NAND闪存芯片哪个强 NAND闪存哪家强，三星一枝独秀无可匹敌-资讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

NAND闪存芯片哪个强 NAND闪存哪家强，三星一枝独秀无可匹敌

发布时间 : 2024-10-06

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

NAND闪存哪家强，三星一枝独秀无可匹敌

[PConline 资讯]11月25日消息，集邦咨询半导体研究中心今日发布截至2019年第三季度的全球NAND闪存市场调查。

在第三季度，NAND闪存市场的整体营收为119亿美元，和上季度相比增长10.2%。

其中，三星公司的营收为39.87亿美元，和上季度相比增长5.9%；市场份额为33.5%，排名第一。

铠侠（东芝存储）的营收为22.27亿美元，和上季度相比增长14.3%；市场份额为18.7%，排名第二。

西部数据的营收为16.32亿美元，和上季度相比增长8.4%；市场份额为12.9%，排名第三。

美光、英特尔和海力士的营收分别为15.30亿美元、12.90亿美元和11.45亿美元，市场份额分别为12.9%、10.9%和9.6%，分别排在第四、五、六名。

据百度百科资料，NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。

东芝在1987年发明了NAND闪存，时至今日我们已经用上了64层3D堆叠闪存制成的手机和电脑硬盘，96层堆叠的产品也已经开始逐步面世。不过我们今天要讨论的是下下代128层堆叠3D闪存产品。

尽管128层堆叠目前还停留在技术层面上，通过前不久的ISSCC（IEEE国际固态电路峰会）我们能够找到一些有关未来闪存技术的发展方向。

在3D闪存的发展历史上，东芝宣称自己是最早提出3D堆叠闪存技术的公司（2007年），不过最早将3D闪存带入大规模应用的则是三星（2013年，24层堆叠）。目前三星已经披露了第六代V-NAND的计划，预计采用11X层（110~120）堆叠。

与之对应的是东芝BiCS5，预计采用128层堆叠，二者都有TLC和QLC两种类型。下图是东芝在ISSCC上公开的BiCS5 3D TLC闪存关键参数，值得注意的是它同样采用4平面设计，写入速度较三星更高。

对比双方公开的参数信息可以发现，东芝BiCS5在存储密度和写入速度上拥有显著优势，而三星V-NAND V6则凭借更新的Toggle 4.0闪存接口取得了读取延迟方面的领先。（PCEVA小编注：Toggle是由东芝和三星在2010年共同提出的闪存接口规范，影响闪存芯片与固态硬盘主控之间的通信速度）

除了性能之外，成本控制同样是3D闪存技术优越性的一个体现。毕竟3D闪存的问世主要就是为了解决半导体制程微缩瓶颈，助力闪存存储密度不断上升、每GB价格不断下降。

通过单Die容量与面积计算的结果来看，东芝BiCS闪存在存储密度上的优势明显。不过这能否能最终转化为制造成本上的领先，还要受到其他诸多因素的共同影响。

以下是通过公开渠道收集到的各闪存原厂最新3D闪存技术规格，国产还需继续努力提升自身竞争力，发展技术创造成本优势，先渡过眼前闪存价格不断下降的寒冬。