重大突破！长江存储3D NAND芯片研发成功！

据报道，近期紫光集团旗下长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片，打破国外半导体厂三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据等的技术垄断！

中国近几年不断加大对半导体产业的投资，尤其是在存储器领域芯片制造上的投入。由于存储器技术研发难度高，专利又集中在欧美大厂手上，业界对于大陆发展存储器计划多抱持保守态度，但近期长江存储在3D NAND技术研发进度超乎市场预期。

长江存储是专注于3D NAND技术的代表队，更是紫光集团投入半导体产业的重量级代表作。业内半导体人士透露，长江存储11月将32层3D NAND芯片导入SSD内，进行终端产品测试成功，代表大陆3D NAND研发迈入新里程碑。长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本，然该颗芯片样本提前出来，且第一版就通过终端实测，象征研发获得重大突破。

虽然最关键的研发一环已有小成，但后期量产的良率也是成败的关键，未来要进入量产，势必要达到一定的良率，确保每片3D NAND的可用晶圆数量，成本结构才会具有市场竞争力。

在产能规划方面，业者透露，长江存储已预定5000片产能的机台设备，预计2018年第2季投入试产，进度快慢要看良率而定，一旦长江存储3D NAND大量投片产出，可望打破全球3D NAND门票都掌握在国外公司的局面。

长江存储投入3D NAND技术研发还不到两年，过去大陆NAND Flash技术研发主力是武汉新芯，其透过飞索（Spansion）技术授权，生产NOR Flash和SLC型NAND，长江存储于2016年7月成立之后，并购武汉新芯100％股权，成为大陆存储器研发及生产中心。

根据长江存储先前揭露的计划，32层3D NAND主要是技术打底的动作，大陆真正视为主流的是64层3D NAND技术，这也是目前三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash大厂主流的技术。若大陆成功发展64层3D NAND技术，且全面大量投产，将有机会与三星、东芝、SK海力士等拉近差距，同时也标志者中国在NAND Flash芯片制造上能够达到国际水平。

SK海力士全球率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片

6月26日，SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand闪存”并将于今年下半年(7月~12月)开始投入量产。去年10月SK海力士开发出96层4D Nand闪存芯片，新的128层4D Nand闪存生产效率是96层4D Nand芯片的40%。

SK海力士

相比于传统的3D Nand闪存，4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题，大大提高了生产效率。SK海力士表示：“新产品使用同样的4D平台，通过对工程进行最佳优化，在比96层产品增加了32层储存单元的情况下，还将全部的工程程序减少了5%”。

4D Nand闪存

最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降，在今年第一季度SK海力士已经出现亏损，现在SK海力士似乎打算通过Nand闪存领域寻找新的突破口。SK海力士计划从今年下半年正式开始出售128层4D闪存芯片，其能够广泛应用于数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G服务等领域。

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