iPhone 6s和6s Plus评测:系统性能NAND
你是不是也认为在智能手机中,硬件规格的重要性逐渐减小,那就让这些测试来说话吧。
如今行业很多人认为硬件规格的重要性逐渐减小,但 AnandTech 表示他们测试 iPhone 6s 的系统性能并不是要证明这个看法正确与否,从结果来看 Soc 性能还是很重要的。除了屏幕,SoC 和 RF 子系统是手机上最耗电的部分。但是重点在于,既然 SoC 这么耗电,那它的性能也应该对得起它所耗掉的这些电量。为了测试 iPhone 的 SoC,AnandTech 还是通过他们的标准跑分工具来测试,看看在各种情况下设备的性能如何。
在这个标准的网络浏览器跑分中,iPhone 6s 和 iPhone 6s Plus 的领先优势很明显。为了避免优化目标,他们还有 JavaScript 跑分。其中比较有趣的是 Ember Performance,它只是一个 JavaScript 应用框架,很多网站和应用中都使用该框架。目前它的人气还不及 AngularJS,但是在没有比较好的选择之下,EmberJS 也是可以用的。
在这个跑分中,我们可以看到 iPhone 6s 相比其他确实有很大的性能提升。奇怪的是三星的 S-Browser 竟然比 Chrome 慢,不过这也可能是因为 S-Browser 使用的是旧版本 Chromium,所以三星整合到 S-Browser 中的平台优化并没有发挥其作用。
Basemark OS II 中苹果基本也是一马当先。虽然差别没有单线程浏览器跑分的明显,但是 iPhone 6s 整体性能还是有优势的。
总的来说,在和 CPU 性能关联较大的测试中 iPhone 6s 的优势就比较明显。当然在 Snapdragon 810 和 Exynos 7420 等 SoC 推出之后,苹果还有 6-8 个月的时间来追赶,所以这样的差别应该也是意料之中的。不过真正让人好奇的是未来 Exynos 和 Snapdragon SoC 的 CPU 性能是不是会继续落后于 A9。
3DMark 测试中你也看到了 iPhone 6s 的优势就在那里摆着。
看到 GFXBench 的结果你可能都不相信 A9 SoC 有这么强。iPad Air 2 的 GPU 速度其实已经非常快了,但是在 A9 中苹果在他们的智能手机 SoC 中超过了这个速度。新一代 PowerVR GPU IP 和 FinFET 制程显然是性能有此提升的原因。
总的来说 A9 SoC 是市面所有手机中最强的 SoC。在网络浏览、游戏甚至只是用户界面的浏览,我们都能看到新款 SoC 是设备性能和流畅度提升的主要原因。这也说明如今“规格”仍然重要,因为它会直接影响到用户体验。
NAND 性能
如今存储性能的重要性已经是不言而喻,但是这方面的测试目前才刚刚起步。在 iPhone 6s 中苹果选择使用的存储解决方案是 PCIe 和 NVMe,而不是 UFS 或 eMMC。从很多方面来说,这样的选择会让设备的存储更接近于 SSD,但是因为 PCB 限制,所以你也看到不到真正 SSD 上的并行性。AnandTech 测试的机型使用的都是 Hynix 的 NAND。为了看看这种存储解决方案表现如何,他们使用 Eric Patno 的存储测试,它支持简单的存储测试,可以和 AndroBench 3.6 相比。
我们可以看到,使用 TLC NAND 和 SLC 缓存,还有新的 NVMe 协议之后性能确实有大幅提升。这样的提升有利于照片连拍和应用更新。相比 iPhone 6,在 iPhone 6s 上下载和上传应用的速度会有明显提升,至于有多快,测试发现在Wi-Fi连接下,一些小的应用瞬间就安装好了。
并非eMMCUFS,苹果iPhone6s内部闪存是NVMe
iPhone6s与iPhone6s Plus在硬件的规格上有了很大的提升,但是它们身上的变化远没有苹果在发布会上所提到的A9处理器、1200万摄像头以及3D Touch那么简单,内存升级到2GB LPDDR4苹果就只字没提到,其实这两台手机上有着更大的秘密,它们的存储设备既不是eMMC也不是UFS规范,而是NVMe。
Anandtech透过深度发掘手机内的系统文件,发现iPhone 6s所用的是型号为AP0128K的苹果SSD,而2015版MacBook上所用的SSD型号为AP0256H,这两者在命名上很相似。
他们发现iPhone 6s上的SSD用的不是传统eMMC所用的SDIO接口,而是PCI-E,这个PCI-E也不电脑上的那个,是基于MIPI M-PHY物理层的PCI-E,使用NVMe接口协议,UFS规范走的也是PCI-E物理层同样是MIPI M-PHY,不过接口协议是SCSI。
一般来说现在智能手机都是使用eMMC规范的闪存存储装置,今年三星在Galaxy S6系列手机上推行了UFS 2.0规范的存储装置后手机的闪存读写性能获得显著提升,大幅抛离其他手机,现在苹果要在iPhone 6s系列手机上使用的NVMe则更是电脑上用的最新规范。
从iFixit拆解iPhone 6s和iPhone 6s Plus的照片上来看,上面闪存也只有一颗,没看到控制器,可以推断这个芯片其实已经整合了控制器以及NAND Flash,Anandtech读出了他们所测的机器上的闪存内部信息,NAND型号是1Y128G-TLC-2P,也就是说使用1Y nm工艺的TLC NAND,容量为128GB。
下面是iPhone 6s的闪存性能测试,大家来感受一下NVMe的威力:
连续读取速度是402MB/s,远远抛离上代产品
连续写入速度为164MB/s,比上一代产品翻了一翻
4K随机读取速度为22.5MB/s,比上代也有大幅提升,不过没三星的Galaxy S6强
4K随机写入速度为2.2MB/s,也较iPhone 6有很大提升,不过手机与平板这项表现都偏弱
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