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与非门简称NAND 如何选择固态硬盘:NAND,TLC,PCIe 和 SATA 是什么?
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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如何选择固态硬盘:NAND、TLC、PCIe 和 SATA 是什么?

了解您的固态硬盘(SSD)的所有信息。

什么是 3D NAND 或 TLC NAND?如何为您的电脑选择最佳的固态硬盘?对于寻求额外存储空间的人来说,这些问题可能令人困扰,本篇解释文章将帮助澄清某些术语。我将介绍一下固态硬盘是什么,它与机械硬盘相比如何工作,以及基于公布的规格如何选择合适的硬盘。

什么是固态硬盘,它是如何工作的?

深入了解闪存存储

固态硬盘就是将存储芯片焊接在电路板上。有一个控制器来处理一切,可能还有一些缓存和本地内存来帮助提升性能。接口如 SATA、USB 或 PCIe 允许硬盘与主板和电脑的其他部件连接。固态硬盘与机械硬盘的不同之处在于没有任何活动部件。固态硬盘不使用旋转盘片和带有磁头的活动臂,而是使用需要电源供电的 NAND 存储芯片。

正因为这种差异,固态硬盘更适合笔记本电脑和包括智能手机在内的其他便携式设备。固态硬盘也非常适用于台式电脑,用于存储数据,具有更快的传输速度和更高的带宽,适用于现代游戏和软件中常见的大型文件。当您将文件移动到固态硬盘时,文件数字化发送给控制器,控制器决定所有数据字节在内存模块上的存储位置。与 RAM 不同,数据存储在固态硬盘上,即使断电后也依然存在。

什么是最好的固态硬盘存储类型?

并非所有芯片都是一样造的

固态硬盘拥有负与非 (NAND) 或垂直 NAND (V-NAND),以保持所有的 SLC、MLC 或 TLC 存储单元。NAND 是早期固态硬盘上发现的一种较老格式,它限制了安装的单元数量和可保存的数据量。现代驱动器使用 V-NAND,允许存储单元相互堆叠。电路板上存储单元越多,驱动器就能提供更多的容量。如固态硬盘这类基于 NAND 的存储设备,拥有错误校正代码 (ECC) 来检查所有数据的写入和读取是否无误。

您经常会遇到 MLC、SLC 和 TLC 这些缩写,那么让我们来看看现有的存储单元类型:

单层单元 (SLC):SLC 是固态硬盘中最昂贵的 NAND 形式。这些单元每个只持有一比特的数据,是最快且最耐用的闪存类型,但通常出现在最昂贵的硬盘上。它们非常可靠,寿命长,且不需要太多电力。

多层单元 (MLC):接下来是多层单元。顾名思义,这些单元可以每个单元保持两比特的数据,使得在不实际增加硬盘大小的情况下,相比单层单元 SSD 能拥有更大的容量。带有 MLC 芯片的 SSD 更加实惠,但具有更慢的传输速率,并不会像 SLC 固态硬盘那样耐用。MLC 更适合存储操作系统、文件和文档。

三层单元 (TLC):接着是三层单元。每个单元可持有三比特的数据,使得可以以合理的价格获得一些非常大容量的固态硬盘。就像 MLC 固态硬盘一样,这些硬盘的读写速度会较慢,耐用度也较弱。

SLC 固态硬盘专为重度使用而设计。可以考虑服务器、NAS 和那些有大量数据写入软件的系统。它们比其他类型的存储单元更昂贵,但非常可靠,适合长期使用。并不是说 MLC 和 TLC 硬盘会很快就出故障,但预期 SLC 固态硬盘会有很长的使用寿命。MLC 硬盘稍微实惠一些并且可以存储更多数据,但它速度较慢,不太适合大量数据的写入。TLC 是最实惠的,同时提供最好的容量,非常适合存储大文件(并且是很多)。

固态硬盘接口有哪些不同?

将您的数据连接到电脑上

有几种接口可将固态硬盘连接到主板。这些包括 NVMe、PCIe、SATA III 和 USB。USB 是外部固态硬盘、SD 卡和 USB 闪存驱动器最常用的接口。M.2 插槽被用于薄固态硬盘,可以是 SATA III 或 NVMe(PCIe)。2.5 英寸的固态硬盘连接到可用的 SATA III 端口。以下是您需要了解的所有信息:

串行 ATA (SATA):SATA 存在已久,至今仍在使用。根据外形规格,SATA 固态硬盘可以使用主板上的 M.2 插槽或电缆接头。

通用总线 (USB):USB 驱动器连接到电脑上的可用端口。由于 USB 连接的限制,这些驱动器通常是最慢的。此处还包括带有适配器的 SD 卡。

外围组件互连快速版 (PCIe):PCIe 固态硬盘不使用相同的 SATA 连接,而是使用来自处理器的可用 PCI 通道之一。虽然速度较快,但使用 NVMe PCIe 驱动器将获得最佳效果。

非易失性内存快速通道 (NVMe):这是最新最好的存储技术。NVMe 专为固态硬盘设计,使用 PCI 通道,允许固态硬盘接收来自多个处理器核心的请求。最快(也是最昂贵)的驱动器是 NVME PCIe 固态硬盘。

现代主板通常有一组 SATA III 端口(四到八个)用于 2.5 英寸的固态硬盘和机械硬盘。还会有一些 M.2 插槽。更昂贵的主板可能有多达六个 M.2 插槽,有些甚至包含在可选的 PCI 扩展卡上。PCIe NVMe M.2 插槽主要用于操作系统驱动器和存储常用应用程序和游戏。它们应该是您在电脑上存储数据的首选,其次是 SATA M.2 插槽,适用于较慢的固态硬盘。

最后,可用的 SATA III 端口可以使用。除非是寻找最实惠的固态硬盘,否则我推荐将这些作为最后的选择。它们需要电源,这需要直接从电源供应单元而不是主板供电,需要一个额外的电缆。

选择最佳的固态硬盘来装备您的电脑

现在您已经掌握了选择合适固态硬盘的所有必要信息,那么海量的选择将不会显得那么令人望而却步。我们已经花了多年时间审查、测试和撰写有关闪存存储的内容,并可以帮助您为现有系统升级或新建电脑选择合适的高速驱动器。只要您匹配主板上可用连接的外形规格(M.2 与 SATA III),安装固态硬盘就不会有问题。

一文让你看懂三星第五代V-NAND技术

转自 天极网

今年1月底,三星电子又发大招,推出采用第五代V-NAND技术的SSD产品——三星970 EVO Plus SSD。事实上,随着新一代3D NAND技术的不断成熟,速度更快的NVMe协议的SSD固态硬盘已经成为市场主流。

以前,我们见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,3D闪存则是立体堆叠的。打个比方,如果说普通NAND是平房,那么3D NAND则是高楼大厦。简单说,在3D NAND领域,谁堆叠的层数多,谁的产品性能就更先进。

众所周知,平面NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分,而且为进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工艺不断进步。虽然更先进的制程工艺带来了更大的容量,但容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降。

与之相比,为提高NAND的容量、降低成本,存储厂商只需要堆叠更多的层数即可。

据悉,2bit MLC每cell单元存储2bit数据只需要一两打电子,3bit MLC(也就是TLC)的每个cell单元储存。随着制程工艺的不断革新,cell单元之间的干扰现象越来越严重。

三星的V-NAND不再追求缩小cell单元,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元,实现容量增多的目的。

传统上,SSD中使用的是浮栅极MOSFET(Floating gate MOSFET),电子储存在栅极中,它相当于一个导体。这种晶体管的缺点是写入数据时,栅极与沟道之间会形成一次短路,这会消耗栅极中的电荷。

即每次写入数据,都要消耗一次栅极寿命。一旦栅极中的电荷没了,cell单元就相当于挂了,无法存储数据。

三星V-NAND闪存放弃浮栅极MOSFET,使用电荷攫取闪存(charge trap flash,简称CTF)设计。每个cell单元看起来更小了,但里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前的导体上,理论是没有消耗的。这种更小的电荷有很多优点,比如更高的可靠性、更小的体积。

据了解,使用CTF结构的V-NAND闪存被认为是一种非平面设计,绝缘体环绕沟道(channle),控制栅极又环绕着绝缘体层。这种3D结构设计提升了储存电荷的的物理区域,提高了性能和可靠性。

相比传统的FG(Floating Gate,浮栅极)技术,三星NAND的电荷撷取闪存(charge trap flash,简称CTF)技术难度更小一点,因此这有利于加快产品量产。

目前,三星的3D V-NAND存储单元的层数(Layer)由2009年的2-layer逐渐提升至24-layer、64-layer,再到2018年的96-layer(层)。

参考资料:

1. https://zhuanlan.zhihu.com/p/21967038

2. https://zhuanlan.zhihu.com/p/48579501

3. https://news.mydrivers.com/1/273/273419.htm

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