美光扩建NAND闪存工厂但不增产 128层闪存有重大变化

日前美光公司在新加坡举行了Fab 10A工厂启用庆典，包括美光CEO Sanjay Mehrotra在内的高层及合作伙伴、供应商、经销商等500多人参加了活动。

除了美国本土之外，美光公司在新加坡有编号Fab 10的NAND工厂，2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心，又扩建了Fab 10晶圆厂的生产能力，新盖了无尘室等生产设施，提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性。

不过在目前NAND闪存价格持续下滑的情况下，美光虽然扩建了新加坡的Fab 10A工厂，但并不打算增产NAND，通过资本开支调整、技术转换等方式，Fab 10厂区的总产能不变 。

美光CEO Sanjay Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化，目前96层堆栈的3D闪存已经量产，而在第四代3D闪存上会有重大变化，128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术 。

在2D闪存时代，各大厂商基本上都是以FG浮栅极技术为主，转向3D闪存之后三星率先使用了CTP电荷陷阱技术，其他厂商也陆续跟进，只有美光、Intel有所不同，双方在3D闪存技术发展上也产生了分歧，据说这就是两家公司在96层堆栈3D闪存之后决定分手、互相独立研发生产的关键，Intel会继续坚持浮栅极。

在美光之外，其他家闪存厂目前没有听说采用RG可替换栅极技术的。

美光推出全球首款176层NAND移动解决方案

北京时间7月30日消息，美光科技宣布，公司已开始批量出货全球首款基于176层NAND技术的通用闪存UFS 3.1移动解决方案。该产品为高端旗舰手机量身打造，与前代产品相比可实现75%的顺序写入和随机读取性能提升，从而解锁5G潜力——只需9.6秒即可下载一部2小时的4K电影。

美光推出全球首款176层NAND移动解决方案，助力5G超快体验

美光176层NAND的紧凑尺寸，完美契合移动设备的大容量和小体积需求。此前，美光于6月宣布已出货搭载176层NAND的PCIe 4.0固态硬盘，为专业工作站和超薄笔记本提供高性能、低功耗的灵活设计选择。如今，美光将前沿的NAND技术和性能成功应用于智能手机，带来更快的手机响应体验，实现应用程序之间真正的多任务处理。

美光移动产品事业部高级副总裁兼总经理Raj Talluri表示：“5G通信技术能将移动设备的传输速率提升至数个Gb的级别，但这种超快移动体验必须具备高性能硬件基础。美光的176层NAND实现了技术突破，为智能手机提供无与伦比的性能，使消费者能轻松快捷地在移动端体验丰富的多媒体内容。”

美光176层UFS 3.1解决方案的混合工作负载性能相比上一代产品提升了15%，使手机启动和切换应用的速度更快，从而打造更为流畅的移动体验。美光将176层NAND技术应用于UFS 3.1，克服了存储瓶颈，使手机用户尽享5G高速通信。

荣耀终端有限公司产品线总裁方飞表示：“荣耀全能旗舰Magic3系列将率先搭载美光推出的业界首款176层NAND技术UFS 3.1。该款高性能3D NAND解决方案将为荣耀手机用户在同时多应用使用，以及高速下载、存储等场景带来快捷流畅的使用体验。”

美光176层移动解决方案具有以下优势：

更强的性能：美光176层UFS 3.1解决方案相比上一代产品的顺序写入速度提升75%，随机读取速度提升70%，大幅提升应用性能。

更快的下载速度：1500MB/秒的顺序写入速度意味着下载一部10分钟的4K (2160 像素分辨率) 网络视频只需0.7秒，而下载一部2小时的4K电影只需9.6秒。

更流畅的移动体验：与上一代产品相比，美光176层UFS 3.1解决方案的优秀性能将响应延迟缩短约10%，确保了更可靠的移动体验。

更持久的设备寿命：美光176层移动解决方案可写入的总字节数比上一代产品高出一倍, 这意味着可存储之前两倍的总数据量，而不会损害设备的可靠性。即使是重度手机用户，也会发现智能手机的使用寿命大幅提升。

美光176层UFS 3.1移动解决方案供货

基于美光176层分立式NAND的UFS 3.1移动解决方案现已公开出货，提供128GB、256GB和512GB三种容量。

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