三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求

【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求】《科创板日报》26日讯，随着HBM高价产品贡献获利的快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去两年，三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第三季NAND Flash或微幅供过于求，而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。（台湾电子时报）

三星NAND喊涨20%台厂振奋 群联、威刚等利多

三星NAND喊涨20%台厂振奋 群联、威刚等利多

韩国媒体报导，三星电子计划让NAND快闪存储器涨价多达20%，正与客户重新议价。 路透

韩媒《朝鲜日报》报导，全球存储器芯片龙头三星传出近期将大幅调涨储存型快闪存储器（NAND Flash）报价，涨幅多达二成。法人看好，NAND芯片大涨价，有利群联、威刚、十铨、宇瞻、创见等相关台厂后市。

市调机构统计，三星在全球NAND芯片市占高达三成以上，居业界一哥。随着产业龙头喊涨价格，预料铠侠、威腾、SK海力士等NAND芯片厂也会顺势调升报价，进而推升营运表现。

《朝鲜日报》引述产业消息人士的说法报导，三星准备在3月和4月跟手机、PC和服务器相关大客户重新议价，预期将调高NAND芯片报价15%至20%。

半导体业界人士表示：“三星、SK海力士等大型存储器芯片制造商与他们客户的第1季价格谈判还没结束”，“然而，随着NAND芯片价格一直稳定提高，客户正急着敲定供应，担心NAND芯片大厂减产的情况今年将持续”。

目前NAND相关产业普遍已有本季报价涨两成的共识，甚至预期价格将一路涨到明年上半年。

NAND芯片市场去年历经史上最糟时期之一，需求疲弱加上供应过剩，导致库存大增。三星与SK海力士的NAND芯片业务去年分别出现营业亏损近83亿美元与60亿美元。

所幸NAND芯片市场去年下半年开始进入佳境，随着三星、SK海力士等供应商大量减产，使得产能利用率低于50%，在供给锐减下，去年第4季以来，NAND芯片报价逐步回升。

研调机构集邦科技（TrendForce）统计，NAND价格已连续五个月上扬，USB通用型NAND快闪记忆卡（128Gb 16Gx8 ML）固定交易价格在1月为4.72美元，月增8.8%，2月再涨3.8%、达4.9美元。

集邦认为，买家正在采购更多NAND芯片，以便确保库存，即便是在淡季期间。厂商正推高价格，以便压低损失，预期NAND固定交易价格在今年第1季会上涨15%至20%。

业界预期，先前主要NAND芯片供应商都陷入严重亏损，在报价未涨到满足点之前，业界不会轻易增产。

即便先前NAND芯片报价在国际大厂减产效应带动下，已经大涨一波，但目前还没涨够，预料NAND芯片供应商会一路拉抬价格，直到相关产品毛利率能回到三成以上，研判报价将一路涨到明年上半年。

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