韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

（观察者网讯）12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。

据韩联社12月7日报道，SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

上月，SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。另一方面，韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND，预计明年批量生产。

SK海力士海外最大闪存封装厂3季度投产 NAND产能提升150%

截至本季度，NAND闪存价格已经连续跌了6个季度，上游的NAND闪存厂商面临着营收及盈利下滑的考验，美光、三星等公司都已经决定削减NAND产能以减缓降价趋势。

不过厂商削减产能不是一句话的事，前两年这些产能扩增了不少生产及封装工厂，经过一两年的建设正好在今年完工投产，这也会扩大NAND闪存的产能，与削减产能的目标相反。

来自重庆西永微电园的消息称，SK海力士二期1.6万平方米主体建筑已建成，预计6月中旬进行设备安装，三季度陆续投产。

投产后，项目合计产能是现在的2.5倍，芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上, 成为SK海力士全球海外最大封装基地。

西永微电园的SK海力士封装厂投产之后，势必会增加NAND闪存产能，而前不久SK海力士也宣布出货96层堆栈的新一代4D NAND闪存，QLC类型，单颗核心容量1Tbit，容量要比目前的MLC、TLC闪存至少高出一倍，可以轻松实现16TB SSD硬盘。

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