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dram涨价 nand.涨价 DRAM涨价潮？三星，美光据报道酝酿提价15%-20%

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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DRAM涨价潮？三星、美光据报道酝酿提价15%-20%

DRAM涨价潮即将来临，预计提价20%。

据媒体1月3日报道，内存模块行业传出消息称，三星电子和美光等主要内存制造商计划在2024年第一季度上调DRAM的价格，幅度预计在15%到20%之间。

业界分析认为，此举主要是为了改善盈利状况，其中价格上涨的重点将从NAND Flash转移到DRAM， 尤其是DDR4和DDR5这两种类型的DRAM，本轮内存价格的上涨趋势预计将持续到2024年底。

大摩预计三星将通过内存涨价快速提高利润率，上调三星的盈利预测。

供给触底，需求回升

据报道，由于先前DDR4的库存偏高，且市场价格表现疲弱，预计2024年上半年将重点上调DDR4和DDR5的价格。 12月DRAM的报价仅微幅上调了2至3%，但仍然明显低于3D TLC NAND 10%的涨幅。至于DDR3，由于产能和需求相对稳定，其价格涨幅预计相对平缓，而NAND的涨幅虽然尚未明确，但预计将继续上调。

韩国DRAM主要制造商在2023年下半年已连续两个季度降低DRAM的生产率，第四季度晶圆产出已达到谷底 。例如，三星第四季度DRAM产出仅约为2023年第一季度的70%左右，同时也逐步增加高级制程的产出。

存储芯片行业熬过了凛冽寒冬，正迎来周期性需求改善，随着手机和服务器需求逐渐回升，预计2024年DRAM市场的供应将继续紧张。目前上游原厂筹划调涨DRAM报价，下游客户已经开始补低价库存和备货。

摩根士丹利也在此前报告中指出：

下游客户已经开始补库存，中国智能手机OEM厂2024年Q1订单量将大幅增加，电脑ODM/OEM也在建立库存。而智能手机制造商重新补库存将带来价格的上涨，库存将恢复到正常水平(移动DRAM需要4-6周，NAND需要6-7周)。

从供需方面来看，存储厂商在大幅减产之后，产量远远低于需求，随着着需求的改善，2024年的价格上涨前景将更加明确。

此外，大摩指出，人工智能需求将进一步提振存储芯片价格， 虽然人工智能应用程序大部分都部署在云端，但从2024年开始，边缘需求将变得越来越普遍(移动人工智能)，并可能逐渐进入智能手机升级周期。

需求尚未稳定，但内存股已开始进入乐观阶段

但市场需求尚未稳定，DRAM价格能否如同NAND Wafer那样强劲上涨，还需观察农历新年后的市场需求情况。

业内认为，市场实际购买力并未完全复苏，短期内交易需求较为平淡 ，预计第一季度上半及农历新年前，终端市场将保持观望态度。第一至二季度将是关键，如果主要应用的出口需求顺利衔接，内存行业的繁荣局面将得以确立，产业供不应求的情况将成为必然。预计供应给OEM厂的合约价将在第二季度全面反映DRAM的涨势。

大摩认为，随着每股收益同比增长加速，内存股往往表现优异，现在刚刚进入周期中期/乐观阶段，DRAM现货价格同比为-16%，距离峰值水平仍有距离。而抛开估值不谈，存储芯片周期已经从2023年第一季度的低点恢复，进入2024年将进一步改善。

美股内存股现在较上一个周期要便宜得多，存储芯片行业将进入周期性增长加速、需求明显提高的时期。

本文来自华尔街见闻，欢迎下载APP查看更多

TrendForce：二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%，NAND Flash约15~20%

根据TrendForce集邦咨询的最新预估，2024年第二季度DRAM合约价格的季度涨幅将被上修至13%至18%，而NAND Flash合约价格的季度涨幅也将同步上修至大约15%至20%。在全线产品中，仅eMMC/UFS的价格涨幅较小，约为10%。

在403地震发生之前，TrendForce集邦咨询曾预估第二季度DRAM合约价格的季度涨幅约为3%至8%，NAND Flash则为13%至18%，相较于第一季度涨幅明显收敛。当时，现货价格的先行指标已经显示出连续走弱的迹象，上涨动能不足，交易量减少。主要原因在于除了AI之外的终端需求不振，特别是笔记本电脑和智能手机的需求尚未出现复苏迹象。买方手中的库存逐渐增加，尤其是PC OEM的库存。此外，由于DRAM和NAND Flash已经连续涨价2至3个季度，买方对大幅涨价的接受度降低。

地震发生后，市场出现了一些PC OEM供应商因特殊考量而接受较高的DRAM及NAND Flash合约价格涨幅的情况，但这些仅是零星的成交。到了4月下旬，随着相关业者完成新一轮合约价格的议价，涨幅超出了最初的预期。这促使TrendForce集邦咨询上调了第二季度DRAM和NAND Flash合约价格的预估涨幅。这一调整不仅反映了买方希望支撑其库存价值，更重要的是考虑了供需两端对AI市场的预期。

TrendForce集邦咨询指出，由于对HBM产能排挤效应的担忧，特别是三星的HBM3e产品，预计将在2024年底前占用约六成的1alpha制程产能，这将进一步排挤DDR5的供给量，尤其是在第三季度HBM3e生产量增加时影响最为显著。因此，买方愿意在第二季度提前备货，以应对第三季度可能出现的HBM供应短缺。

同时，随着节能成为AI推理服务器（AI Inference Server）的优先考虑因素，北美的云端服务提供商（CSP）正在扩大采用QLC Enterprise SSD作为存储解决方案，这推动了QLC Enterprise SSD的需求，并加快了部分供应商库存的去化，导致一些供应商出现了惜售的心态。然而，由于消费性产品需求的复苏情况不明朗，原厂普遍对非HBM晶圆产能的资本支出持保守态度，尤其是在价格仍处于损益平衡点的NAND Flash领域。

本文源自金融界

DRAM涨价潮？三星、美光据报道酝酿提价15%-20%

供给触底，需求回升

需求尚未稳定，但内存股已开始进入乐观阶段

TrendForce：二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%，NAND Flash约15~20%

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