三星第三代 V-NAND 量产，耗电量降 30%

英特尔（Intel Corp.）、美光（Micron Technology Inc.）于 7 月 29 日宣布开发出新世代内存技术“3D Xpoint”，让三星电子（Samsung Electronics Co., Ltd.）警钟大作，该公司 10 日发布新闻稿宣布，第三代 V-NAND 已正式量产。

三星指出，业界首见、以 48 层 3-bit MLC 堆叠的 256Gb 3DVertical NAND（V-NAND）已开始量产，可用于固态硬盘（SSD），这款快闪内存的密度是传统 128Gb NAND 的一倍，除了单颗晶粒就具备 32 gigabytes （256 gigabits）的内存储存容量外，最新芯片的储存容量也可轻松到三星现有 SSD 产品线的一倍之多。

三星是在 2014 年 8 月推出第二代 V-NAND （32 层 3-bit MLC V-NAND），现在只花了短短一年后就发布第三代 V-NAND，持续在 3D 内存时代保持领先地位。

最新的 V-NAND 内，每一个内存单元都运用了同样的 3D Charge Trap Flash （CTF）架构，在储存相同的资料量之际，耗电量能比 32 层 3-bit MLC 128Gb V-NAND 节省逾 30%。在生产过程方面，第三代 V-NAND 的生产效率比前代高出 40%，可让 SSD 更具成本竞争力。

三星在 2015 年结束前都计划不断生产第三代 V-NAND，以便让 TB （兆位）级的 SSD 加速普及。

英特尔、美光新世代内存技术“3D Xpoint”储存的资料比 DRAM 高出十倍，读写速度与耐受度更是 NAND 型快闪内存的 1 千倍之多，如此革新的技术让三星、SK Hynix 大为紧张。

（本文由 MoneyDJ新闻授权转载；首图来源：Samsung）

三星宣布量产48层256Gb V-NAND 耗电量降30%

英特尔与美光于7月29日宣布开发出新世代内存技术「3D Xpoint」，让三星电子警钟大作，该公司周一（10日）发布新闻稿宣布，第三代V-NAND已正式量产，时隔上一代推出仅一年时间。

三星指出，以48层3-bit MLC堆栈的256Gb第三代V-NAND可用于固态硬盘（SSD），这款闪存的密度是传统128Gb NAND 、的一倍，除了单颗晶粒就具备 32GB（256Gb）的内存储存容量外，最新芯片的储存容量也可轻松到三星现有SSD产品线的一倍之多。

最新的V-NAND内，每一个内存单元都运用了同样的3D Charge Trap Flash （CTF架构，在储存相同的数据量之际，耗电量能比32层3-bit MLC 128Gb V-NAND 节省逾30%。在生产过程方面，第三代V-NAND 的生产效率比前代高出40%，可让SSD更具成本竞争力。

三星在2015年结束前都计划不断生产第三代V-NAND，以便让TB（兆位）级的SSD加速普及。

来源：科技新报

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