西数首发96层3D NAND闪存：不止有TLC，还有QLC

西数最近忙着跟老朋友东芝纠缠NAND业务出售一事，就算留不住他的心，也希望留住他的人，坚决不放弃收购的可能性。另一方面，双方的斗争也没影响合作，西数今天又点出了新的科技树——全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，使用了新一代BiCS 4技术，预计下半年开始出样。值得注意的是，西数的BiCS4闪存不仅会有TLC类型的，还将支持尚未公开上市的QLC类型。

西数全球首发了96层堆栈的BiCS4 3D闪存

3D NAND闪存将在2017年超越2D NAND闪存成为主流，四大NAND厂商也都量产了32层、48层堆栈的闪存，64层堆栈的NAND闪存也有三星、东芝、西数、IMFT在下半年量产，SK Hynix的则是72层堆栈。再下一代就要轮到96层堆栈了，不过这次首发的并不是预期中的三星，而是西数。

西数公司今天宣布推出96层堆栈的3D NAND闪存，相比目前64层堆栈的闪存使用的BiCS 3技术，96层3D NAND闪存使用的是BiCS 4技术，预计在2017年下半年出样给客户，2018年开始量产。

堆栈的层数越多，3D ANND闪存容量就越大，成本月底，不过西数目前的96层堆栈闪存核心容量为256Gb（官方未公布是MLC还是TLC），尚且不及64层堆栈的512Gb（TLC）核心容量。

BiCS 4技术最大的意义不只是堆栈层数更多，西数提到96层3D NAND闪存不仅会有TLC类型的，还会支持QLC，也就是4bit MLC闪存。早前我们也多次提到了QLC闪存的优缺点，但是从今年台北电脑展上得到的消息来看，QLC闪存已经是势不可挡了，明年就会开始进入市场。

如今西数第一个表态会支持QLC闪存，三星、东芝、美光、Intel、SK Hynix等厂商的QLC闪存也不会太远了。尽管QLC闪存的可靠性、寿命要比TLC更差一些，不过从实际测试来看，随着容量的增加、技术的改善，TLC闪存并没有想象中那么容易写死，现在TLC闪存已经是市场上的主流了，MLC闪存已经少见了。

QLC闪存未来也要经过多次考验，大家接受这种闪存可能有个过程，大家对QLC闪存有什么想要了解的，可以加小超哥（id:9501417）咨询。

三星：下一代闪存将采用双层堆叠，可望实现256层

当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术，最多可具有128层。引入双层堆叠技术后，使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层，取决于三星接下来的考量。

在昨日举行的投资者论坛上，全球存储芯片龙头厂商三星电子透露，它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“双层堆叠”（Double-stack Technology）技术，并且有可能开发256层设备。

双层堆叠使256层闪存可行

NAND闪存是一种非易失性存储器，由于保存资料时不需要消耗电力，断电也可以存储数据。

NAND闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量，更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。与单层堆叠解决方案相比，双层堆叠的方法可以更快地集成更多层。

三星V-NAND技术图解/图源三星

去年8月，三星推出了第六代V-NAND闪存。为使V-NAND具有超过100层的可行性，三星采用了新的电路设计技术。当前，三星计划利用双层堆叠技术来开发其下一代V-NAND闪存。

闪存市场供过于求持续，但存储供应商不改积极扩产态势，竞争日益激烈。根据TrendForce集邦咨询 的数据，三星是全球最大的NAND闪存制造商，今年第三季度的市场份额为33.1％。

在下一代闪存中引入双层堆叠方案，三星此举有助于进一步巩固其领先地位。

据韩联社报道，第七代V-NAND正处于开发阶段，预计将于明年量产，但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示：“我们的第六代V-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，但如果我们采用双层堆叠技术，256层堆叠是可能的。”

最佳层数取决于市场

虽然在技术上可以实现256层NAND闪存，但是韩进满表示，这并不一定意味着三星的下一代NAND将具有这样的层数配置。

韩进满说：“芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。”“这不是关于'你可以堆叠多少层'，而是关于'目前市场上最佳的层数”。”

集邦咨询分析师叶茂盛 在探讨全球闪存产业发展态势时给出预测：制程方面，在2020年NAND Flash叠堆技术突破100层后，2021年继续往150层以上推进。与此同时，单芯片容量也将自256/512Gb推进至512Gb/1Tb。

叶茂盛指出，2021年厂商将积极借助成本改善吸引客户升级容量。

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封面图片来源：拍信网

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