英寸晶圆，这占据了三星 NAND 总产量的 40% 以上。

三星西安工厂第一工厂投资 108.7 亿美元（IT之家备注：当前约 794.6 亿元人民币），2017 年开始建造的第二工厂，先后投资了 150 亿美元（当前约 1096.5 亿元人民币）。

外媒认为，三星决定升级其西安工厂的原因有两个。其一主要在全球 NAND 市场环境没有表现出明显的复苏迹象，而在这种情况下三星需要保持其在 NAND 市场的全球领导地位；另一个原因就是美国刚刚发布的无限期豁免。

由于产能严重过剩，再加上去年年底以来全球 IT 市场需求严重低迷，半导体市场疲软严重影响了三星的 NAND 业务，导致库存水位一直增加，进而导致亏损不断扩大。即使在通过减产政策略降低产量后略有改善，但目前三星依然需要尽快实现工艺升级。

通过升级最新的第 8 代 NAND 产品，三星不仅可以确保价格竞争力，而且考虑到第 8 代NAND 相比第 6 代晶圆投入减少约 30%，更能平衡市场供应和需求。

据称，作为第 6 代（128 层）V-NAND 主要生产基地，西安工厂自三星 4 月份宣布减产以来，其开工率也出现了大幅下降，目前整体开工率已降至 20% 左右。

外媒认为，美国虽然暂时放宽了对中国半导体设备的限制，但这对于三星和 SK 海力士来说仅仅只是一个暂时的喘息机会。

本文源自IT之家

金士顿悄然将NV3系列添加到NVMe固态硬盘阵容中

金士顿的 NV2 NVMe 固态硬盘一直是经济型产品中的热门之选，在其细分市场中具有较高的性价比。现在，金士顿在其网站上悄然推出了其替代产品 NV3，与 NV2 相比，NV3 进行了广泛的升级。

以往的金士顿 NV2 有多种不同的型号，对应多种不同的控制器和 NAND 类型，到目前为止，该公司还没有透露 NV3 将采用哪种控制器或哪种 NAND。不过，该公司列出的 3D NAND 1 TB 及以上型号的连续读取速度为 6000 MB/s，比最高为 3500 MB/s 的 NV2 有了很大提高。写入速度最高为 5000 MB/s，但仅限于 2 TB 和 4 TB SKU，但这也几乎是 2 TB NV2 SKU 的两倍。1 TB SKU 的写入速度大约是 NV2 的两倍，500 GB SKU 的性能提升幅度不大。

最初，金士顿将推出 500 GB、1 TB 和 2 TB SKU，4 TB SKU 将于今年第四季度推出。NV3 的耐久性与 NV2 相同，500 GB 的产品起始容量为 160 TBW，之后容量每增加一倍，4 TB 的产品最高容量为 1280 TBW。

金士顿尚未正式宣布推出这款硬盘，但一些在线零售商声称四到五天后就能发货，这表明 NV3 即将上市，所有产品均提供三年保修。在同一零售商处，500 GB SKU 的起价似乎为 50 美元，1 TB SKU 的起价为 70 美元，2 TB SKU 的起价为 139 美元。这使得 NV3 的零售价略高于 NV2 目前的零售价，考虑到 NV3 性能更强，这也就不足为奇了。

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jiangnengwu这个本子配置已经很不错,升级的话加个4G内存,整个固态硬盘做主盘就可以了。有用(0)回复juhuasuandn可以升级有用(0)回复roy1995配置很不错.....

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