千元机上常见的ufs22和ufs31闪存有哪些区别？差距又有多大？

文/小伊评科技

在目前手机市场上，衡量一款手机性能的标志性数据除了SOC性能之外就要当属闪存性能了，至于运存性能的差距更多的还是体现在数据中，对于用户体验的影响则非常的不明显。本文我们就重点讨论一下闪存。

我们先来谈一下决定闪存性能的因素：

1.闪存标准：大家熟知的eMMC，UFS2.1，UFS2.2，UFS3.1其实就是在描述闪存所用的标准，就像4G和5G一样，标准定义了上限性能。

2.闪存颗粒：性能从高到低可以分为SLC，MLC，TLC和QLC，目前手机上所用闪存颗粒的主要以TLC为主，部分是QLC，不同的闪存颗粒在读写速度上会有一定的差异，但是更多的差别还是体现在寿命方面。

3.主控芯片：每一颗闪存都会拥有一个被集成在内部的控制器，控制器同样也很重要，决定了闪存的性能。

4.SOC的支持程度：不同的SOC支持的闪存标准是不一样的，最新的骁龙778G处理器就从源头上支持UFS3.1闪存，而高通上一代骁龙765G处理器压根就不支持UFS3.1闪存，就算手机厂商给用上了UFS3.1闪存也是于事无补的。

影响闪存性能的因素虽然有很多，但是真正起到决定性因素的还是闪存的标准，从eMMC到UFS2.0，闪存的性能提升了一倍多；从UFS2.X到UFS3.X，闪存的读写性能又有将近一倍多的提升。相比较而言，由于闪存颗粒，主控芯片所带来的性能差异则比较小。

举个例子，在红米K30S上曾经出现过一个不大不小的“闪存门”的风波，主要是因为红米K30S的128G版和256G版的闪存供应商是不一样的，一个是三星另一个则是闪迪，闪存的顺序读写性能要比三星的慢一些，但是慢的也就只有不到20%，相比于不同闪存标准所带来的不同那完全就是小巫见大巫了。

接下来我们书归正题，目前市面上常见的UFS2.2和UFS3.1的差距到底有多大呢？我们来详细对比评测一番：

先来介绍一下UFS2.2，因为相较于UFS3.1，大家对于UFS2.2应该是都比较陌生的。UFS2.2的本质还是UFS2.1，只不过引入了aWriteBooster写入加速技术，在顺序写入方面相比于UFS2.1有一定的提升，但是在读取方面则没有什么提升。

那么UFS2.2和UFS3.1在性能上到底会有多大的差距，又和UFS2.1相比又有多大的提升，我们用三张图就可以说明问题：

UFS3.1：

顺序读取：1962MB/s

顺序写入：1290MB/s

随机读取：274.31MB/s

随机写入：269.58MB/s

UFS2.2：

顺序读取：973MB/s

顺序写入：869MB/s

随机读取：238MB/s

随机写入：246MB/s

UFS2.1：

顺序读取：965MB/s

顺序写入：476MB/s

随机读取：143MB/s

随机写入：148MB/s

从跑分数据上来看，UFS3.1在顺序读写性能上比UFS2.2高了一倍有余 。顺序读写性能的使用场景主要集中在程序的安装 ，系统内文件的复制 以及游戏的加载 这三个方面，也就是说，配备UFS3.1闪存的手机会比配备UFS2.2闪存的手机安装软件速度更快，加载游戏更快。

不过我们也需要看到，UFS2.2在随机读写性能方面距离UFS3.1的差距则并不大，只有10%左右的差距，相较于顺序读写，随机读写在日常使用中碰到的概率会更大，APP打开的响应速度实际上就很依赖于随机读写性能，因为支撑一款APP开启运行的进程不一定会规规矩矩地放在一起，而是会被分布在不同的地址，这个时候就需要依靠闪存的随机读写能力发挥作用了。从这一点上来看，UFS2.2相比于UFS2.1的升级还是非常明显的，UFS2.1平均只有UFS3.1的一半左右。

end 希望可以帮到你

注意不是内存！谁在影响手机的存储（ROM）性能？

就好像新款PC的主硬盘已经全面过渡到SSD一样，如今智能手机的闪存也都经历了一次较大的迭代，就是从eMMC闪存跨越到了UFS闪存。那么，又有谁在影响UFS闪存的性能呢？

RAM和ROM的区别

直到现在还有不少朋友搞不清RAM和ROM的差异，本文我们就再做次小科普。RAM代表手机内存（又称“运存”），就好像PC上的内存条，只是手机内存都是一颗单独的芯片。ROM代表存储空间（又称“闪存”），类似PC上的硬盘，而手机上的ROM依旧是以一颗NAND闪存芯片的形态存在。

闪存标准

早期智能手机都内置eMMC闪存，它是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者“打包”封装封成一颗BGA芯片，从而减少了对PCB主板的空间占用。eMMC的最新标准为eMMC 5.1，常见于千元以内的入门级手机市场，读取速度最高只有400MB/s左右。

UFS是eMMC的进阶版，它是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得以翻番。

UFS目前存在UFS2.0（读取速度700MB/s）、UFS2.1（900MB/s）、UFS2.2（900MB/s）、UFS3.0（1700MB/s）和UFS3.1（1900MB/s）等标准，UFS2.x常见于中低端产品，UFS3.x则是高端手机的标配。

闪存通道

和内存一样，UFS闪存也存在单通道和双通道之别，两者读写性能相差30%~50%之间。好消息是，如今新款手机都已标配双通道UFS，所以咱们只要简单了解一下即可。

Write Turbo技术

Write Turbo是UFS3.0时期引入的一项虚拟技术，很多品牌主打的闪存增强技术大多是基于它优化而来。我们都知道，现在手机闪存都是TLC介质的NAND芯片，它的优势是可以在每个存储单元中保存3bit，能以低成本实现更大的容量，但读写，特别是写入速度远不如SLC NAND。

所谓的Write Turbo，其实就是虚拟SLC技术。它会将部分TLC闪存容量虚拟成SLC，当手机在写入数据时，系统会优先将其写入到虚拟的SLC空间，由于后者每个存储单元只需保存1bit数据，所以写入速度会有大幅提升（读取速度也有明显提升）。

但是，如果一次写入的数据容量超过了虚拟SLC容量，读写速度便会骤降至TLC的水平上。

各大手机厂商会在虚拟SLC的容量和调度规则上存在差异，比如有些厂商会选择全盘虚拟SLC的方式，随着使用空间的逐渐增加，速度会逐渐下降。因此，都是内置UFS3.1+Write Turbo闪存的手机，它们之间的实际体验可能也有高低之分。

最新量产的UFS2.2，本质上其实就是UFS2.1+Write Turbo，可以将持续写入速度从250MB/s提升到500MB/s以上。

磁盘阵列存储系统

除了使用Write Turbo虚拟SLC以外，黑鲨4 Pro和黑鲨4S系列还给我们带来了一个全新的思路——磁盘阵列存储系统。

简单来说，这款手机除了内置闪存芯片以外，还额外添加了一颗来自群联的SSD芯片，并将二者组成了Raid 0阵列，如此让手机的读写速度都有着50%以上的提升。

RAMDISK磁盘加速器

黑鲨4 Pro和4S系列同时还主打一项名为RAMDISK磁盘加速器的功能。提起“RAMDISK”很多朋友应该非常熟悉，很早以前CFan曾多次报道过如何将电脑闲置内存使用虚拟成RAMDISK“内存盘”，保存其中的程序运行飞快，但每次关机内存盘都会被清空，下次开机后还需重新加载程序。

电脑领域的RAMDISK内存虚拟硬盘软件

黑鲨的RAMDISK磁盘加速器的原理和内存盘差不多，都是直接通过内存模拟闪存存储空间，让游戏文件直接在内存中完成读写，游戏的启动、加载和运行速度更是大幅提升。需要注意的是，该功能仅限标配12GB或16GB内存的高配版本，8GB内存版则不支持RAMDISK技术。

原因也很简单，在当前的应用环境8GB内存都不嫌多，哪里还有额外空间供你虚拟闪存？此外，同一时间仅有一款游戏可以运行在基于RAMDISK技术的极速模式下，想切换其他游戏时必须等待一定的时间让极速模式挂载完成。

闪存内存合二为一

作为手机内部最占用PCB主板空间的“大户”，内存（包括隐藏在其下面的SoC）和闪存的体型都不小，如果能将这颗存储芯片也和处理器内存摞在一起，不就可以更加节省主板空间了吗？2020年底，美光发布的uMCP5闪存技术就有望实现这个梦想。

简单来说，uMCP5是全球首次通过MCP多芯片封装的方式，在单颗芯片内就完整集成了自家的LPDDR5内存芯片、NAND闪存芯片以及UFS 3.1控制器，它采用TFBGA封装格式，最大可选12GB+256GB容量。其中，该产品LPDDR5内存的部分支持6400Mbps的数据传输率，UFS3.1闪存部分的编程/擦写循环次数可达到5000次。

总之，美光uMCP5的出现，可以进一步提升手机的存储密度，节省内部空间、成本和功耗，而我们也期待这种“二合一”的存储芯片可以早日在手机领域量产，并有机会用于笔记本等其他计算设备领域。

小结

作为影响手机性能输出的“铁三角”，闪存和内存的重要性不次于处理器，因此每次它们的技术革新，都会带来切实的实际体验提升。希望大家今后在选购手机时，可以将目光多多投向这两个领域的优化和升级上。

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