存储大厂NAND技术迎突破
AI人工智能正推动存储器产业强劲发展,AI应用带来了海量数据增长,存储容量与性能需求大幅提升,NAND Flash技术重要性不断凸显。因此,存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时,也并未忽视NAND Flash的发展。最新消息显示,三星、铠侠两家大厂NAND技术迎来新进展。
三星第九代V-NAND闪存材料技术突破
三星于今年4月宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,今年下半年三星将开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND。与第八代V-NAND相比,第九代V-NAND 1Tb TLC产品提高约50%的位密度(bit density),功耗也降低了10%。
近日韩媒The Elec报道,三星正在其第九代V-NAND“金属布线”(metal wiring)环节中首次使用钼(Mo)材料。
图片来源:三星
“金属布线”是半导体制造过程的一大工艺,使用不同的方式连接数十亿个电子元器件,形成不同的半导体产品。目前, NAND工艺中所使用的材料是六氟化钨(WF6),随着钨材料在降低层高方面不断触及物理极限,三星开始锁定钼作为替代材料。据悉,三星的这一转变有望进一步缩减层高并降低NAND响应时间,性能将进一步提升。
不过,引入钼材料要求生产设备能够耐高温处理,将固态钼原材料加热至600 ℃以转化为气态,为此三星已从Lam Research公司引进了五台Mo沉积机,还计划明年再引进20台设备。此外,三星正与多家相关供应商紧密合作,包括Entegris和Air Liquide公司。
除了三星之外,报道指出美光等存储大厂也在探索钼应用于NAND生产的可行性。
铠侠推出2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存
7月3日,铠侠宣布已经开始使用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术,向客户提供2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存样品,该款产品在业内拥有最大容量,有望推动包括人工智能在内的多个应用领域成长。
据悉,铠侠通过专有工艺和创新架构,在存储芯片的垂直和横向扩展上均取得了突破,并采用了CBA(CMOS直接键合到阵列)技术,以制造更高密度的设备,并提供3.6Gbps接口速度。
图片来源:铠侠
铠侠表示,与公司当前第五代QLC设备(铠侠产品中容量最高)相比,2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存位密度约提高了2.3倍,写入能效比提高了约70%,全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片,从而为业界提供4TB容量,同时,它还具有更小的封装尺寸(11.5 x 13.5毫米)和1.5毫米的封装高度。
除了2Tb QLC之外,铠侠还在其产品组合中增加了1Tb QLC存储设备。与容量优化的2Tb QLC相比,性能优化的1Tb QLC的顺序写入速度大约提高了30%,读取延迟大约改善了15%。1Tb QLC将被部署于高性能应用中,包括客户端SSD和移动设备。
QLC SSD,人工智能领域大有可为!
与多层单元(MLC)和三层单元(TLC)设备相比,QLC NAND每个单元可以存储更多数据,显著提升存储性能。因此,无论是三星还是铠侠,针对QLC NAND皆有布局。
此前QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域,随着AI大模型不断普及,数据中心存储需求不断激增,QLC NAND尤其是QLC SSD有望在AI、大数据领域大显身手。
受益于AI需求推升,全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预估,2024全年QLC Enterprise SSD出货位元上看30EB(EB;Exabyte),较2023年成长四倍。
图片来源:拍信网
TrendForce集邦咨询认为,QLC SSD在AI应用搭载提升有两大原因,一是该产品的读取速度,二是TCO(总体拥有成本;Total Cost of Ownership)优势。由于AI推理服务器主要以读取为主,资料写入次数不若AI训练型服务器(AI Training Server)频繁,相较HDD,QLC Enterprise SSD读取速度更胜,且容量已发展至64TB。
此外,实际上目前通用型服务器采用的HDD产品主流容量在20~24TB,而QLC Enterprise SSD(64TB)单个产品运转除了较HDD节省电力外,在存储容量布局上,QLC所需使用空间减少,可大幅降低TCO成本。AI Training已然成为重度电力消耗应用,因此节能将成为存储产品的优先考量,故大容量QLC Enterprise SSD产品更是大宗AI客户寻求的解决方案。
NAND闪存将强势复苏
来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自「seekingalpha」,谢谢。
与易失性形式的DRAM不同,NAND闪存是一种能够在不加电的情况下保留数据的非易失性存储器。NAND在我们的个人电脑,智能手机,平板电脑等产品中无处不在。过去的几年中,随着成本的持续下降,随着产业向固态硬盘(SSD)的转移,NAND的兴起已经可见一斑。虽然它比HDD更昂贵,但存储性能却显着提高。这也趋势NAND在数据服务器中也越来越受欢迎,因为更高的存储性能使其适合处理来自AI,5G和IoT的数据的爆炸性增长。这些趋势使行业中的制造商受益。
但是,与DRAM市场不同,NAND具有更强的竞争力,数据显示,现在NAND Flash市场有6家主要制造商,而其中三家公司(美光,三星和SK Hynix)占据了95%的市场份额。为了保持竞争力,NAND公司投入了大量资金。随着存储密度逐年增加,对更好技术的竞争异常激烈。激烈的竞争导致积压的订单和供过于求,导致售价暴跌。
随着锁定策略在全球范围内生效,对服务器内存的需求吸收了供过于求的局面,价格也开始上涨。业界正试图利用这种需求激增的趋势,将产品组合转移到服务器上。我们预计,由于价格上涨,NAND的收入今年将增长40%。但是,由于生产停顿和贸易紧张而造成的供应链中断给行业带来了风险。
市场概况
按市场规模计算,NAND是第二大商品IC产品,价值500亿美元,仅次于DRAM。与DRAM相比,NAND市场由许多制造商组成,因此竞争更为激烈。其中三星所占份额最大,为35%,其次是东芝的Kioxia(18.7%),西部数据(14.7%),美光(11.3%),英特尔(9.7%),和SK Hynix(9.6%)。
激烈的竞争态势迫使这些公司通过开发存储密度逐年增加的芯片来提高竞争力。持续不断的创新步伐意味着现有的存储技术将很快变得缺乏竞争力,从而导致库存积压。在过去的几年中,这些公司在生产上投入了大量资金,导致内存芯片供过于求,平均售价暴跌,去年价格下跌约46%,影响了整个内存行业的收入。
尽管竞争激烈,但这些公司的市场份额在过去5年中一直保持相对稳定。最大的赢家是英特尔,其NAND市场份额增长6.9%,达到9.7%。另一方面,Kioxia是最大的输家,其市场份额从21.6%下降到18.7%。
随着5G和物联网驱动SDD需求的增加,还有爆发性增长的云带来的需求,NAND市场将有增长,数据显示,在未来的几年内,其年复合增长率将达到14.94%。再叠加平均销售价格上涨,这就使得今年NAND 收入可能会增长40%。
和DRAM一样,自从年初以来,市场对服务器内存的需求不断增长,以支持数据使用量的激增,随着世界各地人们对远程工作和虚拟学习的需求,对NAND的需求也开始增长。预计主要的云服务供应商(例如Google和Microsoft)将增加订单以扩展现有容量。强劲的需求使NAND第一季度价格上涨了约5%,并且数据中心的持续部署有望推动ASP的复苏。像DRAM一样,NAND生产商的收入与ASP密切相关。由于供应紧张,我们预计价格将从此处继续上涨,今年平均售价将上涨10%。
除了需求增长之外,供应是导致平均售价的良好复苏的另一个因素。去年,大多数生产商对供过于求做出了反应,将资本支出削减了2%,并控制了产能以平衡市场。2020年的计划产量增速预计为30%,比去年的38%有所下降。各种晶圆厂的供应冲击加剧了供应紧缩,由于断电,三星和Kioxia的生产停顿了几天,因为两家公司都占据了表较大的生产份额,这无疑也带来了影响。
需求上升
为了响应服务器的需求,随着智能手机和PC需求前景恶化,大多数生产商都在改变其产品结构。不过,根据他们如何驾驭需求浪潮,某些公司可能会比其他公司受益更多。
我们预计三星的产量将有所增长,因为尽管出现了疫情,三星仍于今年按时开始运营其在中国大陆的新晶圆厂,他们自2017年以来也完成了70亿美元的投资。该公司还计划加快向第六代V-NAND 的迁移过程。以在2020年上半年进一步提升其竞争力。
对于企业市场,就延迟和写入耐久性而言,三星的Z-NAND和英特尔与美光的3D X-Point是服务器的最佳芯片。尽管3D X-Point赢得重要份额尚需时日,但美光(Micron)去年推出了其X-100芯片,并一直在努力提高产量,而英特尔(Intel)已开始为Optane提早提供样品,但仍然依赖在美光公司根据其协议生产芯片。那就意味着在英特尔开始自己的生产之前,他们将将继续从美光购买芯片。
我们预计东芝,西部数据和SK海力士的表现将比同业差。东芝的Kioxia 推出了 XL-Flash,以与Z-NAND和3D-Xpoint竞争,这是一种特殊的混合存储芯片,具有NAND和DRAM的某些特性(类似于3D X-Point)。不幸的是,该公司的日本晶圆厂发生大火,停产了两周。由于代工厂还为Western Digital提供服务,因此这也将影响公司今年的产量。在最近的财报中,SK Hynix则表示计划在今年增加一条数据中心PCIe SSD产品线,尽管要赶上已经拥有专业数据中心芯片的其他生产商将是一个挑战,但其大多数产品都将面向移动市场,因为这约占了其NAND营收的四分之三。
中国制造商是另一个X因素。尽管在NAND上进行了大量投资,但该国在存储器市场上已经落后了几年。不过,中国存储器制造商长江存储技术有限公司(Yangular Memory Technologies)的128层3D NAND闪存芯片正与现有播放器的最新技术相匹配,这将成为一股不可忽视的实力。尽管其总部是位于中国疫情的风暴中心武汉,但它的新工厂在四月已经开始完全恢复生产。随着中国投资的进入,供过于求的担忧将在2021年重新出现。但是三星已经开始开发拥有更高密度的160层芯片,这可能会使其技术领先于中国公司。因此,我们预计中国将获得低端芯片的份额。
供应链风险
我们不忽略COVID-19对内存供应链的潜在影响。全球范围内的封锁已导致整个制造业各个层面的生产中断。尽管大多数亚洲国家的封锁正在缓解,生产恢复速度放缓,但第二波浪潮的再次出现可能会削弱供应链,并对整个行业造成负面影响。然而,与DRAM相比,供应链更加多样化,其设施遍布中国,韩国和日本。
贸易紧张局势也是另一个风险,韩国和日本之间的争端引发了战争赔偿纠纷。日本对基本制造材料的贸易禁运可能会扼杀NAND供应链。韩国占 NAND总产量的50%,日本提供70%至90%的化学材料用于制造。
作为一种非易失性存储器,NAND是现代存储设备的基础技术,随着SSD取代HDD的兴起,推动了对NAND芯片的需求。服务器中对SSD的需求不断增长归因于AI,5G和IoT数据的爆炸性增长。主要的云服务提供商正在升级到这种具有更高性能的存储形式。
自年初以来,NAND的供应一直很紧张,COVID-19大流行进一步导致了短缺,并使价格上涨。随着价格上涨,预计该行业将在未来几个季度中受益于更高的收入。随着全球范围内的人们正在远程工作和进行虚拟学习,公司还将产品组合和生产转向服务器芯片。
尽管三星,英特尔和美光可能比SK海力士,东芝和Western Digital受益更多,但我们预计整个行业的收入都会增加。随着产量的增加,市场还将见证中国公司在短期内获得份额。由于情况仍然不稳定,我们会谨慎行事,并将监视市场,以防由于大流行引起的任何供应链中断。
此外,鉴于韩国和日本在供应链中的重要性,它们之间的贸易紧张可能会影响生产。
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