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nand 和dram的价格第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

TrendForce最新预测显示，第二季度DRAM合约价格预计将上涨13-18%，NAND Flash合约价格则调整为15-20%，只有eMMC/UFS的价格涨幅较小，约为10%。

在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。

地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。

TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。

随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。

集邦咨询：2023Q4 NAND价格预估增长3-8%，DRAM要开启涨价周期

IT之家 9 月 27 日消息，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估 NAND Flash 价格回暖之后，DRAM 价格也会上涨。

NAND 闪存供应商为减少亏损，2023 年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹，9 月继续上涨。

行业巨头三星继续减产，主要集中在 128 层以下产品中，在 9 月产量下降了 50%，促使其他制造商效仿。

市场专家还预测，NAND 闪存价格将在第 4 季度继续上涨。集邦咨询对第 4 季度 NAND 闪存价格持乐观态度，估计增长约 3% 至 8% ，高于最初预测的 0% 至 5%。

IT之家援引集邦咨询观点，DRAM 的复苏要稍微晚一些，预估将于今年第 4 季度开始上涨，标志着新一轮增长周期的开始。

业内专家指出，DRAM 价格上涨不仅是由于减产和库存清仓等因素，还与人工智能市场有关。由 AI 应用驱动的数据中心市场对 DDR5 的需求有限，导致价格早期飙升。

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

集邦咨询：2023Q4 NAND价格预估增长3-8%，DRAM要开启涨价周期

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