长江存储已量产232层3D TLC NAND闪存，领先于三星、美光、SK海力士等厂商

长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。

据Tech Insights报道，长江存储的X3-9070已经量产了，除了用于致态TiPlus7100系列SSD，还被用在海康威视的CC7002TB SSD上，这是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案，领先于三星、美光、SK海力士等厂商。

据长江存储介绍，X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0规范，相比上一代产品提高了50%的性能；得益于晶栈3.0架构，X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb（128GB）的存储容量；采用6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。

作为存储大厂，今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+层的3D NAND闪存解决方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，称准备在2022年末开始生产，其采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。到了8月，SK海力士宣布已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。三星在上个月宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层。

长江存储交付192层NAND芯片？5年时间，国产就追上三星、美光了

近日，外媒报道称，国产存储芯片大厂长江存储已经向客户交付了自主研发的192层的3D NAND闪存，在今年年底前将会大规模交付。

我们再结合前段时间的消息，那就是长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

这两则消息一结合，意味着国产存储芯片，真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。

要知道目前NAND闪存最高规格也就是UFS3.1，至于UFS4.0，三星都还只提出个概念，没有量产交付，预计是年底甚至更晚

而3D NAND闪存当前最高量产层数，也就是192层，美光两早两天推出了232层，但也没有规模量产，预订要到年底或更晚才会量产交付。

而我们一旦搞定UFS3.1，再搞定192层NAND闪存，就证明国产NAND存储芯片，就达到了世界顶尖水平。

长江存储是2016年7月份成立的，至今也就5年多时间，但直到2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品。

到2019年，长江存储推出了64层TLC技术，当时三星、美光等厂商，已经推出了128层的NAND闪存。

后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术，然后跳过了96层这个阶段，直接从64层堆叠，在2021全面进入到128层堆叠。

不仅如此，采用Xtacking技术后，长江存储的128层堆叠的NAND闪存，在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准，性能甚至略胜一筹。

不过三星、美光在2021年已经能够推出192层堆叠的NAND闪存了，总体来讲，还是落后一代，而层数越高，密度越大，成本就越低。

如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。

按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4%，预计到再到2022年预计的7%。

可见，仅仅5年多时间，国产内存就从0起步，真正追上了国际顶级大厂，以后再也不用担心在内存芯片上被卡脖子了， 因为我们不仅有，一样全球领先。

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