NEO第二代X-NAND技术让QLC具备SLC性能，MemTest86支持DDR5内存

X-NAND让QLC变SLC？

大家可能听说过Neo Semiconductor，它在去年提出了一项名为X-NAND的技术，宣称可以解决MLC、TLC、QLC以及PLC（5bit/cell）的速度递减问题，在不增加制造成本的情况下将SSD的顺序读取速度提高27倍、顺序写入速度提高15倍、随机读写性能提高3倍，让QLC闪存实现SLC的性能，并且还不会有SLC缓存用完性能暴跌的危机。

今年这家公司又提出了第二代X-NAND架构，技术上看依然是利用4到16个子平面来增加数据吞吐带宽，不同之处在于数据现在先被编程到同个平面的SLC字线（而不是三个单独的平面），然后编程至第二个平面中的TLC字线实现最终存储。

由于位线长度的缩短，X-NAND还可以带来随机读写性能提升和功耗下降的附加效果。

Neo声称他们的技术IP可以被应用在包括SLC、MLC、TLC、QLC和PLC的各种类型闪存当中，并且不会增加制造成本。第二代X-NAND在前不久结束的FMS 2022闪存峰会上获得了“最具创新性内存技术”的“最佳展示”奖，不过目前还没有任何一家闪存制造商使用Neo的X-NAND技术来制造闪存。

MemTest86内存测试工具升级：

PassMark刚刚升级了其MemTest86内存测试工具软件，现在MemTest86能够更好地支持DDR5内存，快速和精确地发现存在缺陷和引发错误的内存条。

新版MemTest可以在在双通道模式运行的DDR5平台（如12代酷睿搭配Z690主板）上提供更精细的检测结果，可以具体到特定内存条的某一个芯片上。

过去检测内存时需要重复多次才能找出具体哪根内存有问题，有了这个新功能之后找出答案的速度就更快了。

闪存性能和耐久度不堪入目？别慌，新一代超高性能闪存来了

在闪存容量越来越大的同时，性能成为成本妥协的牺牲品。正如大家看到的历史，从SLC、MLC、TLC直到QLC和未来PLC，NAND闪存的性能、耐久度都会衰减。为了填补闪存和内存之间逐渐拉大的差距，高性能闪存的需求不断增长。

日本网站PC Watch近日整理了铠侠（原东芝存储）在今年2月18日于ISSCC国际固态电路峰会上的演讲内容，披露了大量关于铠侠XL-Flash超高速闪存芯片的信息。

XL-Flash是继英特尔3D XPoint、三星Z-NAND之后的又一个新型高速闪存技术。与3D XPoint所属的PCM技术相比，基于NAND的XL-Flash能随堆叠层数增长提供良好的成本收益。目前公布的信息显示，初代XL-Flash将使用96层堆叠技术，单die容量达到128Gb。

铠侠还将XL-Flash与三星的Z-NAND进行了对比。占据后发优势的XL-Flash在存储密度（Capacity）和写入延迟（tProg）上拥有明显优势，仅读取延迟（tR）比Z-NAND稍大一些。XL-Flash和Z-NAND都有比普通3D TLC闪存强出多倍的性能指标。

XL-Flash使用SLC（1bit/cell）结构，单个Page大小也从3D TLC闪存的16KB降低到4KB，使用16平面结构（8倍于BiCS4 3D TLC）。平面数量的增多缩短了闪存中字线和位线的长度，使闪存访问速度更快。

下图是96层堆叠的3D TLC闪存（左）和XL-Flash（右）对比，XL-Flash中外围电路与硅芯片的比例更大、更复杂。

从基础原理上来说，铠侠推出的XL-Flash并没有脱离它的前身东芝存储在1987年发明的NAND闪存。不过XL-Flash并不是简单的3D SLC闪存，由它制成的固态硬盘性能将明显优于当前固态硬盘的SLC缓存部分，特别是低队列深度下的随机读写IOPS（这部分也是傲腾SSD的魅力）。

XL-Flash将存储单元阵列划分成16个平面，从而令字线延迟时间减少到原有的1/20左右。此外，针对平面接地电位以及温度补偿电路的优化也对降低读取延迟带来帮助。最终的结果是XL-Flash的读取延迟仅有普通3D TLC闪存的5%。

为了提升写入性能，铠侠在XL-Flash中将编程准备时间（PP）缩短到过去的三分之一，并优化编程和验证的操作顺序，使得原本需要200至300μs的编程时间缩短到75μs。

普通消费者不一定关心技术的具体实现方法，但也有好消息带给大家，铠侠对XL-Flash超高性能闪存采取了较为开放的态度（而不是像傲腾和Z-SSD那样封闭），这意味着可以有众多的主控去支持它，从而产生更加丰富的终端产品。根据之前的消息，XL-Flash闪存将在今年内完成出样。

相关问答

由于一些低价的劣质存储卡读写速度很慢,用户体验糟糕,因此很多高端手机已经取消了外置存储卡的功能。而苹果iPhone手机更是自始至终不支持外置存储卡。还有些...

2、小米手机可以一次性编辑多条短信,并且一次性发出多条短信。3、小米的短信是存放在内部的NANDFlash中的,也就是那个4GB的空间,而这个4G的空间被划分成...

七纳米和八纳米芯片的差别:沟道长度不同、单位密度不同、功耗不同。一、沟道长度不同1、三星8nm工艺:三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比台积电7nm工艺的...

[回答]叶在茎或枝条上的排列方式叫叶序(phyllotaxy).常见的有:1.叶互生(alternate).每节上只着生1片叶,如棉花、杨树、苹果等.2.叶对生(opposite).每节...

Intel傲腾905P采用Intel与美光联合开发的黑科技3DXPoint,它的读写寿命、4K小文件读写速度可说傲视群雄,比普通的NAND闪存强太多了,不过单颗的存储密度不足,...I...

诺基亚5320XM(NOKIA5320XM)参考价格:1200元左右主屏尺寸:2.0英寸主屏分辨率:240×320像素主屏颜色:1600万色智能机系统SymbianS60第三版C...

4K随机读写IOPS分别可达到100K及90K,相比mSATA来说...mSATA接口的固态硬盘(SSD)一般是指超小型的SSD模块,不同于传统2.5吋或1.8吋的SSD产品,架构设计上类似.....

大部分的玩家都会选择这个价位的主机,所以今天特意整理了一套3000元的装机方案,希望能帮到你!3000元游戏主机电脑硬件点评:处理器方面,i37100加RX4...爱国...

提到电脑硬盘,大家脑海中第一个所想到的品牌是什么?金士顿?三星还是……无论什么品牌的硬盘,几乎和"国产"用不沾边,的确由于技术的原因很长一段时间以来硬...如...

有调君知道的好看的小裙子还是很多的,随手推荐几家我常逛的。pazzo价格:200上下浮动pazzo不管是模特小姐姐还是整体的设计都很仙,满屏都是小仙女的感觉,服...