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micron 3d nand 美光推出232层3D NAND Flash

发布时间 : 2024-10-08

作者 : 小编

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美光推出232层3D NAND Flash

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）综合自网络，谢谢。

近日，存储芯片大厂美光（Micron）推出业界首个232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体，计划用于各种产品包括固态硬盘，2022 年底左右开始量产。

232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体采用3DTLC 架构，原始容量为1Tb（128GB）。记忆体基于美光CuA 架构，并使用NAND 字符串堆叠技术，彼此顶部建立两个3D NAND 阵列。CuA 设计的232层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体大大减少美光1Tb3D TLC NAND Flash 尺寸，有望降低生产成本订出更有竞争力的定价，或增加利润。美光并没有宣布新 232 层堆栈的 3D NAND Flash快闪存储器的 I/O 速度或平面数量，但暗示与现有 3DNAND Flash 快闪存储器设备相比，新存储器提供更高性能，对采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特别有用。美光还强调 232 层堆栈 3D NAND Flash 快闪存储器比上一代产品更节省功耗，更具节能优势。该公司围绕业内领先的托管型 NAND 存储、以及数据中心 / 客户端 SSD 产品所需的技术进行了优化研发，且内外部控制器组合一直是其垂直产品集成的一个重要组成部分。

美光称，与上一代工艺节点相比，新一代 232 层 3D TLC NAND 具有更低的功耗。此外美光长期专注于移动应用，并与下游设备制造商保持着良好的合作伙伴关系。最后，鉴于美光计划在 2022 下半年开启 232 层 3D TLC NAND 的生产，预计各类终端产品（比如 SSD）也会在 2023 年陆续上市。

美光推行芯片远期定价协议，10名客户已签约

美光科技12日宣布为旗下芯片推行名为“远期定价协议”的新机制，希望能解决让半导体产业多年来苦恼的价格波动问题，目前已有 10 名大客户签约，协议为期至少三年，估计一年可带来超过 5 亿美元收入。美光商务长 Sumit Sadana 在旧金山举办的投资者日上宣布此消息，但强调现阶段仍是“试验”性质，并且拒绝透露可能有多少现有的长期合约客户转移到新机制。Sadana 说，长约客户以采购量而非价格为基准，但远期价格协议把规模和价格都考虑进去了。针对合约是否可能强制执行的问题，他坦言，议约两方总是对价格有不同看法。他并表示，美光不打算用降低毛利率的方式推动远期定价协议。“过程中难免有起伏，但最终带来的好处，将超越达成此协议所面临的风险。”针对营运展望，美光预估长期营收将交出偏高的个位数增幅。DRAM 和 NAND 存储器芯片在未来几年都将有强劲的成长，主要由汽车、数据中心、工业终端市场日益增加的需求带动，这将降低美光对个人计算机 (PC) 和智能手机业务的依赖。美光执行长 Sanjay Mehrotra 表示，接下来到2025 年之间，DRAM 业务的年成长率预估介于 14% 至19%，NAND 的年成长率更将超过 20%。Mehrotra 预估，整体存储器产业的规模将能在 2030 年之前达到 3300 亿美元，较 2021 年的1610 亿美元成长逾一倍。存储器芯片占芯片业比重，已经从本世纪初的 10% 上升到 30%。

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晶圆｜集成电路｜设备｜汽车芯片｜存储｜台积电｜AI｜封装

3D NAND 战况白热化，Intel 与 Micron 揭露自家技术预览

2016 的 SSD 技术即将迎来重大变化。

先前 Toshiba 与 Sandisk 公开了技术合作的 48 层 BiCS 3D NAND Flash 设计，随后另一组有着深厚合作关系的人马 Intel 与 Micron 也透漏了自家的 3D NAND 设计的更多资料。

其实去年底 Intel 就已经粗浅的透露了一部分的参数，包含了会具有 32 层堆叠、可提供 MLC 颗粒 256Gb（32GB）、TLC 384Gb（48GB）的容量等，现在他们透露了更多。

首先，新的 NAND Flash 的设计上将会具有 4 个 Plane，Plane 是整个 NAND Flash 体系中第二大的单位，仅次于 die；再下去则是我们所知道的 Block 与 Page 这些更基本的单位，设计 Plane 的用意是用来对 Block 进行划分，相异的 Plane 是可以同时进行动作的，若少了 Plane 设计，在 Die 内就一次就只能对一个 Page 进行读写而降低性能，而 Intel-Micron 使用了 4 planes 设计可以有效地增加吞吐量。

在耐久性的部分，Intel 与 Micron 公开资料显示，电荷的数量将可以回到过去平面式设计在 50 nm 左右的等级，而电荷的数量会将会影响储存单元的判断精确度以及控制难度，这也是为何在平面式 NAND FLASH 旧制程产品的 P/E Cycle 较高的因素。不过 Micron 方面，目前只承认会有 3,000 P/E 的表现，但 Micron 在消费级 NAND FLASH 已经维持这个数据长达数年，因此有可能只是 Micron 提供保守估计，实际上的表现可能可以来到 10,000 P/E Cycle 以上。

另外比较特别的是，Intel-Micron 的设计还是使用了传统的 Floating Gate，而不是 Samsung、Toshiba 所使用的 Charge Trap。他们表示，Floating Gate 的设计已经存在悠久，比起相对新的 CTF 特性更能能被很好的掌握，换句话说则是以 Intel-Micron 对 Floating Gate 技术的深入了解，做起来比较省钱。当然比起 CTF 技术可能有着更低的漏电流等好处可能也在考虑范围之内。

上市时程方面，目前 256 Gbit 的 MLC 样品，已经出货给特定的合作夥伴，预计今年的下半年度就可以进入量产。因此我们也许可以在明年就可以看到使用 Intel 与 Micron 3D NAND Flash 的 SSD 产品出现在商店货架上。

Intel-Micron Share Additional Details of Their 3D NAND

（本文由 VR-Zone授权转载）

延伸阅读：

Toshiba 与 Sandisk 携手开发，推出 48 层 3D NAND FLASH

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