MLC与TLC同根生，Intel 3D NAND技术大揭秘

现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息，昨天5月14日，Intel & Richmax举办了一场3D Nand Technical Workshop技术讲解会，在会议上Intel的技术人员给在场人员具体的讲解了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。

3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。另外还有一个重要特性，就是（每单位容量）成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好。

Intel在现在2D NAND时代是没有做TLC闪存的，但是在即将到来的3D NAND时代，Intel将推出自己的TLC闪存，另外还有一个非常重要的就是，TLC与MLC其实都是同一块芯片，这点和现在三星的3D NAND差不多，Intel的客户可以根据自己的需求选择闪存是工作在MLC模式还是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。

Intel 3D NAND目前会使用32层堆叠，电荷存储量和当年的50nm节点产品相当，第二第三代产品依然会保持这样的电荷量，以保证产品的可靠性，会议上并没有明确说明3D NAND到底是使用那种工艺，只说了用的是50nm到34nm之间的工艺。

Intel的3D NAND代号是L06B/B0KB

L06B是MLC产品的代号 ，采用ONFI 4.0标准，Die Size 32GB，16k Page Size，使用4-plane设计，虽然会带来额外的延时，但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量，闪存寿命是3000 P/E。

B0KB则是TLC产品的代号 ，由于是同一芯片所以许多东西都是L06B一样，当然容量、性能与寿命什么的肯定不同，Die Size 48GB，闪存寿命是1500 P/E，由于是TLC所以需要ECC标准是更高的LDPC。

Intel 3D NAND全部会使用132-Ball BGA封装，L06B可以从256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的产品，具体的请看上表，不过这款闪存的CE数其实是可以调的，这样可以更容易的做出更大容量的SSD。

闪存有三种工作模式

MLC工作的模式有2-pass和1-pass两种编程模式，默认的是2-pass编程模式，第一次编程lower page的数据写入到NAND阵列里面，而第二次编程则会把upper page的数据写入。

而1-pass编程模式的意思当然就是指一次编程就把lower page与upper page的数据都写入到NAND阵列里面，这样可以节省15%的编程时间，但是用这种算法的话闪存寿命会比两步编程模式时低一些，低多少并没有具体说明。

而TLC的编程算法则要复杂很多了，第一步和MLC的一步编程模式相类似，就是直接把lower page与upper page一齐写入到NAND阵列里面，第二步则是写入extra page的数据，由于算法复杂，第二部编程时需要对数据进行ECC校验。

上面所说闪存的2-pass MLC、1-pass MLC与TLC工作模式是可以用使用指令随时切换的，这对厂家来说闪存的使用会变得非常灵活，当然了产品的用户是不能这样乱改工作模式的。

至于Intel的3D NAND什么时候会开始供应，今年Q3中旬会开始相各个合作伙伴提供测试样品，MLC/TLC的都有，2015年Q4末开始大规模供货，产品的定价会根据那时的市场情况再决定。

3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。

根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。

此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向结晶（MILC）技术提高通道的结晶质量，再利用尖端的镍铸方法来消除硅材料中的杂质和缺陷。

(8172605)

相关问答

2017年对于东芝来说,算是重大转折的一年,闪存业务出售,96层3DNAND以及QLCNAND等发布。在众多新品发布中,有一款固态硬盘SSD并不起眼,也是东芝在2017年发...所...

周三的时候,Greenliant宣布已开始出货工业级ArmourDriveM.2SSD新品。其具有增强的耐用性,标称工作温度范围也较商用SKU要宽泛得多。除了NVMe,还可选...

西数sa510固态硬盘采用西部数据原厂TLCNAND颗粒与西部数据自研控制器,全新一代无缓存架构,高达400TBW耐久性;而560MB/秒的顺序读取速度,读取效率是消...

TLC是闪存一种类型,全称为Triple-LevelCellTLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NANDFlash技术架构是SLC(Single-LevelCell),原理是在1个...

大华C900:399元10年只换不修3DNANDTLC颗粒,M.2接口,高速NVMe协议,1TB版本连续读取速度2000MB/s,写入速度1800MB/s;采用Max.Write技术,智能定义...

同时还有改良型号比如eMLCeTLC新一代3DNANDTLC/MLC等等有用(0)回复ksmailjy是的,SLC大于MLC大于TLC,以后好像还会有个更垃圾的颗粒叫QLC什么的吧...

对固态硬盘来说,寿命跟品质有很大关系,只要是大牌主控颗粒,就基本不用强迫症,担心能用多久是杞人忧天。这也是为什么三星英特尔连QLC颗粒都敢出货的原因。因...

第一款、惠普EX950系列512GNvmeM.2固态硬盘,这款固态的性价比还是非常高的,容量是500G、1TB、2TB可供选择,闪存类型TLC,高速读取速度3500MB/s。第二款、...

3DNAND颗粒可以分为32层、48层甚至64层或更高层次,而3DTLC颗粒由于产品不同,所以规格也不尽相同,但有一点不会变,就是普通硬盘的读写速度远远不及固态硬盘...

除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NANDFlash闪存芯片了。NANDFlash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:1...