nand与emcc区分闪存UFSeMCC 到底是什么鬼？

发布时间 : 2024-10-11

作者 : 小编

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闪存UFSeMCC 到底是什么鬼？

相信大家对华为的闪存门都还记忆犹新，一直被忽略的闪存终于引起大家的关注。当时华为把EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1三种原件混着用，三者的读写速度有很大的差别，直至被网友爆出来引发舆论。然而EMMC、UFS这些是什么鬼，对手机使用实际究竟有多大影响？对不怎么关注这方面的人来说，脑海里面估计只剩下大大的问号，那下面跟着小兽一起来探讨下。

一、什么是闪存

闪存是手机存储数据的地方。断电前提下仍能存储我们日常下载的音乐、视频等数据，内存则是在应用执行时，作为应用数据的临时存放处。

二、eMMC和UFS的差别

闪存的大小主要是影响手机文件存储多少，读写速度可以左右加载速度快慢。目前主流的闪存规格主要有两种，一种由MMC制定的存储规格，简称为eMMC；另外一种是UFS，是一种基于UNIX文件系统的简称。

eMCC最明显的优势是控制器和存储颗粒同时封装在一起，可以很好的解决控制器和存储之间的规格标准问题；UFS则是是采用串行数据传输，支持全双工运行，可同时读写操作，传输速度快，功耗比eMMC降低一半。

三、读写速度

手机闪存的eMMC标准规格从eMMC 4.4发展到eMMC 4.5，读取速度实现翻番达到200MB/s。然后，很快又进入了eMMC 5.0时代，读写速度再次翻番达到400MB/s，最新的eMMC5.1，理论带宽达到600MB/s。然而在读写速度方面，UFS 2.0更是领先一大截，如UFS 2.0闪存读写速度最高可达到1400MB/s，将近eMMC 5.0的3倍（以上速度均为理论宽带速度）。

根据三星提供的数据来看，UFS 2.0闪存的连续读写速度为350MB/s和150MB/s，而eMMC 5.1闪存的连续读写速度则为250MB/s和125MB/s，比起UFS2.0闪存确实要逊色。

而华为荣耀最新推出的荣耀V10用androbench测试结果来看：

荣耀V10的持续读取速度达到了845.84MB/s，持续写入速度达到了196.49MB/s，随机读取速度为150.98MB/s，随机写入速度为161.28MB/s，完全达到了UFS 2.1标准，所以不用担心。

因此，UFS 2.0/2.1闪存的读写速度有着巨大优势。

四、实际手机影响

· 我们可以看到，UFS确实比eMCC更有优势，那对手机实际的使用有哪些呢？

直白点说，搭载UFS 2.0/2.1的手机有更好的体验：

●在运行多任务时候速度更快，eMCCz只能支持读或写分开执行，而UFS可以读写同时执行，因而肯定是UFS的快。

●大型游戏载入快、延迟低，在玩大型游戏时，无论是载入还是游戏中，都需要将数据传输用闪存传输到内存中处理，因而是UFS的快。

●功耗更低，UFS的速度快能更快完成任务，所消耗的时间更短。

五、最新科技进展

前几天，闪迪闪存发布了旗下新一代iNAND嵌入式闪存芯片，其中包含了UFS和eMMC两种标准的嵌入式闪存芯片。 iNAND 8521的连续读取速度超过800MB/s，写入速度超过500MB/S ，随机读取速度则是比上一代的iNAND 7232快了10倍。随机读取速度高达50K IOPs，写入45K IOPs。

与此同时，三星也在同一天宣布旗下的512GB eUFS2.1闪存已经进入了量产阶段。这个512GB eUFS闪存的速度是此前48层V-NAND 256GB eUFS的两倍之多，它的顺序读取速度为860MB/S，顺序写入速度为255MB/S，随机4K读取速度为42,000 IOPS，随机4K写入速度为40,000 IOPS

刚发布就秒，求三星的阴影面积...

六、总结

正是UFS这些优势，所以目前市场上旗舰机搭载UFS已成为大势所趋；而根据当前的科技进展来看，大存储就是另外一个趋势，大家以后买手机的时候注意啦。

同为闪存！SSD、eMMC、UFS有何不同

如同内存在不同应用场景中可以分为DDR、LPDDR、GDDR一样，闪存在不同的设备中也以不同形式存在，比如SSD、UFS和eMMC。如果你对数码感兴趣，很容易想到SSD经常在电脑或服务器中出现，而UFS和eMMC则大多出现在智能手机等移动设备上。那么，既然SSD、UFS、eMMC都是闪存，它们的区别又在哪呢？

什么是闪存

首先，我们来了解一下它们的共同点。闪存（Flash Memory），指现在最常用的断电不丢失信息的半导体存储芯片，具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点。

闪存主要分为NAND Flah、NOR Flash，这两种类型都是日本人发明后又经过美国Intel公司继续开发的。 NAND Flash具有较快的抹写时间，而且每个存储单元的面积较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash的十几倍。而SSD、UFS、eMMC都属于NAND Flash。

SSD与UFS、eMMC的差别

就应用场景来说，UFS和eMMC是一类，都被使用在一些较小的移动设备上，而SSD一般则出现在电脑或服务器上。

SSD的主要作用是取代之前的HDD（机械硬盘），拥有超大容量，极高的并行性、对功耗和体积要求不敏感、兼容已有接口技术等特点。 为了达到高并行、高性能的要求，一个SSD有多颗Flash芯片，这样就可以在每个芯片上进行相互独立的读写操作，以并行性来提高硬盘吞吐量，还可以增加冗余备份。

而在寸土寸金的移动设备中，为了节省空间和功耗，eMMC和UFS通常只有一颗密度较高的Flash芯片。 eMMC中的「e」是「Embedded（嵌入）」的意思，而UFS原本称作eUFS，也就是说它们是嵌入在主板上的，并不像SSD一样有SATA或M.2接口可以插入，方便更换或升级。

此外，管理一颗Flash芯片和管理多颗Flash芯片，策略肯定是不一样的，因此它们的控制器也就完全不同了。这些便是SSD与eMMC和UFS的区别。

eMMC和UFS的区别

SSD与eMMC、UFS很好区分，但eMMC与UFS却有不少相似之处，所以接下来我们来看eMMC与UFS之间的区别。

虽然说eMMC闪存和UFS闪存在外观和作用上都没明显区别，但是实际上两者的内部结构却有着本质上的差异。eMMC的全称为「embedded Multi Media Card」，即嵌入式的多媒体存储卡。eMMC是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者「打包」封装成一颗BGA芯片，从而大幅降低多芯片的空间占用和布线难度问题。

eMMC闪存基于并行数据传输技术打造，其内部存储单元与主控之间拥有8个数据通道，传输数据时8个通道同步工作，工作模式为半双工，也就是说每个通道都可以进行读写传输，但同一时刻只能执行读或者写的操作，与PC上已经淘汰的IDE接口硬盘很是相似。

这在实际应用中的影响就是，当我们将手机与PC连接，在拷贝照片的同时将无法访问手机存储空间内的其他文件夹，也无法同时往手机里拷贝数据，只有等照片传输完毕后才能进行其他操作。

而UFS 的全称是「Universal Flash Storage」，也就是通用闪存存储，它是基于串行数据传输技术打造，其内部存储单元与主控之间虽然只有两个数据通道，但由于采用串行数据传输，其实际数据传输时速远超基于并行技术的eMMC闪存。此外UFS闪存支持的是全双工模式，所有数据通道均可以同时执行读写操作，在数据读写的响应速度上也要凌驾于eMMC闪存。

正因为eMMC闪存与UFS闪存在内部结构上存在着本质上的区别，这让两者的理论带宽产生了极大的差异。近年来比较常见的eMMC闪存多应用eMMC 4.x或者5.x规范，其中eMMC 4.5常见于低端设备，理论带宽为200MB/s，现在已经基本淘汰；而eMMC 5.0/5.1标准理论带宽分别为400MB/s和600MB/s，从数字上看并不算低。

然而与UFS闪存相比，eMMC闪存的这点理论带宽就不够看了。UFS闪存的相关标准是在2011年2月份首次亮相，当时的UFS 1.1标准其已经可以提供相当于300MB/s的理论带宽，而eMMC闪存要到2012年的eMMC 4.5标准时才可以提供200MB/s的理论速率。只是由于当时的应用环境以及成本等因素的限制，USF 1.1标准未能得到大规模的推广。

直到2014年UFS 2.0规范出炉后，eMMC闪存才被彻底碾压。UFS 2.0规范分为两部分，第一部分是UFS HS-G2规范，也就是我们常说的UFS 2.0，其单通道单向的理论带宽就可以达到1.45Gbps的水平，双通道双向的理论带宽就是5.8Gbps；而第二部分的UFS HS-G3标准，也就是我们常说的UFS 2.1，其理论带宽更是UFS 2.0的翻倍，达到11.6Gbps，eMMC闪存彻底望尘莫及了。

而到了近两年，UFS已经成为智能手机上的标配，现在最新的标准是UFS 3.1，单通道带宽为11.6Gbps，是UFS 2.1性能的两倍。

总结

总结来说，SSD、eMMC、UFS虽然同属闪存（NAND Flash），但它们在控制器、接口标准甚至更底层的Flash芯片标准上有所差别。SSD主要是为替代电脑或服务器上的HDD（机械硬盘），容量大，且兼容已有的接口技术。

eMMC、UFS则广泛应用于移动设备，且UFS是作为eMMC的替代品出现，它们都直接嵌入在主板上，很难替换。而UFS得益于接口标准带来的性能优势，逐渐成为智能手机，尤其是安卓手机的主流，eMMC则得益于其成本优势，依然在一些小型移动设备中出现。