美光详解全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，最高 TLC 密度

IT之家 7 月 27 日消息，昨晚，美光公司宣布全球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡工厂量产，初期将以封装颗粒形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

现在，美光发文介绍了 232 层 NAND 的相关技术。

官方表示，该技术节点达到了现今业界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s， 比美光 176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品相比，美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽提高 100%，读取频宽亦增加超过 75%。

此外，美光 232 层 NAND 引进全球首款六平面（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC 闪存中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。

232 层 NAND 的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性，也实现了有史以来最高的 TLC 密度（14.6 Gb / mm2） ，其单位储存密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封装使其成为目前最小的高密度 NAND，在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主板空间。

美光的 232 层 NAND 也是首款在生产中支援 NV-LPDDR4 的产品，此低电压介面与过去的 I / O 介面相比可节省每位元传输逾 30%。

美光表示，232 层 NAND 突破性功能将助客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的移动装置和整个智慧边缘领域提供更多创新解决方案。

消息称三星明年推出第10代NAND：三重堆叠技术，最高430层

IT之家 4 月 28 日消息，三星半导体日前宣布量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品，位密度（bit density）比上一代产品提高约 50%，通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。

第九代 V-NAND 采用双重堆叠技术，在旗舰 V8 闪存的 236 层基础上，再次达到了 290 层，主要面向大型企业服务器以及人工智能和云设备。

而业内消息称三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片 ，采用三重堆叠技术，达到 430 层，进一步提高 NAND 的密度，并巩固和扩大其领先优势。

市场研究公司 Omdia 预计，NAND 闪存市场在 2023 年下降 37.7% 后，预计今年将增长 38.1%。为了在快速增长的市场中占据一席之地，三星誓言要大力投资 NAND 业务。

IT之家此前报道，三星高管表示，该公司的目标是到 2030 年开发超过 1000 层的 NAND 芯片，以实现更高的密度和存储能力。

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