苹果正在考虑在iPhone中使用QLC NAND闪存来增加存储容量

根据7月22日的市场研究报告，苹果公司正在考虑使用QLC NAND闪存来提高iPhone产品的存储容量，最早可能在2026年应用于其中。QLC NAND是一种四层单元的闪存技术，每个单元可以存储4bit数据，与TLC相比，其储存密度提高了33%。虽然QLC NAND适用于大容量应用和消费电子产品，但它的耐久度较低，并且通常需要100到1000次写入循环才能达到P/E Cycle（Program Erase Cycle）。

苹果公司已经在探索如何将NAND闪存用于语言模型存储而不是内存，这样就可以在本地运行更多的AI任务。因此，过渡到QLC NAND可能会改善Apple Intelligence的表现。

总结起来，在未来几年中，我们可能会看到更多iPhone和其他苹果产品使用高密度、低成本的QLC NAND闪存来提升其存储容量和性能。

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苹果被3D NAND闪存芯片的小伙伴给坑了 为了新iPhone向三星求援

【TechWeb报道】7月7日消息，据国外媒体报道，眼看iPhone 8等2017年的iPhone新品就要登场了，但新iPhone所需的3D NAND闪存芯片却因产能不足而陷入了供应不足的困境，为此苹果不得不向三星求援，希望三星能提供3D NAND闪存芯片。

按惯例，iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8在内的新品在今秋就会发布，但就在这个节骨眼上，为苹果今年的新iPhone提供3D NAND闪存芯片的供应商却产能不足，无法提供足够的3D NAND闪存芯片。

此前为苹果提供3D NAND闪存芯片的是日本东芝和韩国海力士，但让苹果始料未及的是，这两家公司的3D NAND闪存芯片产量比预期的低了30%，导致即将发布的iPhone在3D NAND闪存芯片上面临缺货的尴尬。

消息人士透露，为了避免3D NAND闪存芯片供应不足影响今年新iPhone的供应，苹果已将目光转向三星，希望三星能为其提供3D NAND闪存芯片。

这名消息人士还透露，三星的3D NAND闪存芯片技术目前比较成熟，产量也很稳定，能为苹果大规模供应。

3D NAND闪存芯片数据存储密度高，同此前的闪存芯片相比，相同的存储空间能存储更多的数据，苹果在2016年开始在移动设备中采用3D NAND闪存芯片。（海蓝）

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