东芝宣布96层QLC闪存，单片就有266TB

IT之家7月20日消息上午西数刚刚宣布96层QLC闪存，东芝这也紧随其后，立马宣布了自家的QLC闪存。东芝的96层QLC闪存用的和西数一样的技术，但是由于东芝高超的封装技术，东芝单张闪存芯片容量可以达到2.66TB。

东芝是NAND闪存的发明人，还是最早开发3D NAND闪存的，同时也是闪存芯片公司中第一个讨论QLC闪存的。东芝的QLC闪存规格西数的是一样——准确来说是西数的QLC闪存跟东芝一样的，使用的都是东芝的BiCS 4技术，96层堆栈，这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。

基于1.33Tb核心的QLC闪存，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB，现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

西数目前已经出样，今年量产，首发于闪迪SSD硬盘中，但东芝比西数慢一些，今年9月份才开始出样给SSD硬盘及主控厂商，用于评估及开发，2019年才开始批量生产。

东芝公布BICS-5芯片：最高128层堆栈NAND

东芝半导体在2月旧金山举行的国际固态电路会议上，已经展示过128层3D堆栈的NAND Flash芯片。日前，西部数据和东芝公布了128层闪存的具体规格，单颗容量512Gbit的3D NAND(TLC技术)闪存。新产品最快在2020年末投产，并在2021年实现量产。

如果沿续此前的命名习惯，这款产品将会被命名为BiCS-5(BiCS-3为64层、BiCS-4为96层)，比上一代BiCS-4闪存颗粒多出的32层，将同大小的芯片容量提升1/3，从而降低芯片的制造成本。

富国银行(Wells Fargo)资深分析师Aaron Rakers通过搭建的生产模型的方式，来计算东芝BICS-5的尺寸面积和性能数据。

Aaron Rakers假设芯片尺寸为66平方毫米、密度为7.8Gb/平方毫米，西数-东芝只需要85%的面积，就可以完成容量需求，西数-东芝同时也实现了单NAND芯片的最高密度。

东芝BICS-5采用的CuA设计，其逻辑电路位于芯片底部，数据层堆叠在上方。与96层BiCS-4相比，BiCS-5可以让模组总体缩小23%。

与传统的双平面相比，西数和东芝将充分利用四平面带来的优势，允许独立或并行访问，将颗粒性能提升两倍，使芯片吞吐量可达132MB/s，是上代66MB/s的两倍。

西数没有使用传统的16KB标准页面访问128层芯片数据，而是使用不受限制的4K页面。所以BiCS-5闪存颗粒能够在1.2Gb/s的IO带宽下运行，读取延迟低至45微秒。

使用BICS-5技术的3D NAND(TLC颗粒)可以实现512Gbit的容量，采用4bit的QLC芯片，还可进一步将单芯容量提升至682Gb。

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