消息称铠侠将于7月内启动1Tb版BiCS8 3D NAND闪存量产

IT之家 7 月 4 日消息，《日经新闻》报道称，铠侠将于本 (7) 月内在日本三重县四日市工厂启动 1Tb 版 BiCS8 3D NAND 闪存的量产。

由铠侠和西部数据联合研发的 BiCS8 闪存于 2023 年 3 月发布，其堆叠层数达到 218 层，引入了 CBA (C MOS directly B onded to A rray) 外围电路直接键合到存储阵列技术。

这一设计将外围短路和单元存储阵列划分在不同晶圆上单独制造，可提供更高的位密度的更快的 NAND I/O 速度。

铠侠-西部数据联盟在 BiCS8 闪存上规划了多款产品。除首发的 1Tb TLC 和 1Tb QLC 外，铠侠昨 (3) 日宣布面向高存储密度设备的 2Tb QLC 版 BiCS8 闪存也已出样。

铠侠-西部数据联盟未来还将进一步扩大闪存生产规模 ：

双方已决定投资 7290 亿日元（IT之家备注：当前约 328.71 亿元人民币）扩建在三重县四日市和岩手县北上市联合运营的晶圆厂，用于生产 BiCS 8/9 两代闪存 。

日本政府将给予投资额 1/3 的补贴支持。新建设的产能将于 2025 年 9 月开始出货。

长江存储再次在美国起诉美光

日前，据美国科技网站Tomshardware报道，中国存储芯片厂商长江存储再度在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND的各个方面。长江存储请求法院下令，要求美光停止在美国销售其闪存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的基本方面。

2022年底，美国商务部根据所谓的“证据”，以威胁其国家安全为由，将长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术。

这次起诉，并非长江存储在美国的第一次“反击”。2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

2023年11月,长江存储指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利X@lithos_graphein

另外，今年6月7日，长江存储在美国加州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及副总裁雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

此外，长江存储仍在努力利用国内技术和原有设备继续发展其3D NAND存储器。该公司的Xtacking3.0闪存已投入量产（其中一些设备甚至不违反美国制裁），具有高达2400 MT/s的接口。

今年早些时候，长江存储表示已成功将3D QLC NAND的耐用性大幅提高到3D TLC NAND的水平（达到4000次编程/擦除周期），这显著改善了廉价SSD的特性。

Patriot Memory的Viper PD573 SSDTomshardware

值得一提的是，媒体6月报道，美国的Patriot Memory正在准备一款高端新产品——Viper PD573 SSD ，基于中国联芸科技的控制器和长江存储的3D NAND闪存，其读取速度高达14GB/s，写入速度达到 12GB/s。这一合作进一步证明了长江存储在3D NAND闪存市场上的重要地位。

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