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东芝的nand闪存模块西数东芝宣布128层3D NAND闪存：单颗512Gb 或命名为BiCS-5

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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西数东芝宣布128层3D NAND闪存：单颗512Gb 或命名为BiCS-5

外媒报道称，西部数据（WD）和东芝（Toshiba）已经开发出了 128 层 @ 512Gbit 容量的 3D NAND（又称 TLC）缓存。 如果沿续此前的命名习惯，我们可以把它叫做 BiCS-5 。因为 BiCS-4 为 96 层，BiCS-3 为 64 层。与 BiCS-4 闪存颗粒相比，新技术额外多出的 32 层，能够轻松将容量提升 1/3、从而大幅降低制造同等容量终端产品的成本。

相关产品有望在 2020 年末投产，并在 2021 年实现量产。 由富国银行（Wells Fargo）资深分析师 Aaron Rakers 搭建的生产模型可知：

假设模具尺寸为 66 平方毫米、密度为 7.8Gb / 平方毫米，那西数-东芝将实现业内最高的 NAND 密度。换言之，只需上一代 85% 的晶圆，就能完成当前所需的供应任务。

据悉，BiCS-5 采用了阵列下电路（CuA）设计。 其中逻辑电路位于芯片的底部，数据层堆叠在它的上方。

Rakers 称，与非 CuA 技术相比，芯片尺寸可缩小 15％。与 96 层的 BiCS-4 相比，BiCS-5 可让模具总体缩小 23％。

将这部分空间释放之后，西数和东芝将能够利用四平面（相较于传统的双平面），将颗粒性能提升两倍。

模具分为四个平面或部分，允许独立或并行访问，吞吐量可达 132MB/s 。相比之下，三星的 110+ 层芯片，只有 83MB/s 的吞吐量。

BiCS-5 闪存颗粒能够在 1.2Gb/s 的 IO 带宽下运行，读取延迟低至 45 微秒。

此外，西数使用 4KB 页面来访问 128 层芯片上的数据，而不是行业传统所限的 16KB 标准页面。

最后，这里介绍的还只是 3D NAND（TLC）的模具。如果升级到每单元 4-bit 的 QLC，还可进一步将单芯容量提升至 682Gb 。

据悉，在上月于旧金山举行的国际固态电路会议上，东芝就已经展示过这项技术。

[via BlockSandFiles]

东芝宣布96层QLC闪存，单片就有266TB

IT之家7月20日消息上午西数刚刚宣布96层QLC闪存，东芝这也紧随其后，立马宣布了自家的QLC闪存。东芝的96层QLC闪存用的和西数一样的技术，但是由于东芝高超的封装技术，东芝单张闪存芯片容量可以达到2.66TB。

东芝是NAND闪存的发明人，还是最早开发3D NAND闪存的，同时也是闪存芯片公司中第一个讨论QLC闪存的。东芝的QLC闪存规格西数的是一样——准确来说是西数的QLC闪存跟东芝一样的，使用的都是东芝的BiCS 4技术，96层堆栈，这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。

基于1.33Tb核心的QLC闪存，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB，现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

西数目前已经出样，今年量产，首发于闪迪SSD硬盘中，但东芝比西数慢一些，今年9月份才开始出样给SSD硬盘及主控厂商，用于评估及开发，2019年才开始批量生产。

西数东芝宣布128层3D NAND闪存：单颗512Gb 或命名为BiCS-5

东芝宣布96层QLC闪存，单片就有266TB

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